芯片篩選方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例涉及通信技術(shù)，尤其涉及一種芯片篩選方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電信級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)物料百萬(wàn)分之不良率(Factory Defective Parts PerMill1n，簡(jiǎn)稱(chēng):FDPPM)要求通常較高，如何改善出貨質(zhì)量和降低芯片的FDPPM是廠商提高盈利空間和客戶(hù)滿(mǎn)意度的首要問(wèn)題。FDPPM偏高的其中一個(gè)主要原因是芯片的早期失效率(Early Failure Rate,簡(jiǎn)稱(chēng):EFR)較大,在芯片量產(chǎn)測(cè)試中篩除可能導(dǎo)致潛在失效風(fēng)險(xiǎn)的芯片，是降低EFR的一個(gè)方法。比如在晶圓測(cè)試中被判為不良品芯片(Fail Die)的芯片，其周邊的良品芯片(Pass Die)雖然能夠符合晶圓測(cè)試規(guī)格，但這些良品芯片出現(xiàn)早期失效的幾率比其他位置的良品芯片大，即潛在風(fēng)險(xiǎn)較大，如果將這些芯片篩選出來(lái)，將可以降低EFR。
[0003]目前的芯片篩選方法包括:一種是采用老化測(cè)試方法，將芯片處在高溫高壓條件下工作，使得半導(dǎo)體管子產(chǎn)生邏輯狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，把性能較弱的芯片提早失效，從而降低產(chǎn)品的EFR0但老化測(cè)試是將芯片失效，實(shí)施成本高，并且老化測(cè)試周期長(zhǎng)，一般在24小時(shí)以上，而且每個(gè)老化爐測(cè)試的芯片數(shù)量有限，量產(chǎn)規(guī)模大的芯片需要購(gòu)買(mǎi)大量的老化爐，成本較高。另一種是人工篩選方法，是在得到晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)后，對(duì)晶圓上大片失效區(qū)域周邊的良品芯片進(jìn)行人工剔除，以降低芯片失效風(fēng)險(xiǎn)。但人工篩選不僅占用大量人力，同樣存在成本高的問(wèn)題，而且人工指定存在不同人員、不同批次間指定的標(biāo)準(zhǔn)不一致，主觀性大，可能存在過(guò)殺或者漏殺的問(wèn)題，可靠性較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種芯片篩選方法和裝置，目的是以較低的成本實(shí)現(xiàn)高可靠性的芯片篩選。
[0005]第一方面，提供一種芯片篩選方法，用于從多個(gè)芯片中篩選出潛在失效率大的芯片，包括:
[0006]計(jì)算待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)，并將所述周邊范圍內(nèi)的各芯片的第一影響因數(shù)求和得到影響因數(shù)和；所述待判定芯片是晶圓測(cè)試中的其中一個(gè)良品芯片;
[0007]根據(jù)所述影響因數(shù)和，將所述周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)歸一化，得到每個(gè)芯片的第二影響因數(shù)；
[0008]將所述周邊范圍內(nèi)的多個(gè)有效芯片的所述第二影響因數(shù)求和，得到所述待判定芯片的周邊芯片相關(guān)因數(shù)NDCF ;每個(gè)所述有效芯片為真實(shí)存在且與所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0009]若所述待判定芯片的所述NDCF滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件，則確定所述待判定芯片為潛在失效率大的芯片。
[0010]根據(jù)第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述計(jì)算所述待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)，包括:利用所述周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的影響參數(shù)乘以所述每個(gè)芯片與所述待判定芯片的距離相關(guān)值，得到所述每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)。
[0011]根據(jù)第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述每個(gè)芯片與所述待判定芯片的距離相關(guān)值為:每個(gè)芯片與所述待判定芯片的距離，或根據(jù)所述距離得到的值。
[0012]根據(jù)第一方面至第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述周邊范圍內(nèi)的全部芯片的影響參數(shù)相同。
[0013]根據(jù)第一方面至第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述待判定芯片的所述NDCF滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件包括:所述待判定芯片的所述NDCF大于或等于預(yù)設(shè)閾值。
[0014]第二方面，提供一種芯片篩選裝置，用于從多個(gè)芯片中篩選出潛在失效率大的芯片，包括:
[0015]求和單元，用于計(jì)算待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)，并將所述周邊范圍內(nèi)的各芯片的第一影響因數(shù)求和得到影響因數(shù)和；所述待判定芯片是晶圓測(cè)試中的其中一個(gè)良品芯片；
[0016]歸一單元，用于根據(jù)所述影響因數(shù)和，將所述周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)歸一化，得到每個(gè)芯片的第二影響因數(shù)；
[0017]相關(guān)單元，用于將所述周邊范圍內(nèi)的多個(gè)有效芯片的所述第二影響因數(shù)求和，得到所述待判定芯片的周邊芯片相關(guān)因數(shù)NDCF ;每個(gè)所述有效芯片為真實(shí)存在且與所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0018]篩選單元，用于若所述待判定芯片的所述NDCF滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件，則確定所述待判定芯片為潛在失效率大的芯片。
