視圖。圖2是示出配備圖1所示的透明導(dǎo)電性基板來(lái)作為彩色濾光片基板（CF基板） 的、本實(shí)施方式中的觸控面板和觸控面板的制造方法的示意剖視圖。
[0040] 本實(shí)施方式中的透明導(dǎo)電性基板如圖1所示，是使用實(shí)施了薄化處理的透明基板 2(Slas，Slafterslimming),在透明基板2的實(shí)施了薄化處理的一面X側(cè)配備透明導(dǎo)電膜 4(透明導(dǎo)電層燈化，transparentconductivelayer))而成的透明導(dǎo)電性基板。而且，W介于透明基板2(Slas)的一面X與透明導(dǎo)電膜4(TCL)之間的方式，配置有含娃的氧化膜 3 (中間層（IL，intermediatelayer))。
[00川圖2的觸控面板TP(touchpaneU是將由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的透明導(dǎo)電性基板la(l) 用作彩色濾光片基板（CFsub，colorfiltersubstrate)的結(jié)構(gòu)例。
[004引在圖2的觸控面板TP中，構(gòu)成透明導(dǎo)電性基板la(l)的透明基板2(Slas)作為彩 色濾光片基板發(fā)揮功能。而且，構(gòu)成透明導(dǎo)電性基板la(l)的透明導(dǎo)電膜4(TCL)W在層疊 結(jié)構(gòu)體即觸控面板TP中位于外側(cè)（因操作者的手指等接觸而產(chǎn)生靜電的彩色濾光片基板 的背面（在圖2中為上表面））的方式構(gòu)成，所述層疊結(jié)構(gòu)體是在彩色濾光片基板（CFsub) 上重疊TFT基板燈FTsub)而成。
[0043] 圖1的結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電膜4(TCL)均非W相對(duì)于透明基板2(Slas)的實(shí)施了薄 化處理的一面X直接相接的方式設(shè)置，而是W含娃的氧化膜3介于透明導(dǎo)電膜4與該一面 X之間的方式配置。
[0044] 含娃的氧化膜3會(huì)阻斷實(shí)施了薄化處理的一面X對(duì)透明導(dǎo)電膜4的影響。因此， 透明導(dǎo)電膜4不會(huì)受到透明基板2經(jīng)過(guò)薄化處理的影響，能夠具有所期望的電阻值（電阻 率）。如后所述，僅通過(guò)調(diào)整氧化膜3的膜厚（在1單位下為10W上且500W下的范圍）， 就能夠控制所期望的電阻值。隨著氧化膜3的膜厚增加，透明導(dǎo)電膜4的電阻值表現(xiàn)出下 降的趨勢(shì)。
[004引上述的透明導(dǎo)電膜4的電阻值的下降趨勢(shì)在透明導(dǎo)電膜4的膜厚[A]為50W上且 200W下的范圍內(nèi)也同樣，透明導(dǎo)電膜4的膜厚越薄，電阻值下降的范圍越大。也就是說(shuō)，氧 化膜3的膜厚和透明導(dǎo)電膜4的膜厚的調(diào)整能夠控制透明導(dǎo)電膜4的電阻值（電阻率）。 特別地，如后所述，通過(guò)將氧化膜3的膜厚[甚]設(shè)為400,即使是實(shí)施了薄化處理的基板，也 能夠使透明導(dǎo)電膜4的電阻值（電阻率）成為與現(xiàn)有（無(wú)薄化處理的基板）相同水平的數(shù) 值。
[0046] 此外，圖1的結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電膜4的透射率[%]在透明導(dǎo)電膜4的膜厚為 200[A]慚情況下具有94W上且96W下運(yùn)樣極高的數(shù)值，并且在膜厚50[A]的情況下具有 99W上運(yùn)樣極高的數(shù)值。也就是說(shuō)，透明導(dǎo)電性基板la(1)僅通過(guò)控制氧化膜3的膜厚，就 能夠配備除了所期望的電阻值之外還具有所期望的透射率的透明導(dǎo)電膜4。特別地，在要求 高透射率的情況下，可W將透明導(dǎo)電膜4的膜厚設(shè)計(jì)得較薄。
