本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種快閃存儲器的讀電路。

背景技術(shù)：
隨著消費電子產(chǎn)品市場的發(fā)展，快閃存儲器作為主要的存儲器在手機、數(shù)碼相機等產(chǎn)品中得到了廣泛應用，市場規(guī)模在不斷的擴大?？扉W存儲器在不加電的情況下能夠長期保持存儲的信息，其讀取操作如圖1所示，在存儲單元(ArrayCell)和參考單元(RefCell)的柵極上各加一定的電壓，存儲單元源極接地，漏極通過電阻RA連接高電平Vcc，參考單元源極接地，漏極通過電阻RR連接高電平Vcc；從存儲單元漏極讀出電流Icell、從參考單元漏極讀出電流Iref，兩者相互比較，如果Icell＞Iref，則敏感放大器(SenseAmp)輸出的邏輯信號信號Vout為“1”；如果Icell＜Iref，則敏感放大器輸出的邏輯信號Vout為“0”，從而達到讀出存儲數(shù)據(jù)的目的?？扉W存儲器需要穩(wěn)定的參考單元及其電流來確定存儲單元在讀寫操作中所處的狀態(tài)。然而，參考單元可能會受到各種因素的影響，例如，電源的擾動可能會造成加在參考單元上的電壓的變化，從而引起參考單元電流的變化。更為嚴重的是，由于參考單元本身可能在多次操作之后，性能發(fā)生變化，所設(shè)計的參考電流就會發(fā)生漂移，導致存儲器無法正常工作，大大降低了存儲器的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何增加快閃存儲器多次讀寫后的可靠性。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種快閃存儲器的讀電路，包括：敏感放大器，包括第一、第二輸入端，及輸出端；切換單元；多個參考單元，各參考單元為浮柵型MOS存儲器件；控制單元，用于指示所述切換單元從所述多個參考單元中選中一個參考單元；當該選中的參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件時，指示所述切換單元選中其它的參考單元；所述切換單元用于將所選中的參考單元的漏極連接到所述敏感放大器的第一輸入端上。進一步地，選中的參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件是指：所選中的參考單元漏極輸出的參考電流發(fā)生了漂移。進一步地，所述敏感放大器的第一輸入端通過第一電阻連接高電平，第二輸入端通過第二電阻接高電平；所述多個參考單元的源極均接地，控制柵極均連接字線，漏極均與所述切換單元相連，其中被選中的參考單元的漏極還通過所述切換單元連接到所述敏感放大器的第一輸入端上，并輸出參考電流；所述讀電路還包括：存儲單元，為一浮柵型MOS存儲器件，源極接地，控制柵極接讀電壓，漏極連接在所述敏感放大器的第二輸入端上，輸出漏極電流。進一步地，所述讀電路還包括：至少一個本征參考單元，所述本征參考單元為浮柵型MOS存儲器件，源極接地，控制柵極和漏極連接所述控制單元；所述控制單元根據(jù)所述本征參考單元漏極輸出的電流檢測所選中的參考單元輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移。進一步地，所述控制單元根據(jù)所述本征參考單元漏極輸出的電流檢測所選中的參考單元輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移是指：所述控制單元將所選中的參考單元漏極輸出的電流和所述本征參考單元漏極輸出的電流進行比較；如果兩個電流的差值的絕對值超過或等于一預設(shè)的變化閾值，則判斷所選中的參考單元輸出的參考電流發(fā)生了漂移。進一步地，所述控制單元包括：檢測電路；計數(shù)器，用于對所選擇的參考單元的工作次數(shù)進行計數(shù)；處理器，用于當所述切換電路選中了一個參考單元時、或當所述計數(shù)器的計數(shù)值到達一預定的次數(shù)閾值時，指示所述檢測電路根據(jù)所述本征參考單元漏極電流檢測所選中的參考單元漏極輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移，如果沒有漂移則將所述計數(shù)器清零；如果漂移則指示所述切換電路選中其它的參考單元。進一步地，所述切換單元還用于為每個參考單元分配一個唯一標識，并將各標識排序，依各標識的順序選中對應的參考單元。進一步地，所述控制單元還用于當所述切換單元選中下一個參考單元時，指示原先選中的參考單元進行自修復；所述多個參考單元還用于當收到進行自修復的指示后，重新校準本參考單元至準確的基準狀態(tài)，校準完成后通知所述控制單元。進一步地，所述控制單元還用于當最后一個參考單元也漂移時，指示所述切換單元選中已完成自我修復的參考單元。本發(fā)明能夠解決快閃存儲器的參考單元在使用一定次數(shù)之后性能發(fā)生漂移的問題，達到增加快閃存儲器多次讀寫下可靠性的目的。本發(fā)明的優(yōu)化方案能防止參考電流漂移引起的錯誤讀出。附圖說明圖1是現(xiàn)有的讀電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實施例一的讀電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是實施例一中控制單元的工作流程示意圖之一；圖4是實施例一中讀電路的工作流程示意圖之二。具體實施方式下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行更詳細的說明。需要說明的是，如果不沖突，本發(fā)明實施例以及實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。