[0019]根據(jù)第二方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述求和單元，在計(jì)算所述待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)時(shí)，具體用于:利用所述周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的影響參數(shù)乘以所述每個(gè)芯片與所述待判定芯片的距離相關(guān)值，得到所述每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)。
[0020]根據(jù)第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述求和單元使用的所述距離相關(guān)值為:每個(gè)芯片與所述待判定芯片的距離，或根據(jù)所述距離得到的值。
[0021]根據(jù)第二方面至第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述周邊范圍內(nèi)的全部芯片的影響參數(shù)相同。
[0022]根據(jù)第二方面至第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述篩選單元使用的所述NDCF滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件包括:所述待判定芯片的所述NDCF大于或等于預(yù)設(shè)閾值。
[0023]第三方面，提供一種芯片篩選裝置，包括:
[0024]存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)指令；
[0025]處理器，執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的指令，用于:
[0026]計(jì)算待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)，并將所述周邊范圍內(nèi)的各芯片的第一影響因數(shù)求和得到影響因數(shù)和；所述待判定芯片是晶圓測(cè)試中的其中一個(gè)良品芯片;
[0027]根據(jù)所述影響因數(shù)和，將所述周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)歸一化，得到每個(gè)芯片的第二影響因數(shù)；
[0028]將所述周邊范圍內(nèi)的多個(gè)有效芯片的所述第二影響因數(shù)求和，得到所述待判定芯片的周邊芯片相關(guān)因數(shù)NDCF ;每個(gè)所述有效芯片為真實(shí)存在且與所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0029]若所述待判定芯片的所述NDCF滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件，則確定所述待判定芯片為潛在失效率大的芯片。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片篩選方法和裝置，是以統(tǒng)計(jì)方法得到待判定芯片的NDCF,并根據(jù)該NDCF設(shè)定芯片篩選條件，滿(mǎn)足預(yù)設(shè)的篩選條件的芯片即為要篩選出的潛在失效率大的芯片，這種方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，僅通過(guò)概率統(tǒng)計(jì)方法就可以將潛在失效率大的芯片篩選出，不再需要老化測(cè)試或者人工篩選，降低了篩選成本；并且，各不同批次的芯片都可以按照該標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行篩選，標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一并且篩選標(biāo)準(zhǔn)也方便改動(dòng)，可靠性較高。
【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種芯片篩選方法的流程示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種芯片篩選方法所應(yīng)用的部分晶圓結(jié)構(gòu)；
[0033]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種芯片篩選方法的周邊芯片相關(guān)因數(shù)(Neighbor DieCorrelat1n Factor,簡(jiǎn)稱(chēng):NDCF)計(jì)算流程圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種芯片篩選方法的測(cè)試結(jié)果圖；
[0035]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的芯片篩選裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的芯片篩選裝置的實(shí)體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]本發(fā)明實(shí)施例所描述的芯片篩選方法，是一種數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)和概率統(tǒng)計(jì)的方法，是根據(jù)晶圓測(cè)試(Wafer CP測(cè)試)得到的反映良品芯片情況的Wafer Map (晶圓映射)數(shù)據(jù)，對(duì)晶圓測(cè)試中得到的良品芯片(Pass Die)的周邊范圍芯片進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，以評(píng)估該良品芯片存在潛在失效的可能性。需要說(shuō)明的是，在以下的實(shí)例描述中提及的“芯片”一詞，如果是應(yīng)用于晶圓(Wafer)的描述，實(shí)際上應(yīng)該稱(chēng)為晶片“Die”，為了統(tǒng)一，全文都寫(xiě)為“芯片”。因此，所述芯片可以是晶圓或晶片等各類(lèi)通過(guò)半導(dǎo)體加工工藝制作的半導(dǎo)體設(shè)備。在晶圓測(cè)試中，多個(gè)芯片被放置于一個(gè)平面或平臺(tái)上，互相間隔一定的距離，各個(gè)芯片間距可以相等或不等。通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)可以測(cè)定出其中的良品芯片和不良品芯片，進(jìn)一步采用本實(shí)施例推薦的方法可以有效從多個(gè)良品芯片中篩選出潛在失效率大的芯片。
[0038]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種芯片篩選方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法可以包括:
[0039]101、計(jì)算待判定芯片的周邊范圍內(nèi)的每個(gè)芯片的第一影響因數(shù)，并將所述周邊范圍內(nèi)的各芯片的第一影響因數(shù)求和得到影響因數(shù)和；
[0040]其中，待判定芯片是晶圓測(cè)試中的其中一個(gè)良品芯片。具體的，晶圓測(cè)試將判定晶圓上的每個(gè)芯片是良品芯片(Pass Die)還是不良品芯片(Fail