電電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，在電極16作用下沿一預(yù)定方向(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12。然而在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，是在一電弧噴射式(arc jet)電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用一噴頭17沿一預(yù)定路徑(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12。
[0110]請(qǐng)參照?qǐng)D2D，將第一圖案化絕緣層14予以移除而達(dá)成一納米級(jí)導(dǎo)電薄膜20。然而在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由于第一圖案化絕緣層14包括光學(xué)特性與第一納米材料層12相匹配的材料，因此無(wú)需移除第一圖案化絕緣層14，如此可降低該移除過(guò)程所可能傷害第一保護(hù)層13的風(fēng)險(xiǎn)。納米級(jí)導(dǎo)電薄膜20的第一納米材料層12劃分為多個(gè)第一區(qū)域121以及多個(gè)第二區(qū)域122。第一區(qū)域121在圖2B或圖2C的蝕刻過(guò)程中由第一圖案化絕緣層14所遮罩，而第二區(qū)域122則未由第一圖案化絕緣層14所遮罩，使得蝕刻后第一納米材料層12中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。
[0111]圖3A?3D所示為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，本實(shí)施例的制作方法是先提供一納米基材28。納米基材28具有一基板
11、位于基板11的一側(cè)的一第一保護(hù)層13、疊層于基板11與第一保護(hù)層13之間的一第一納米材料層12、位于基板11的另一側(cè)的一第二保護(hù)層23以及疊層于基板11與第二保護(hù)層23之間的一第二納米材料層22。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二保護(hù)層23與第二納米材料層22的材料與結(jié)構(gòu)分別相同于或類(lèi)似于第一保護(hù)層13與第一納米材料層12，在此不另贅敘。
[0112]其后，在納米基材28的第一保護(hù)層13與第二保護(hù)層23上例如以涂布方式形成一絕緣層，并通過(guò)印刷、顯影、轉(zhuǎn)印以分別形成第一圖案化絕緣層14于第一保護(hù)層13上以及一第二圖案化絕緣層24于第二保護(hù)層23上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二圖案化絕緣層24的材料與光學(xué)特性相同于或類(lèi)似于第一圖案化絕緣層14，在此不另贅敘。
[0113]請(qǐng)參照?qǐng)D3B，在一電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻第一納米材料層12，并同時(shí)在另一電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，例如一介電質(zhì)放電電流產(chǎn)生系統(tǒng)，以第二圖案化絕緣層24為罩幕予以蝕刻第二納米材料層22。在本實(shí)施例中，是在電極16與26作用下沿一預(yù)定方向(如箭頭所示)分別蝕刻第一納米材料層12與第二納米材料層
22。在某些實(shí)施例中，電極16與26的移動(dòng)方向也可以不同或不相應(yīng)。
[0114]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，是在電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中,在電極16作用下以第一圖案化絕緣層14為罩幕先予以蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電流產(chǎn)生系統(tǒng)15中，在電極16作用下以第二圖案化絕緣層24為罩幕予以蝕刻第二納米材料層22。
[0115]同理，亦可在電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，在電極26作用下以第二圖案化絕緣層24為罩幕先予以蝕刻第二納米材料層22，之后在相同的電流產(chǎn)生系統(tǒng)25中，在電極26作用下以第一圖案化絕緣層14為罩幕予以蝕刻第一納米材料層12。
[0116]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，請(qǐng)參照?qǐng)D3C，是在一電弧噴射式(arcjet)電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑(如箭頭所示)蝕刻第一納米材料層12，并同時(shí)在另一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕，利用噴頭27沿一預(yù)定路徑蝕刻第二納米材料層22。
[0117]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，是在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑先蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕，利用噴頭17沿一預(yù)定路徑蝕刻第二納米材料層22。
[0118]同理，亦可在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第二圖案化絕緣層24為罩幕,利用噴頭27沿一預(yù)定路徑先蝕刻第二納米材料層22，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，以第一圖案化絕緣層14為罩幕，利用噴頭27沿一預(yù)定路徑蝕刻第一納米材料層12。在某些實(shí)施例中，噴頭17與27的移動(dòng)方向也可以不相同或不相應(yīng)。
[0119]請(qǐng)參照?qǐng)D3D，將第一圖案化絕緣層14以及第二圖案化絕緣層24予以移除而達(dá)成一納米級(jí)導(dǎo)電薄膜30。然而在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由于第一圖案化絕緣層14與第二圖案化絕緣層24包括光學(xué)特性分別與第一納米材料層12與第二納米材料層22相匹配的材料，因此無(wú)需移除第一圖案化絕緣層14與第二圖案化絕緣層24，如此可降低該移除過(guò)程所可能傷害第一保護(hù)層13及第二保護(hù)層23的風(fēng)險(xiǎn)。
