制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法及其觸控顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，特別涉及一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法與具有該納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的觸控顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]觸控面板(touch panel)或觸控屏幕(touch screen)逐漸普遍應(yīng)用于電子裝置中，特別是可攜式或手持式電子裝置，例如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)或行動(dòng)電話。在許多觸控面板中，氧化銦錫(indium tin oxide ；ΙΤ0)仍為主要的透明導(dǎo)電材料。無(wú)論是因?yàn)镮TO導(dǎo)電薄膜有缺點(diǎn)(例如質(zhì)脆、不可撓性)或是想降低成本，尋求ITO導(dǎo)電薄膜的替代材料一直是觸控產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展項(xiàng)目之一。納米級(jí)導(dǎo)電薄膜，例如納米銀(silver nanowire ;SNW)透明導(dǎo)電薄膜，因具備優(yōu)異的導(dǎo)電性與光學(xué)穿透率且深具成本上的優(yōu)勢(shì)，遂成為取代ITO導(dǎo)電薄膜的選項(xiàng)之一。
[0003]在某些現(xiàn)有的制造方法中，是使用濕蝕刻來(lái)界定納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性。納米銀透明導(dǎo)電薄膜具有一保護(hù)層，用以固定納米銀涂層于基板上，并且保護(hù)納米銀涂層使其不易于與空氣中的環(huán)境分子發(fā)生氧化或硫化。然而也因保護(hù)層的原因，使蝕刻液與納米銀接觸的可能明顯降低，從而造成蝕刻不均、蝕刻困難及蝕刻前后霧度變化過(guò)大等情形。另外，蝕刻制造方法后，因蝕刻液有殘留于材料之中的可能，會(huì)造成后續(xù)納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電性持續(xù)性的損耗。
[0004]此外，在某些現(xiàn)有的制造方法中是以干蝕刻來(lái)界定納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性，例如在真空條件下以粒子撞擊來(lái)蝕刻納米銀透明導(dǎo)電薄膜。然而這些干蝕刻制造方法無(wú)法有效保留保護(hù)層，使納米銀透明導(dǎo)電薄膜的電氣特性蒙受較大的風(fēng)險(xiǎn)。
[0005]經(jīng)上述說(shuō)明可知，如何有效改變納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并同時(shí)維持其光學(xué)穿透率或霧度等光學(xué)特性，是本領(lǐng)域技術(shù)人員所需探討的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，能達(dá)到有效的蝕刻效果以界定出納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并且有效降低保護(hù)層的損耗而維持納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供另一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種觸控顯示裝置。
[0009]為達(dá)到上述的發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為提供一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，包括:提供一納米基材，該納米基材具有一基板、位于該基板的一側(cè)的一第一保護(hù)層以及疊層于該基板與該第一保護(hù)層之間的一第一納米材料層；形成一第一圖案化絕緣層于該第一保護(hù)層上，該第一圖案化絕緣層暴露出部分該第一保護(hù)層，該第一納米材料層劃分為由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第一區(qū)域以及未由該第一圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第二區(qū)域；以及在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中以該第一圖案化絕緣層為罩幕蝕刻該納米基材，使該第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0011]本發(fā)明的實(shí)施例中，其中蝕刻具有該第一圖案化絕緣層的納米基材包括通入空氣、氮?dú)饣蚱浣M合以作為反應(yīng)氣體。
[0012]本發(fā)明的實(shí)施例中，該電流產(chǎn)生系統(tǒng)包括一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)與一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)兩者之一。
[0013]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一納米材料層包括納米銀線。
[0014]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與該第一納米材料層相匹配的材料。
[0015]本發(fā)明的實(shí)施例中，該納米基材還具有位于該基板的另一側(cè)的一第二保護(hù)層以及疊層于該基板與該第二保護(hù)層之間的一第二納米材料層，該方法還包括:形成一第二圖案化絕緣層于該第二保護(hù)層上，該第二圖案化絕緣層暴露出部分該第二保護(hù)層，該第二納米材料層劃分為由該第二圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第一區(qū)域以及未由該第二圖案化絕緣層所遮罩的多個(gè)第二區(qū)域；以及在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)中蝕刻具有該第二圖案化絕緣層的納米基材，使該第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0016]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0017]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種制作納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的方法，包括:提供一納米基材，該納米基材具有一基板、位于該基板的一側(cè)的一第一保護(hù)層以及疊層于該基板與該第一保護(hù)層之間的一第一納米材料層，該第一納米材料層劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域；以及在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，蝕刻該納米基材中該第一納米材料層的所述第二區(qū)域，使該第一納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0018]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0019]本發(fā)明的實(shí)施例中，其中蝕刻該納米基材包括通入空氣、氮?dú)饣蚱浣M合以作為反應(yīng)氣體。
