2是雷射單元的功能方塊圖。請同時參考圖1及圖2所示，當感測層21形成在基板2之后，基板2便運送到雷射單元13進行雷射回火(laser annealing)處理，例如是準分子雷射回火(excimer laser annealing, ELA)處理。雷射單元13包括一雷射源131及一光學組132。在本實施例中，光學組132包括光束整形器(beam shaper) 1321、光束擴束器(beam expander) 1322、線光束(line beam)產(chǎn)生器1323以及反射鏡1324。雷射源131發(fā)出的雷射光L經(jīng)過光束整形器1321將雷射光L自高斯光束變換為平頂光束，接著經(jīng)過光束擴束器1322提高光束尺寸，例如是增加雷射光L的半徑，再經(jīng)過線光束產(chǎn)生器1323使雷射光L是線光束(line beam)而作為工作雷射光L1，最后透過反射鏡1324將工作雷射光L1照射到基板2上。在一些實施例中，工作雷射光L1也可直接射向基板2上，本發(fā)明并不限制。
[0044]在此，雷射單元13還包括一載臺133及一圖案化網(wǎng)柵(pattern opticalmesh) 134。請參考圖2、圖3A及圖3B所示，其中圖3A是雷射回火處理的的立體示意圖，圖3B是圖3A沿A-A線段的剖面圖。在本實施例中，基板2是以具有感測層21的一面朝向載臺133而設置，也就是感測層21介于基板2與載臺133之間，而基板2上遠離載臺133的一側(cè)設置圖案化網(wǎng)柵134，使基板2介于載臺133與圖案化網(wǎng)柵134之間。
[0045]載臺133可進行二維的平面移動，或是三維的立體移動，以確保工作雷射光L1可部分面積或全部面積的將基板2上的感測層21進行雷射回火處理。圖案化網(wǎng)柵134可例如是在一透光基板1341上設置一圖案化介電層(dielectric layer) 1342的鏡面結(jié)構(gòu)。圖案化介電層1342具有圖案部分13421與非圖案部分13422，其中非圖案部分13422是不具有介電層材料的鏤空處，包括一具有一彎折的抗擾斑塊圖案與一感測層預定圖案，因此光線可穿過非圖案部分13422。在進行雷射回火處理時，工作雷射光L1可穿過非圖案部分13422而照射在基板2上，而照射在圖案部分13421的工作雷射光L1無法穿透而反射。由于基板2是透光材料，因此工作雷射光L穿過基板2而照射至感測層21，使被照射的感測層21轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)構(gòu)變化層(structure changing layer) 211?其中圖3A所示的箭頭D1是工作雷射光L1的行進方向，在實施上，是以工作雷射光L1的位置固定，并移動載臺133來實現(xiàn)，也就是載臺133以箭頭D1相反的方向進行相對運動。
[0046]另外，透光基板1341的材料可包括氧化硅(Si02)，可例如是石英玻璃(fusedsilica);圖案化介電層1342的材料可包括氟化鎂(MgF2)、氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化鉭(Ta205)、鋪氟化物(cerium fluoride)、硫化鋅(zinc sulfide)、氟化招(A1F3)、氧化鉿(hafnium oxide)、氧化錯(zirconium oxide)、或其組合。另外，圖案化介電層1342的介電常數(shù)大于30。
[0047]感測層21可以是非晶銦錫氧化物(amorphous indium tin oxide, a_IT0)層或奈米金屬層。以非晶銦錫氧化物層為例，透過高能量的雷射光照射非晶銦錫氧化物層，可在相當短的時間內(nèi)使非晶銦錫氧化物層暴露在極高溫下，而轉(zhuǎn)變成為結(jié)晶銦錫氧化物層(結(jié)構(gòu)變化層211)而形成導電結(jié)構(gòu)，以達到產(chǎn)品所需求的電阻值與穿透率。另外，當感測層21是奈米金屬層時，奈米金屬層可包括一基質(zhì)及多個奈米金屬結(jié)構(gòu)，多個奈米金屬結(jié)構(gòu)設置在基質(zhì)內(nèi)。進一步來說，奈米金屬結(jié)構(gòu)例如是奈米粒子或奈米線，其材料可以是奈米銀(Silver nanowires)、奈米鎂銀合金或奈米銅。奈米粒子例如是奈米導電粒子,其材料包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鎵鋅(IGZ0)、摻鋅氧化銦(ΙΖ0)、ΑΖ0 (摻鋁的ΖΝ0)、GZ0 (摻鎵的ΖΝ0)、碳奈米管(CNT)、或石墨烯。另外，感測層21可由奈米導電粒子添加在奈米金屬線(metal nanowires)的復合材料所構(gòu)成。另外，以下是奈米銀線的制造方法的實施例。
