權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中通過旋涂、槽縫式涂布、浸漬、施配、噴射或另一涂 布工藝執(zhí)行涂布含有所述聚合物的所述溶液。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述聚合物包含鐵電聚合物。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述聚合物具有特性居里溫度和熔點，并且使所 述聚合物結(jié)晶包含在所述居里溫度與所述熔點之間的溫度下焙烤所述聚合物至少一小時。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中在所述成極之前，施加導(dǎo)電材料以將所述像素電 路的端子電短路到接地。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述導(dǎo)電材料是導(dǎo)電橡膠或?qū)щ娔?. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包含沉積在所述壓電層上的接收器偏置電 極。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述接收器偏置電極包含第一銅子層和第二鎳 子層。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述第一子層大約是150埃厚，并且所述第二鎳 子層大約是850埃厚。12. -種設(shè)備，其包括： 用于檢測接收到的超聲波能量的裝置，其中： 像素電路陣列安置在襯底上，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極；并且 通過以下操作形成壓電層以便與所述像素輸入電極電接觸： 將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物層成極。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中通過旋涂、槽縫式涂布、浸漬、施配、噴射或另一 涂布工藝執(zhí)行涂布含有所述聚合物的所述溶液。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述聚合物包含鐵電聚合物。15. -種用于制造超聲波接收器的方法，所述超聲波接收器被配置成檢測在所述超聲 波接收器的第一表面處接收到的超聲波能量，所述超聲波接收器包含安置在襯底上的像素 電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件，并且具有電耦 合到所述像素電路的像素輸入電極，所述方法包括： 形成壓電層以便與所述像素輸入電極電接觸，其中形成所述壓電層包含： 將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物層成極。16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述像素輸入電極是由導(dǎo)電薄膜形成的。17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中成極包含施加通過所述聚合物層具有每微米 150伏與200伏之間的場強度的電場。18. -種上面存儲有指令的計算機可讀存儲媒體，所述指令在被計算系統(tǒng)執(zhí)行時，使所 述計算系統(tǒng)執(zhí)行用于制造超聲波接收器的操作，所述超聲波接收器被配置成檢測在所述超 聲波接收器的第一表面處接收到的超聲波能量，所述超聲波接收器包含安置在襯底上的像 素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件，并且具有電 耦合到所述像素電路的像素輸入電極，所述操作包括： 形成壓電層以與所述像素輸入電極電接觸，其中形成所述壓電層包含： 將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物層成極。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算機可讀存儲媒體，其中形成所述壓電層包含將助粘劑 涂布到所述像素電路陣列上。20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的計算機可讀存儲媒體，其中在所述成極之前施加導(dǎo)電材料 以將所述像素電路的端子電短路到接地。21. -種設(shè)備，其包括： 超聲波發(fā)射器； 壓板；以及 超聲波接收器，其安置在所述超聲波發(fā)射器與所述壓板之間，所述超聲波接收器包含 安置在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含薄膜晶體管TFT元件，并 且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極，所述超聲波接收器被配置成檢測從接觸所 述壓板的對象反射的超聲波能量，所述反射的超聲波能量是由所述超聲波發(fā)射器發(fā)出的超 聲波能量與所述對象相互相用產(chǎn)生的，所述超聲波接收器包含安置在所述像素電路陣列與 所述壓板之間的壓電層，其中： 所述壓電層與所述像素輸入電極電接觸；并且 所述壓電層通過以下操作形成： 將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物涂層成極。