[0047] 在圖1的結(jié)構(gòu)中，將透明導(dǎo)電膜4的膜厚[A]設(shè)為5〇、將氧化膜3的膜厚說(shuō)設(shè)為 10~400時(shí)，透明導(dǎo)電膜4的電阻值（方塊電阻[Ω/ □])可W控制在3190~1215的范 圍內(nèi)。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一方式所設(shè)及的一實(shí)施方式，即使是實(shí)施了薄化處理的基板， 也能夠滿足例如透明導(dǎo)電膜4的透射率[% ]為99W上且方塊電阻[Ω/ □]為2000W下 運(yùn)樣的規(guī)格。
[004引圖1的結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電膜4的電阻值（方塊電阻[Ω/ □])依賴于氧化膜3的 蝕刻速度。氧化膜3的蝕刻速度是反映氧化膜3的膜密度的指標(biāo)。如后所述，隨著氧化膜的 蝕刻速度減小，W覆蓋氧化膜的方式形成的透明導(dǎo)電膜的方塊電阻值表現(xiàn)出減少的趨勢(shì)。 特別地，通過(guò)在蝕刻速度為25[A/s]W下的氧化膜3上形成透明導(dǎo)電膜4,透明導(dǎo)電膜的電 阻值（方塊電阻）能夠設(shè)為比現(xiàn)有（無(wú)薄化處理的基板）水平低的數(shù)值。
[0049] W下，對(duì)上述的透明導(dǎo)電性基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0050] 如圖1所示，本發(fā)明的第二方式所設(shè)及的一實(shí)施方式是在透明基板2上依次重疊 氧化膜和透明導(dǎo)電膜4而成的透明導(dǎo)電性基板的制造方法。本發(fā)明的第二方式所設(shè)及的一 實(shí)施方式使用在一面（在圖1中為上表面）實(shí)施了薄化處理（SP，slimmingprocess)的玻 璃作為透明基板2。而且，本發(fā)明的第二方式所設(shè)及的一實(shí)施方式包括：通過(guò)瓣射法在該經(jīng) 過(guò)薄化處理的一面X上形成含娃的薄膜作為所述氧化膜3的工序；和W覆蓋所述氧化膜3 的方式，通過(guò)瓣射法形成所述透明導(dǎo)電膜4的工序。
[0051]作為透明基板21，優(yōu)選例如使用無(wú)堿玻璃基板。但無(wú)需是玻璃單體，也可W是設(shè)為 如下結(jié)構(gòu)的基板，即，進(jìn)行薄化處理的一面由玻璃構(gòu)成。
[0052] 對(duì)透明基板21的薄化處理是使用W氨氣酸為主要成分的溶液來(lái)使透明基板21的 厚度減少的處理。通過(guò)薄化處理，能夠得到在薄板化的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)輕量化的透明基板2。
[0053] 在將實(shí)施了薄化處理的透明基板2適當(dāng)清洗之后，使用如圖3所示的成膜裝置，通 過(guò)瓣射法在透明基板2的實(shí)施了薄化處理的一面X上層疊形成氧化膜3和透明導(dǎo)電膜4。
[0054] 在氧化膜3的成膜中，例如使用由Si構(gòu)成的祀和由Ar氣及〇2氣構(gòu)成的工藝氣體。 在透明導(dǎo)電膜4的成膜中，例如使用由IT0構(gòu)成的祀和由Ar氣及〇2氣構(gòu)成的工藝氣體。 [005引如果采用使氧化膜3和透明導(dǎo)電膜4連續(xù)成膜的方法，則使制造效率提高，對(duì)制造 成本的抑制有效。然而，在氧化膜3的成膜氣氛中包含的氧流出到透明導(dǎo)電膜4的成膜氣 氛中并被混入到透明導(dǎo)電膜4之中的情況下，制作出的透明導(dǎo)電膜4的組成會(huì)偏離規(guī)定的 組成（導(dǎo)致不同），由此，電特性及光學(xué)特性可能會(huì)下降或者變得不穩(wěn)定。