[0120]納米級(jí)導(dǎo)電薄膜30的第一納米材料層12劃分為多個(gè)第一區(qū)域121以及多個(gè)第二區(qū)域122。第一區(qū)域121在圖3B或圖3C的蝕刻過(guò)程中由第一圖案化絕緣層14所遮罩，而第二區(qū)域122則未由第一圖案化絕緣層14所遮罩，使得蝕刻后第一納米材料層12中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。另外，納米級(jí)導(dǎo)電薄膜30的第二納米材料層22劃分為多個(gè)第一區(qū)域221以及多個(gè)第二區(qū)域222。第一區(qū)域221在圖3B或圖3C的蝕刻過(guò)程中由第二圖案化絕緣層24所遮罩，而第二區(qū)域222則未由第二圖案化絕緣層24所遮罩，使得蝕刻后第二納米材料層22中所述第一區(qū)域221之間以所述第二區(qū)域222電性隔離。
[0121]在某些實(shí)施例中，第二圖案化絕緣層24的圖樣可不同于第一圖案化絕緣層14，舉例來(lái)說(shuō)，第二圖案化絕緣層24的每一條絕緣塊以第一方向(例如X方向)排列，而第一圖案化絕緣層14的每一條絕緣塊以第二方向(例如Y方向)排列，但不限于此。經(jīng)如圖3B或3D蝕刻之后，可在基板11的兩個(gè)相異的表面形成不同方向的觸控感測(cè)電極。
[0122]圖4A與4B所示為根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4A，本實(shí)施例的制作方法僅提供一納米基材10而不在納米基材10上形成絕緣層。納米基材10的第一納米材料層12可預(yù)先劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域是欲保留導(dǎo)電性的區(qū)域，而所述第二區(qū)域是欲使其導(dǎo)電性喪失的區(qū)域。此夕卜，所述第二區(qū)域可界定出一蝕刻路徑(如箭頭所示)。
[0123]其后，在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17蝕刻納米基材10中第一納米材料層12的所述第二區(qū)域，使第一納米材料層12中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，是按照所述第二區(qū)域所界定出路徑來(lái)蝕刻納米基材10。
[0124]請(qǐng)參照?qǐng)D4B，納米基材10經(jīng)蝕刻后形成一納米級(jí)導(dǎo)電薄膜40。納米級(jí)導(dǎo)電薄膜40的第一納米材料層12包括多個(gè)第一區(qū)域121以及多個(gè)第二區(qū)域122，其中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。
[0125]圖5A與5B所示為根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的納米級(jí)導(dǎo)電薄膜的制作方法示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5A，本實(shí)施例的制作方法僅提供一納米基材28而不在納米基材28上形成絕緣層。納米基材28的第一納米材料層12與第二納米材料層22可各自預(yù)先劃分為多個(gè)第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域是欲保留導(dǎo)電性的區(qū)域，而所述第二區(qū)域是欲使其導(dǎo)電性喪失的區(qū)域。此外，所述第二區(qū)域可界定出一蝕刻路徑(如箭頭所示)。
[0126]其后，在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17蝕刻納米基材28中第一納米材料層12的所述第二區(qū)域，使第一納米材料層12中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離，并同時(shí)在另一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27蝕刻納米基材28中第二納米材料層22的所述第二區(qū)域，使第二納米材料層22中所述第一區(qū)域之間以所述第二區(qū)域電性隔離。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，是按照所述第二區(qū)域所界定出的路徑來(lái)蝕刻納米基材28。
[0127]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，是在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17沿著與第一納米材料層12相關(guān)的蝕刻路徑先蝕刻第一納米材料層12，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭17沿著與第二納米材料層22相關(guān)的蝕刻路徑來(lái)蝕刻第二納米材料層22。
[0128]同理，亦可在一電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27沿著與第二納米材料層22相關(guān)的蝕刻路徑先蝕刻第二納米材料層22，之后在相同的電弧噴射式電流產(chǎn)生系統(tǒng)中，利用噴頭27沿著與第一納米材料層12相關(guān)的蝕刻路徑來(lái)蝕刻第一納米材料層12。相類(lèi)似地，噴頭27與噴頭17的移動(dòng)方向可以不相同或不相應(yīng)，使得圖5B的基板11相異兩側(cè)的觸控感測(cè)電極以不同方向排列。例如第一納米材料層12在第一方向(例如X方向)可導(dǎo)通，但第一納米材料層12在第二方向(例如Y方向)不導(dǎo)通；第二納米材料層22在第一方向(例如X方向)不導(dǎo)通，但第二納米材料層22在第二方向(例如Y方向)可導(dǎo)通。
[0129]請(qǐng)參照?qǐng)D5B，納米基材28經(jīng)蝕刻后形成一納米級(jí)導(dǎo)電薄膜50。納米級(jí)導(dǎo)電薄膜50的第一納米材料層12包括多個(gè)第一區(qū)域121以及多個(gè)第二區(qū)域122，其中所述第一區(qū)域121之間以所述第二區(qū)域122電性隔離。另外，納米級(jí)導(dǎo)電薄膜50的第二納米材料層22包括多個(gè)第一區(qū)域221以及多個(gè)第二區(qū)域222，