22. -種設(shè)備，其包括： 超聲波發(fā)射器； 壓板；以及 裝置，其安置在所述超聲波發(fā)射器與所述壓板之間，用于檢測從接觸所述壓板的對象 反射的超聲波能量，所述反射的超聲波能量是由所述超聲波發(fā)射器發(fā)出的超聲波能量與所 述對象相互相用產(chǎn)生的，其中： 像素電路陣列安置在襯底上，所述陣列中的每一像素電路包含薄膜晶體管TFT元件， 并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極；并且 壓電層安置在所述像素電路陣列與所述壓板之間，使得所述壓電層與所述像素輸入電 極電接觸，并且通過以下操作形成： 將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物涂層成極。23. -種方法，其包括： 通過以下操作形成壓電層： 將含有聚合物的溶液涂布到像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物涂層成極；以及 將超聲波接收器安置在超聲波發(fā)射器與壓板之間，所述超聲波接收器被配置成檢測從 接觸所述壓板的對象反射的超聲波能量，所述反射的超聲波能量是由所述超聲波發(fā)射器發(fā) 出的超聲波能量與所述對象的相互相用產(chǎn)生的，所述超聲波接收器包含： 像素電路陣列，其安置在襯底上；以及 所述壓電層，其安置在所述像素電路陣列與所述壓板之間；其中： 所述陣列中的每一像素電路包含薄膜晶體管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電 路的像素輸入電極，并且 所述壓電層與所述像素輸入電極電接觸。24. -種上面存儲有指令的計算機可讀存儲媒體，所述指令在由計算系統(tǒng)執(zhí)行時使所 述計算系統(tǒng)執(zhí)行操作，所述操作包括： 通過以下操作形成壓電層： 將含有聚合物的溶液涂布到像素電路陣列上； 使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層；以及 使所述結(jié)晶聚合物涂層成極；以及 將超聲波接收器安置在超聲波發(fā)射器與壓板之間，所述超聲波接收器被配置成檢測從 接觸所述壓板的對象反射的超聲波能量，所述反射的超聲波能量是由所述超聲波發(fā)射器發(fā) 出的超聲波能量與所述對象的相互相用產(chǎn)生的，所述超聲波接收器包含： 像素電路陣列，其安置在襯底上；以及 所述壓電層，其安置在所述像素電路陣列與所述壓板之間；其中： 所述陣列中的每一像素電路包含薄膜晶體管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電 路的像素輸入電極，并且 所述壓電層與所述像素輸入電極電接觸。25. -種設(shè)備，其包括： 超聲波接收器，其用于檢測在超聲波傳感器的第一表面處接收到的超聲波能量，所述 超聲波傳感器包含安置在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一 個薄膜晶體管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極，以及與所述像素 輸入電極電接觸的壓電層，其中所述壓電層包含成極的結(jié)晶聚合物層。26. -種設(shè)備，其包括： 用于檢測在超聲波傳感器的第一表面處接收到的超聲波能量的裝置，所述超聲波傳感 器包含安置在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體 管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極，以及與所述像素輸入電極電 接觸的壓電層，其中所述壓電層包含成極的結(jié)晶聚合物層。27. -種方法，其包括： 檢測在超聲波傳感器的第一表面處接收到的超聲波能量，所述超聲波傳感器包含安置 在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件 并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極，以及與所述像素輸入電極電接觸的壓電 層，其中所述壓電層包含成極的結(jié)晶聚合物層。28. -種上面存儲有指令的計算機可讀存儲媒體，所述指令在由計算系統(tǒng)執(zhí)行時使所 述計算系統(tǒng)執(zhí)行操作，所述操作包括： 檢測在超聲波傳感器的第一表面處接收到的超聲波能量，所述超聲波傳感器包含安置 在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件 并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極，以及與所述像素輸入電極電接觸的壓電 層，其中所述壓電層包含成極的結(jié)晶聚合物層。
【專利摘要】本發(fā)明提供與用于檢測在超聲波接收器的第一表面處接收到的超聲波能量的超聲波接收器相關(guān)的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。所述超聲波接收器包含安置在襯底上的像素電路陣列，所述陣列中的每一像素電路包含至少一個薄膜晶體管TFT元件并且具有電耦合到所述像素電路的像素輸入電極。通過形成壓電層以便與所述像素輸入電極電接觸而制造所述超聲波接收器。形成所述壓電層包含將含有聚合物的溶液涂布到所述像素電路陣列上，使所述聚合物結(jié)晶以形成結(jié)晶聚合物層，以及使所述結(jié)晶聚合物層成極。
【IPC分類】G06K9/00, B06B1/06
【公開號】CN105264545
【申請?zhí)枴緾N201480031627
【發(fā)明人】杰克·康維·凱琴斯二世, 約翰·基思·施奈德, 史蒂芬·麥克·哥捷維克
【申請人】高通股份有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2014年5月29日
【公告號】EP3005229A1, US20140355387, WO2014197274A1