[0056] 為了避免上述的連續(xù)成膜中的問(wèn)題并且穩(wěn)定地獲得本發(fā)明的第二方式的效果 (在透明基板2的實(shí)施了薄化處理的一面X上層疊氧化膜3和透明導(dǎo)電膜4的效果），本發(fā) 明人使用了圖3所示的瓣射裝置（制造裝置）。
[0057] (瓣射裝置）
[0058] 圖3是示出在本發(fā)明的第二方式所設(shè)及的氧化膜和透明導(dǎo)電膜的制造方法中使 用的瓣射裝置（制造裝置）的一例的概要結(jié)構(gòu)圖。此外，圖4是示出瓣射裝置的成膜室的 主要部分的剖視圖。
[0059] 瓣射裝置10是往復(fù)式（^シ《一八ッ夕式）的瓣射裝置。瓣射裝置10例如至少 具備：裝入取出室化/UL) 11，用于將實(shí)施了薄化處理的由玻璃構(gòu)成的基板2W及裝載有該 基板2的托盤(pán)18搬入和搬出；加熱室（H) 12,用于對(duì)基板2進(jìn)行熱處理；成膜室（S1) 13,用 于通過(guò)瓣射法在從加熱室12搬出的熱處理后的基板2上形成含娃的氧化膜3 ;W及成膜室 (S2) 14,用于通過(guò)瓣射法在從成膜室（S1) 13供給的基板2上形成透明導(dǎo)電膜4。
[0060] 在裝入取出室11中，W能夠移動(dòng)的方式配置有托盤(pán)18。托盤(pán)18將板狀的基板2 W縱向（W使形成基板2的板厚的面成鉛直方向的方式支撐基板2,后面的加熱及成膜處理 等針對(duì)基板2的主面來(lái)進(jìn)行的形式）保持并運(yùn)送。
[0061] 在加熱室12中，W縱向設(shè)置有用于加熱基板2的加熱器19。圖3是與基板2的兩 個(gè)面相對(duì)置而分別設(shè)置的例子，也可W僅設(shè)置單面?zhèn)取?br>[0062] 在裝入取出室11，設(shè)置有將裝入取出室11的室內(nèi)粗抽真空的旋轉(zhuǎn)累等粗抽排氣 裝置IIP。
[0063] 在成膜室13的內(nèi)部，在一個(gè)側(cè)面13a，w縱向設(shè)置有溫度調(diào)整裝置31，該溫度調(diào)整 裝置31用于根據(jù)需要來(lái)調(diào)整基板2的溫度。此外，在成膜室13內(nèi)部的另一個(gè)側(cè)面13b，W 縱向設(shè)置有瓣射陰極機(jī)構(gòu)33,該瓣射陰極機(jī)構(gòu)33保持Si材料的祀32并施加所期望的瓣射 電壓。此外，在成膜室13的外部，配置有向瓣射陰極機(jī)構(gòu)33供給瓣射電壓的電源34。
[0064] 此外，在成膜室13,設(shè)置有將成膜室13的室內(nèi)抽成高真空的滿輪分子累等高真空 排氣裝置13P。此外，在成膜室13,設(shè)置有向成膜室13的室內(nèi)導(dǎo)入工藝氣體的氣體導(dǎo)入裝 置35。
[0065] 氣體導(dǎo)入裝置35連接到能夠?qū)敫鞣N氣體的端口（未圖示）。
[0066] 在成膜室14的內(nèi)部，在一個(gè)側(cè)面14a，W縱向設(shè)置有溫度調(diào)整裝置41，該溫度調(diào)整 裝置41用于根據(jù)需要來(lái)調(diào)整基板2的溫度。此外，在成膜室14內(nèi)部的另一個(gè)側(cè)面14b，W 縱向設(shè)置有瓣射陰極機(jī)構(gòu)43,該瓣射陰極機(jī)構(gòu)43保持IT0材料的祀42并施加所期望的瓣 射電壓。此外，在成膜室14的外部，配置有向瓣射陰極機(jī)構(gòu)43供給瓣射電壓的電源44。
[0067] 此外，在成膜室14,設(shè)置有將成膜室14的室內(nèi)抽成高真空的滿輪分子累等高真空 排氣裝置14P。此外，在成膜室14,設(shè)置有向成膜室14的室內(nèi)導(dǎo)入工藝氣體的氣體導(dǎo)入裝 置45。
[0068] 氣