特定的順序說明的，但是應該理解的是在所說明的操作之間可執(zhí)行其它操作，所說明的操作可被調(diào)節(jié)，使得它們在稍有不同的時間發(fā)生，或者這些所說明的操作可分布在可使得這些處理操作在與該處理相關(guān)聯(lián)的不同時間間隔中發(fā)生的系統(tǒng)中。
[0047]系統(tǒng)和方法已經(jīng)總體進行了描述，以作為幫助理解本公開的細節(jié)。在一些情況下，已知的結(jié)構(gòu)、材料和/或操作并未具體示出或詳細描述以避免模糊本公開的方面。在其它情況下，為了提供對本公開的詳盡的理解，已經(jīng)給出了特定細節(jié)。一個相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到本公開可以其它的特定形式實施，例如適應特定的系統(tǒng)或設(shè)備或狀況或材料或組件，而不背離其精神或本質(zhì)特征。因此，本文中的揭示內(nèi)容和描述旨在作為示意性的，而非限制本公開的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種雙向總線系統(tǒng)，其特征在于包括: 兩線雙向總線； 總線主機，其被耦接至所述兩線雙向總線； 至少一個從節(jié)點，其被耦接至所述兩線雙向總線，所述至少一個從節(jié)點進一步包括: 第一電流隔離器，其被耦接至從節(jié)點微控制器，其中所述第一電流隔離器將從所述從節(jié)點微控制器接收到的微控制器生成的數(shù)字數(shù)據(jù)發(fā)送至所述兩線雙向總線； 第二電流隔離器，其被耦接至所述從節(jié)點微控制器，其中所述第二電流隔離器從所述兩線雙向總線接收總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)，并將所述總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)發(fā)送至所述從節(jié)點微控制器； 從節(jié)點電源，其被耦接至所述從節(jié)點微控制器并被耦接至所述第二電流隔離器，其中，所述從節(jié)點電源與所述兩線雙向總線電流隔離；以及 電源開關(guān)，其被耦接至所述從節(jié)點電源，所述電源開關(guān)進一步包括: 第一晶體管，其中所述第一晶體管在第一晶體管第一狀態(tài)下將所述從節(jié)點電源耦接至所述從節(jié)點微控制器并耦接至所述第二電流隔離器，并且其中，所述第一晶體管在第一晶體管第二狀態(tài)下將所述從節(jié)點電源與所述從節(jié)點微控制器并與所述第二電流隔離器斷開耦接；以及 電容器，其被連接至所述第一晶體管，其中，當所述電容器充電時，所述電容器使所述第一晶體管保持在所述第一晶體管第二狀態(tài)，并且其中，當所述電容器放電時，所述電容器使所述第一晶體管轉(zhuǎn)變至所述第一晶體管第一狀態(tài)。2.如權(quán)利要求1所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述第一電流隔離器包括第一光隔離器，并且其中，所述第二電流隔離器包括第二光隔離器。3.如權(quán)利要求1或2所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于進一步包括穩(wěn)壓器，其被插在所述從節(jié)點電源和所述從節(jié)點微控制器之間，并被插在所述從節(jié)點電源和所述第二電流隔離器之間。4.如權(quán)利要求3所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述穩(wěn)壓器被插在所述第一晶體管和所述從節(jié)點微控制器之間，并被插在所述第一晶體管和所述第二電流隔離器之間。5.如權(quán)利要求1或2所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述第一晶體管包括P型MOSFET晶體管，其中，所述第一晶體管第一狀態(tài)對應于所述P型MOSFET晶體管偏置成接通，并且其中，所述第一晶體管第二狀態(tài)對應于所述P型MOSFET晶體管關(guān)斷。6.如權(quán)利要求5所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于當所述電容器放電時，所述電容器將所述P型MOSFET晶體管的柵極電壓降低，并且其中，當所述電容器充電時，所述電容器使所述P型MOSFET晶體管的所述柵極電壓升高。7.如權(quán)利要求1或2所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于當所述從節(jié)點電源與所述從節(jié)點微控制器并與所述第二電流隔離器斷開耦接時，通過所述第二電流隔離器接收所述總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)導致所述電容器放電，其中所述電容器放電使所述第一晶體管從所述第一晶體管第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述第一晶體管第一狀態(tài)，從而將所述從節(jié)點電源耦接至所述從節(jié)點微控制器并且耦接至所述第二電流隔離器。8.如權(quán)利要求1所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于進一步包括被連接至所述第二電流隔離器的第二晶體管，其中處于第二晶體管第一狀態(tài)的所述第二晶體管將所述總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)傳送至所述從節(jié)點微控制器，并且其中處于第二晶體管第二狀態(tài)的所述第二晶體管阻止對應于所述第二電流隔離器的集電極節(jié)點的漏電或電負載。9.如權(quán)利要求1所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于進一步包括: 二極管，其被插在所述第二電流隔離器和所述電容器之間，以及 第二晶體管，其中，處于第二晶體管第一狀態(tài)的所述第二晶體管反向偏置所述二極管，使所述電容器保持放電，并且將所述電容器與所述第二電流隔離器的集電極節(jié)點隔離，并且其中，處于所述第二晶體管第二狀態(tài)下的所述第二晶體管使所述電容器充電并且使所述第一晶體管轉(zhuǎn)變至所述第一晶體管第二狀態(tài)。10.