1.一種電極組件的檢測方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述目標圖像包括所述電極組件的多層陽極極片和多層陰極極片的圖像；
3.根據(jù)權利要求1或2所述的檢測方法，其特征在于，所述目標圖像包括所述多層陽極極片和所述多層陰極極片在第一方向上的邊沿，所述第一方向為所述電極組件的卷繞軸線的方向。
4.根據(jù)權利要求1至3任一項中所述的檢測方法，其特征在于，所述在電極組件的移動過程中，利用tdi探測器對所述電極組件進行成像以生成目標圖像，包括：
5.根據(jù)權利要求4所述的檢測方法，其特征在于，發(fā)射所述射線的射線源包括一體式x射線源。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的檢測方法，其特征在于，所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向垂直于所述電極組件的卷繞軸線的方向。
7.根據(jù)權利要求6所述的檢測方法，其特征在于，所述電極組件的徑向距離最小的徑所在的方向平行于所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向。
8.根據(jù)權利要求4至7任一項中所述的檢測方法，其特征在于，所述目標圖像包括所述電極組件的兩個拐角區(qū)域的圖像，所述兩個拐角區(qū)域位于所述電極組件在第二方向上的一端，所述第二方向垂直于所述電極組件的移動方向且垂直于所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向。
9.根據(jù)權利要求8所述的檢測方法，其特征在于，所述在電極組件的移動過程中，利用所述tdi探測器接收穿透所述電極組件的拐角區(qū)域的射線并進行成像，以生成目標圖像，包括：
10.一種電極組件的檢測裝置，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，所述目標圖像包括所述電極組件的多層陽極極片和多層陰極極片的圖像；
12.根據(jù)權利要求11所述的檢測裝置，其特征在于，所述目標圖像片包括所述多層陽極極片和所述多層陰極極片在第一方向上的邊沿，所述第一方向為所述電極組件的卷繞軸線的方向。
13.根據(jù)權利要求10至12任一項中所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像生成單元用于：
14.根據(jù)權利要求13所述的檢測裝置，其特征在于，發(fā)射所述射線的射線源包括一體式x射線源。
15.根據(jù)權利要求13或14所述的檢測裝置，其特征在于，所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向垂直于所述電極組件的卷繞軸線的方向。
16.根據(jù)權利要求15所述的檢測裝置，其特征在于，所述電極組件的徑向距離最小的徑所在的方向平行于所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向。
17.根據(jù)權利要求13至16任一項中所述的檢測裝置，其特征在于，所述目標圖像包括所述電極組件的兩個拐角區(qū)域的圖像，所述兩個拐角區(qū)域位于所述電極組件在第二方向上的一端，所述第二方向垂直于所述電極組件的移動方向且垂直于所述射線的焦點至所述tdi探測器的垂線方向。
18.根據(jù)權利要求17所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像生成單元用于：
19.一種電極組件的檢測裝置，其特征在于，所述裝置包括存儲器和處理器，所述存儲器用于存儲指令，所述處理器用于讀取所述指令并根據(jù)所述指令執(zhí)行如權利要求1至9任一項中所述的方法。
20.一種射線檢測設備，其特征在于，所述射線檢測設備包括射線源和如權利要求10至19任一項中所述的裝置。
21.一種芯片，其特征在于，包括：處理器，用于從存儲器中調(diào)用并運行計算機程序，使得安裝有所述芯片的設備執(zhí)行如權利要求1至9任一項中所述的方法。
22.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)用于存儲計算機程序，所述計算機程序被計算機執(zhí)行時，使得所述計算機實現(xiàn)如權利要求1至9任一項中所述的方法。