透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo)電性基板的制造方法及觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及在實(shí)施了薄化處理的透明基板上配置透明導(dǎo)電膜而成的透明導(dǎo)電性 基板和透明導(dǎo)電性基板的制造方法及觸控面板。更詳細(xì)而言，本發(fā)明設(shè)及能夠配備不會(huì)受 到薄化處理的影響而具有所期望的電阻值的透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo)電性 基板的制造方法及觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 觸控面板是通過由操作者用手指或筆觸摸顯示畫面上的透明的面來(lái)檢測(cè)所接觸 的位置從而能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)輸入的輸入裝置的組成部分，能夠通過按鍵輸入來(lái)進(jìn)行直接且直 觀的輸入。因此，近年來(lái)，W便攜式電話機(jī)、便攜式信息終端、車載導(dǎo)航系統(tǒng)為代表，觸控面 板多用于各種電子設(shè)備的操作部。
[0003] 觸控面板作為輸入裝置可W貼合在液晶面板等平面顯示裝置的顯示畫面上而使 用。觸控面板的檢測(cè)方式有電阻式、電容式、超聲波式、光學(xué)式等多種，觸控面板的結(jié)構(gòu)多種 多樣。
[0004] 近年來(lái)，在液晶顯示裝置中，優(yōu)選使用平面轉(zhuǎn)換（IPS,InPlaneSwitching)方式。 所謂IPS方式是沿相對(duì)于基板平行的方向?qū)σ壕Х肿舆M(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的方式。并不限定于 IPS方式，在液晶顯示裝置中，液晶分子存在如下問題：相對(duì)于靜電等干擾電場(chǎng)，液晶分子 的方向會(huì)變得不穩(wěn)定。
[0005] 如圖9所示，作為上述問題的對(duì)策，采用在因操作者的手指等接觸而產(chǎn)生靜電的 彩色濾光片側(cè)的基板（也稱為CF基板）21的一面（背面，在圖9中為上表面）設(shè)置透明導(dǎo) 電膜4W作為靜電放電對(duì)策的結(jié)構(gòu)（圖9)。其中，符號(hào)5表示彩色濾光片層。符號(hào)6表示 粘結(jié)層。符號(hào)71表示TFT側(cè)的基板（也稱為TFT基板）。符號(hào)8表示TFT元件。作為基板 (CF基板）21及基板（TFT基板）71，通常多采用由玻璃構(gòu)成的透明基板。
[0006] 此外，在稱為化-Cell的觸控面板的n-Cell型觸控面板）中，同樣在彩色濾光片 側(cè)的基板（CF基板）21的背面配置透明導(dǎo)電膜4作為傳感器電極。
[0007] 在CF基板21的一面設(shè)置透明導(dǎo)電膜4而成的結(jié)構(gòu)體W往W來(lái)作為透明導(dǎo)電性基 板而公知，即使在除觸控面板之外的領(lǐng)域，例如太陽(yáng)能電池或各種顯示裝置等，也被廣泛使 用。
[000引對(duì)于上述結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電膜4,要求用W保持良好可見性的"高透射率及用W具備良好靈敏度的"低電阻"運(yùn)兩種特性。作為達(dá)到運(yùn)種特性的手段，目前例如使用通過 瓣射法對(duì)由IT0構(gòu)成的祀進(jìn)行成膜的工藝。
[0009] 對(duì)于使用液晶顯示裝置的觸控面板，在大型化的同時(shí)，為了謀求各公司的差別化 還經(jīng)常要求輕量化和薄型化。例如，研究出專利文獻(xiàn)1所公開的方法，即：在將彩色濾光片 (C巧基板與TFT基板貼合之后，使用W氨氣酸為主要成分的溶液，化學(xué)性地去除CF基板21 和TFT基板71的外表面，由此實(shí)施薄化處理（進(jìn)行基板的薄板化的處理）SP，得到經(jīng)過薄板 化的CF基板2和TFT基板9 (圖10)。
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利公開2014-071734號(hào)公報(bào)
[0011] 然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，存在如下問題：若通過瓣射法在如圖10所示的實(shí)施了薄化 處理的被處理面X形成透明導(dǎo)電膜4,則無(wú)法獲得所期望的電阻值。
[0012] 該問題被認(rèn)為是因?yàn)榘睔馑嶂邪臍馀c玻璃基板的主要成分Si或者微量含有 的Mg、A1等雜質(zhì)金屬結(jié)合，存在于玻璃基板的最表面，由于在玻璃基板的最表面存在氣化 合物，因此透明導(dǎo)電膜的膜品質(zhì)劣化，導(dǎo)致電特性的下降。
[0013] 進(jìn)一步地，認(rèn)為膜品質(zhì)差的透明導(dǎo)電膜由于會(huì)在膜中存在多處缺陷，因此也會(huì)對(duì) 透射率帶來(lái)惡劣影響。
[0014] 作為對(duì)策，有時(shí)也使用在薄化處理后通過堿洗來(lái)去除氣的方法，但由于因工序增 加而使成本增大，因此不優(yōu)選。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的在于提供一種在玻璃基板的實(shí)施了薄化處 理的被處理面上配備具有所期望的電阻值的透明導(dǎo)電膜而成的透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo) 電性基板的制造方法及觸控面板。
[0016] 本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板是在透明基板的實(shí)施了薄化處理的 一面?zhèn)扰鋫渫该鲗?dǎo)電膜而成的透明導(dǎo)電性基板，其中，W介于所述透明基板的一面與所述 透明導(dǎo)電膜之間的方式，配置有含娃的氧化膜。