如權(quán)利要求8或9所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于當所述第一晶體管從所述第一晶體管第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述第一晶體管第一狀態(tài)時，所述從節(jié)點微控制器被配置成確定是否需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，其中如果所述從節(jié)點微控制器確定需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，則所述從節(jié)點微控制器被配置成激活電源保持命令，其中，激活所述電源保持命令將所述第二晶體管置于所述第二晶體管第一狀態(tài)。11.如權(quán)利要求10所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述從節(jié)點微控制器被配置成，在總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)停止傳輸至所述從節(jié)點微控制器時，解除所述電源保持命令，其中，解除所述電源保持命令使所述第二晶體管從所述第二晶體管第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述第二晶體管第二狀態(tài)。12.如權(quán)利要求8或9所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述第二晶體管包括η型MOSFET晶體管，其中，所述第二晶體管第一狀態(tài)對應于所述η型MOSFET晶體管偏置成接通，且其中，所述第二晶體管第二狀態(tài)對應于所述η型晶體管關(guān)斷。13.如權(quán)利要求12所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于當所述第一晶體管從所述第一晶體管第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述第一晶體管第一狀態(tài)時，所述從節(jié)點微控制器被配置成確定是否需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，其中，如果所述從節(jié)點微控制器確定需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，則所述從節(jié)點微控制器被配置成激活電源保持命令，其中，激活所述電源保持命令將所述η型MOSFET晶體管偏置成接通。14.如權(quán)利要求13所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述從節(jié)點微控制器被配置成，在總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)停止傳輸至所述從節(jié)點微控制器時，解除所述電源保持命令，其中，解除所述電源保持命令使所述η型MOSFET晶體管從所述第二晶體管第一狀態(tài)轉(zhuǎn)變至所述第二晶體管第二狀態(tài)。15.如權(quán)利要求1或2所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述第一晶體管包括P型MOSFET晶體管，其中，所述第一晶體管第一狀態(tài)對應于將所述P型MOSFET晶體管偏置成接通，并且其中所述第一晶體管第二狀態(tài)對應于將所述P型MOSFET晶體管關(guān)斷，所述雙向總線系統(tǒng)進一步包括: 第一 η型MOSFET晶體管，其被連接至所述第二電流隔離器，其中，當所述第一 η型MOSFET晶體管被偏置成接通時，所述第一 η型MOSFET晶體管將所述總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)送至所述從節(jié)點微控制器，并且其中，當所述第一 η型MOSFET斷開時，所述第一 η型MOSFT晶體管阻止對應于所述第二電流隔離器的集電極節(jié)點漏電或電負載； 二極管，其被插在所述第二電流隔離器和所述電容器之間，以及 第二 η型MOSFET晶體管，其中，當所述第二 η型MOSFET晶體管被偏置成接通時，所述第二 η型MOSFET晶體管反向偏置所述二極管、保持所述電容器放電，并且將所述電容器與所述第二電流隔離器的集電極節(jié)點隔離，并且其中，當所述第二 η型MOSFET晶體管關(guān)斷時，所述第二 η型MOSFET晶體管使所述電容器充電并且使所述P型MOSFET晶體管關(guān)斷； 其中，當所述P型MOSFET晶體管初始地偏置成接通時，所述從節(jié)點微控制器被配置成確定是否需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，其中，如果所述從節(jié)點微控制器確定需要所述從節(jié)點繼續(xù)操作，則所述從節(jié)點微控制器被配置成激活電源保持命令，其中，當所述電源保持命令激活時，所述第一和第二 η型MOSFET晶體管偏置成接通。16.如權(quán)利要求15所述的雙向總線系統(tǒng)，其特征在于所述從節(jié)點微控制器被配置成，當總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)停止傳輸至所述從節(jié)點微控制器時，解除所述電源保持命令，其中，當所述從節(jié)點微控制器解除所述電源保持命令時，所述第一和第二 η型MOSFET晶體管關(guān)斷。
【專利摘要】本公開提供了一種雙向總線系統(tǒng)，包括被耦接至兩線雙向總線的總線主機；被耦接至兩線雙向總線的至少一個從節(jié)點，其包括耦接至從節(jié)點微控制器的第一電流隔離器，其將微控制器生成的數(shù)字數(shù)據(jù)發(fā)送至兩線雙向總線；耦接至從節(jié)點微控制器的第二電流隔離器，其從兩線雙向總線接收總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)，并將總線主機數(shù)字數(shù)據(jù)發(fā)送至從節(jié)點微控制器；耦接至從節(jié)點微控制器并耦接至第二電流隔離器的從節(jié)點電源；以及耦接至從節(jié)點電源的電源開關(guān)，其進一步包括第一晶體管和電容器。在本公開中，從節(jié)點中的至少一個被配置成：在總線主機停止在雙向總線上傳輸數(shù)據(jù)時進入睡眠模式中，從而使耗電最小化，且在總線主機開始在雙向總線上傳輸數(shù)據(jù)時喚醒。
【IPC分類】G06F13/40
【公開號】CN204833255
【申請?zhí)枴緾N201520130563
【發(fā)明人】R.J.比斯庫普
【申請人】源捷公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年3月6日
【公告號】US20150254206