[0048]首先，奈米銀線溶液(SeashellTechnology, AgNW-115)是以 1000r/min 的轉(zhuǎn)速在PET基板上旋轉(zhuǎn)60秒以形成不規(guī)則散布的奈米銀線網(wǎng)絡，并且ΙΤ0奈米粒子溶液是以2000r/min的轉(zhuǎn)速在奈米銀線網(wǎng)絡上旋轉(zhuǎn)30秒，接著再接受約100°C的熱退火一些分鐘以去除溶劑。奈米銀線溶液被稀釋到lmg/mL濃度。奈米銀線是約有115nm的直徑以及30 μ m的長度。不同片電阻值與光學穿透率值的奈米銀線網(wǎng)絡可由重復的旋轉(zhuǎn)涂布工藝而得到。ΙΤ0奈米粒子溶液是由以同樣的體積混合散布在異丙醇(Isopropyl Alcohol (SigmaAldrich))的ΙΤ0奈米粒子(30wt.% )以及溶解在去離子水(de1nized water)的聚乙烯醇(polyvinyl alcohol, PVA) (2.5wt.% )而制備。PVA溶液是加入ITO奈米粒子的散布中，以進一步提高產(chǎn)出的奈米銀線/ΙΤ0奈米粒子膜的機械結(jié)合性。由于在奈米金屬層中，各奈米金屬結(jié)構(gòu)的間距較大，其電阻值很高，因此整體導電能力差。透過高能量的雷射光照射奈米金屬層，可在相當短的時間內(nèi)使奈米金屬層暴露在極高溫下，而使基質(zhì)揮發(fā)而留下奈米金屬結(jié)構(gòu)而形成奈米金屬導電層(結(jié)構(gòu)變化層211)，此時各奈米金屬結(jié)構(gòu)彼此電性連接，其電阻值降低而形成導電結(jié)構(gòu)。
[0049]特別的是，圖案化網(wǎng)柵134的圖案化介電層1342，其非圖案部分13422即就是對應于結(jié)構(gòu)變化層211的圖案，包括具有一彎折的抗擾斑塊圖案與一感測層預定圖案。換句話說，雷射單元13將感測層21以具有彎折的抗擾斑塊圖案與感測層預定圖案進行雷射回火處理，而形成結(jié)構(gòu)變化層211，也就是至少一圖案化介電層1342的圖案與觸控面板的隱形感測層的圖案相同。在一些實施例中，圖案化介電層1342的圖案尺寸可小于觸控面板的隱形感測層的圖案尺寸。
[0050]接著，蝕刻單元14去除抗擾斑塊圖案以外與感測層預定圖案以外的部分感測層21，而形成觸控面板的隱形感測層。在一些實施例中，蝕刻單元14是以濕式蝕刻方式去除抗擾斑塊圖案以外與感測層預定圖案以外的部分感測層21。其中，當感測層21是非晶銦錫氧化物層時，濕式蝕刻是草酸蝕刻，利用只能蝕刻非晶質(zhì)材料的草酸作為蝕刻溶液，將位在結(jié)構(gòu)變化層(結(jié)晶銦錫氧化物層)211以外的非晶銦錫氧化物層完全蝕刻去除，便可以準確地定義出結(jié)晶銦錫氧化物層的結(jié)構(gòu)。類似地，當感測層21是奈米金屬層時，蝕刻單元14可將結(jié)構(gòu)變化層(奈米金屬導電層)211以外的感測層21完全蝕刻去除，以準確地定義出奈米金屬導電層的結(jié)構(gòu)。
[0051]在實施上，工作雷射光L1的能量、持續(xù)時間以及尺寸大小會決定需要進行照射的次數(shù)，通常雷射回火處理會進行多次以上的照射，以徹底地使非晶銦錫氧化物層結(jié)晶，或使奈米金屬層的基質(zhì)揮發(fā)而形成奈米金屬導電層。其中，圖4是感測層在工作雷射光L1照射前后的示意圖，工作雷射光L1依箭頭D2所示方向行進，照射過后的感測層21轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)構(gòu)變化層211。
[0052]請再參考圖1所示，雷射圖案化設備1還可包括一輸出單元15。如上述，在進行成膜、雷射圖案化、以及蝕刻等工藝后，輸出單元15可輸出具有隱形感測層的觸控面板，以作封裝、與顯示面板組裝、或其它后續(xù)的制作。類似地，輸出單元15也可以是機械手臂、輸送帶、或滾輪組，以將觸控面板運送到雷射圖案化設備1外。在一些實施例中，加載單元11可與輸出單元15整合，也就是同一單元可具有執(zhí)行加載基板2及輸出觸控面板的功能。
[0053]圖5Α是本發(fā)明較佳實施例的雷射圖案化隱形感測層基板的部分剖面圖。請參考圖5Α所示，雷射圖案化隱形感測層基板3包括一基板31及至少一結(jié)構(gòu)變化層32，其中結(jié)構(gòu)變化層32是透過上述雷射圖案化設備進行雷射回火處理而成。結(jié)構(gòu)變化層32具有多個結(jié)構(gòu)變化單元321共平面的設置在基板31上。其中，基板31的敘述可參考上述實施例的基板2，在此不再贅述。
[0054]結(jié)構(gòu)變化層32是由基板31上的感測層(如圖3Β所示的感測層21)以一具有一彎折的抗擾斑塊圖案與一感測層預定圖案(如圖3Β所示的圖案化網(wǎng)柵134)進行一雷射回火處理后而產(chǎn)生不同的結(jié)構(gòu)變化單元321，并透過控制不同的結(jié)構(gòu)變化