[0017] 此外，本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板中，所述透明基板由玻璃構(gòu)成， 所述透明導(dǎo)電膜為IT0。
[0018] 此外，本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板中，所述氧化膜的膜厚[爲(wèi)]為10 W上且500W下，所述透明導(dǎo)電膜的膜厚^^為10W上且500W下。
[0019] 此外，本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板中，所述透明導(dǎo)電膜的方塊電 阻[Ω/ □]為 2000W下。
[0020] 此外，本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板中，所述氧化膜在浸潰于氨氣 酸時(shí)的蝕刻速度[i/se詞為25W下。
[0021] 本發(fā)明的第二方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板的制造方法是在透明基板上依次重 疊氧化膜和透明導(dǎo)電膜而成的透明導(dǎo)電性基板的制造方法，包括：使用在一面實(shí)施了薄化 處理的玻璃作為所述透明基板，通過瓣射法在該透明基板的一面上形成含娃的薄膜作為所 述氧化膜的工序；W及W覆蓋所述氧化膜的方式，通過瓣射法形成所述透明導(dǎo)電膜的工序。
[0022] 本發(fā)明的第Ξ方式所設(shè)及的觸控面板是包括第一方式或第二方式所設(shè)及的透明 導(dǎo)電性基板的觸控面板，其中，構(gòu)成所述透明導(dǎo)電性基板的透明基板作為彩色濾光片基板 發(fā)揮功能，并且，構(gòu)成所述透明導(dǎo)電性基板的透明導(dǎo)電膜在層疊結(jié)構(gòu)體中位于外側(cè)，所述層 疊結(jié)構(gòu)體是在所述彩色濾光片基板上重疊TFT基板而成。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的第一方式，通過采用W介于透明基板的實(shí)施了薄化處理的一面與在 透明基板的一面上設(shè)置的透明導(dǎo)電膜之間的方式配置含娃的氧化膜的結(jié)構(gòu)，從而能夠提供 一種配備了具有所期望的電阻值的透明導(dǎo)電膜的透明導(dǎo)電性基板。特別地，本發(fā)明的第一 方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板僅通過控制氧化膜的膜厚，就能夠配備除了所期望的電阻值 之外還具有所期望的透射率的透明導(dǎo)電膜。
[0024] 為了制造本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板，只需在對(duì)透明基板形成透 明導(dǎo)電膜的工序之前執(zhí)行形成由含娃的薄膜構(gòu)成的氧化膜的工序即可。設(shè)置氧化膜的工序 未必需要與形成透明導(dǎo)電膜的工序連續(xù)。僅通過有效利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線，投入已形成氧化 膜的透明基板，就能夠廉價(jià)地制造出本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板。此外，根 據(jù)本發(fā)明的第二方式，能夠獲得除了透明導(dǎo)電膜的電阻值之外對(duì)于透射率也能夠控制為所 期望的數(shù)值的透明導(dǎo)電性基板的制造方法。
[0025] 本發(fā)明的第Ξ方式所設(shè)及的觸控面板由于裝載有上述的透明導(dǎo)電性基板作為彩 色濾光片基板，因此能夠W具有與產(chǎn)品規(guī)格一致的所期望的電阻值和透射率的透明導(dǎo)電膜 在層疊結(jié)構(gòu)體中位于外側(cè)的方式配置，所述層疊結(jié)構(gòu)體是在彩色濾光片基板上重疊TFT基 板而成。由此，本發(fā)明的第Ξ方式能夠?qū)μ峁┰诹己玫撵`敏度的同時(shí)還保持良好的可見性 的觸控面板做出貢獻(xiàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0026] 圖1是示出本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo)電性基板的制 造方法的一例的示意剖視圖。
[0027] 圖2是示出本發(fā)明的第Ξ方式所設(shè)及的觸控面板和觸控面板的制造方法的一例 的示意剖視圖。
[0028] 圖3是示出形成氧化膜和透明導(dǎo)電膜的制造裝置的一例的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0029] 圖4是在圖3的制造裝置中示出成膜室的主要部分的一例的剖視圖。
[0030] 圖5是示出形成氧化膜和透明導(dǎo)電膜的制造裝置的另一例的概要結(jié)構(gòu)圖。
[003。 圖6是示出氧化膜的膜厚與透明導(dǎo)電膜（200A)的電阻值之間關(guān)系的圖表。
[0032] 圖7是示出氧化膜的膜厚與透明導(dǎo)電膜（5()A)的電阻值之間關(guān)系的圖表。
[003引圖8是示出氧化膜的蝕刻速度與透明導(dǎo)電膜（2巧0心)的電阻值之間關(guān)系的圖表。 [0034] 圖9是示出現(xiàn)有的觸控面板和觸控面板的制造方法的一例的示意剖視圖。
[003引圖10為圖9的變形例，是示出施加了薄化處理后的一例的示意剖視圖。
[003引符號(hào)說(shuō)明
[0037] 1透明導(dǎo)電性基板（彩色濾光片基板），2透明基板，3含娃的氧化膜，4透明導(dǎo)電 膜，5彩色濾光片層，6粘結(jié)層，7透明基板，8器件層，9TFT基板，TP觸控面板。
【具體實(shí)施方式】
[003引下面，根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo)電性基板 的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0039] 圖1是示出本實(shí)施方式中的透明導(dǎo)電性基板和透明導(dǎo)電性基板的制造方法的示 意剖