[0020]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一納米材料層包括納米銀線。
[0021]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一圖案化絕緣層包括光學(xué)特性與該第一納米材料層相匹配的材料。
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例中，該納米基材還具有位于該基板的另一側(cè)的一第二保護(hù)層以及疊層于該基板與該第二保護(hù)層之間的一第二納米材料層，該第二納米材料層劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域，該方法還包括:在一噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，依據(jù)該第二納米材料層的所述第二區(qū)域蝕刻該納米基材，使該第二納米材料層中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。
[0023]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第二納米材料層中所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0024]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種觸控顯示裝置，包括:一透明基板，具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面與該第二表面位于該透明基板的相反側(cè)；一顯示模塊，位于該透明基板的第一表面?zhèn)?；以及一第一感測(cè)電極層，位于該透明基板與該顯示模塊之間，該第一感測(cè)電極層包括一第一納米材料層，該第一納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0025]本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一感測(cè)電極層設(shè)置于該透明基板的第一表面上，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括一第一承載板，用以承載該第一感測(cè)電極層于該透明基板與該顯示模塊之間，且所述第一區(qū)域包括間隔排列的第一感測(cè)電極與第二感測(cè)電極。
[0027]在本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括一第一承載板與一第二感測(cè)電極層，該第一承載板位于該透明基板與該顯TJK模塊之間，其中該第一感測(cè)電極層設(shè)置于該第一承載板的一第一表面上，該第二感測(cè)電極層設(shè)置于該第一承載板的一第二表面上，該第一表面與該第二表面位于該第一承載板的相反側(cè)。
[0028]在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第二感測(cè)電極層包括一第二納米材料層，該第二納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且該第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0029]在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測(cè)電極，而該第二感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測(cè)電極。
[0030]在本發(fā)明的實(shí)施例中，還包括一第一承載板與一第二感測(cè)電極層，該第一承載板位于該透明基板與該顯示模塊之間，其中該第一感測(cè)電極層設(shè)置于該透明基板的第一表面上，該第二感測(cè)電極層位于該第一感測(cè)電極層與該第一承載板之間且設(shè)置于該第一承載板上。
[0031]在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第二感測(cè)電極層包括一第二納米材料層，該第二納米材料層具有多個(gè)第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，且該第二納米材料層的所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域間的霧度值之差不大于0.1%。
[0032]在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第一方向排列的第一感測(cè)電極，而該第二感測(cè)電極層的所述第一區(qū)域包括沿一第二方向排列的第二感測(cè)電極。
[0033]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明能達(dá)到有效的蝕刻效果以界定出納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的電氣特性，并且有效降低保護(hù)層的損耗而維持納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的光學(xué)特性。另外，本發(fā)明的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的制作方法與某些現(xiàn)有的制造方法相比較，可大幅縮短制造方法時(shí)間。另外，依本發(fā)明的制作方法所制備的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜因蝕刻處理前后光學(xué)表現(xiàn)無(wú)明顯改變，具有較高的潛力將線路隱藏而提升光學(xué)品味。
[0034]本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，在不背離所附的權(quán)利要求書(shū)所列的權(quán)利范圍所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多元件可以不同的結(jié)構(gòu)實(shí)施或以其它相