實施例一，一種快閃存儲器的讀電路，包括：切換單元；敏感放大器，包括第一、第二輸入端，及輸出端；多個參考單元，各參考單元為浮柵型MOS存儲器件；控制單元，用于指示所述切換單元從所述多個參考單元中選中一個參考單元；當該選中的參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件時，指示所述切換單元選中其它的參考單元；所述切換單元用于將所選中的參考單元的漏極連接到所述敏感放大器的第一輸入端上。本實施例中，在第一次上電前，所有的參考單元都調(diào)整到正確狀態(tài)，保證每一個參考單元都可以提供準確的參考電流。切換單元起選擇的作用，在控制單元的作用下，保證每次只有一條參考單元的位線導通，產(chǎn)生參考電流，而其余的參考單元都處于不工作狀態(tài)，防止位線上的外加偏壓可能導致的性能退化。本實施例中，所述切換單元可以但不限于用切換電路實現(xiàn)；所述控制單元可以為一處理器或其它邏輯器件。本實施例中，所述參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件可以是指參考單元漏極電流發(fā)生了漂移，也可以是指參考單元工作次數(shù)達到一定次數(shù)，還可以是指參考單元的溫度等其它指標達到一定條件，或者是只以上各種條件的任意組合。本實施例的一種實施方式中，選中的參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件是指：所選中的參考單元漏極輸出的參考電流發(fā)生了漂移。本實施例中，如圖2所示，所述敏感放大器的第一輸入端通過第一電阻RR連接高電平Vcc，第二輸入端通過第二電阻RA接高電平Vcc；所述多個參考單元的源極均接地，控制柵極均連接字線，漏極均與所述切換單元相連，其中被選中的參考單元的漏極還通過所述切換單元連接到所述敏感放大器的第一輸入端上，并輸出參考電流Iref；所述讀電路還包括：存儲單元ArrayCell，為一浮柵型MOS存儲器件，源極接地，控制柵極接讀電壓，漏極連接在所述敏感放大器的第二輸入端上，輸出漏極電流Icell。所述多個參考單元為圖2中的RefCell_1、RefCell_2、......、RefCell_m；m為大于2的整數(shù)；實際應用時，所述多個參考單元最少可以只包括兩個參考單元。本實施例中，所述位線和讀電壓是由快閃存儲器其它電路提供的，具體可參照現(xiàn)有技術(shù)；高電平Vcc的大小也可參照現(xiàn)有技術(shù)。同樣的，如果Icell＞Iref，則敏感放大器輸出的邏輯信號信號Vout為“1”；如果Icell＜Iref，則敏感放大器輸出的邏輯信號Vout為“0”。本實施例中，如圖2所示，所述讀電路還可以包括：至少一個本征參考單元RefCell_intrinsic，所述本征參考單元為浮柵型MOS存儲器件，源極接地，控制柵極和漏極連接所述控制單元；所述控制單元根據(jù)所述本征參考單元漏極輸出的電流檢測所選中的參考單元輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移。由于在存儲器正常工作時不會對本征參考單元產(chǎn)生干擾，所以本征參考單元會一直保持一個穩(wěn)定的狀態(tài)。在普通的參考單元工作一定時間后，可以以本征參考單元的輸出作為標準進行自檢測，從而可以判斷參考單元的性能有沒有發(fā)生漂移，如果該參考單元輸出的參考電流與本征參考單元的輸出偏離一定范圍時，表明繼續(xù)使用該參考單元作為基準有誤操作的風險；本實施例在隱患還沒有表現(xiàn)出來前及時的進行切換，可提高參考單元的可靠性。本實施例中，所述控制單元根據(jù)所述本征參考單元漏極輸出的電流檢測所選中的參考單元輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移具體可以是指：所述控制單元將所選中的參考單元漏極輸出的電流和所述本征參考單元漏極輸出的電流進行比較，如果兩個電流的差值的絕對值超過或等于一預設(shè)的變化閾值，則判斷所選中的參考單元輸出的參考電流發(fā)生了漂移。所述控制單元可通過給所述本征參考單元漏極和控制柵極各施加一個電壓或其它常用方式來測量本征參考單元的漏極電流。所述預設(shè)的變化閾值與不同設(shè)計方案有關(guān)，比如將影響到讀出值準確性的變化幅度作為變化閾值，可通過實驗以及經(jīng)驗確定該變化閾值。實際應用時也不限于采用上述方案來檢測，比如也可以記錄最開始工作時參考單元的漏極電流作為標準值，檢測時比較所選中的參考單元當前漏極電流和標準值即可；再比如也可以在檢測時將一未工作過或是已修復的參考單元漏極連接至敏感放大器的第一輸入端，然后比較該參考單元和所選中的參考單元的漏極電流即可。本實施例中，所述切換單元還用于為每個參考單元分配一個唯一標識，并將各標識排序，然后可依各標識的順序選中對應的參考單元；比如圖2中的參考單元RefCell_1、RefCell_2、......、RefCell_m，假設(shè)其標識依次為1、2、......、m，則切換單元一上電時先選擇RefCell_1，當控制單元指示另選時改選RefCell_2，再下一次改選RefCell_3......以此類推。這樣可避免選中已發(fā)生漂移的參考單元。實際應用時也可以記錄發(fā)生漂移的參考單元的標識，從而在需要改選時避開已漂移的參考單元。本實施例中，所述控制單元具體可以包括：檢測電路；計數(shù)器，用于對所選擇的參考單元的工作次數(shù)進行計數(shù)(即產(chǎn)生參考電流Iref的次數(shù))；處理器，用于當所述切換電路選中了一個參考單元時、或當所述計數(shù)器的計數(shù)值到達一預定的次數(shù)閾值時，指示所述檢測電路根據(jù)所述本征參考單元漏極電流檢測所選中的參考單元漏極輸出的參考電流是否發(fā)生了漂移；如果沒有漂移則將所述計數(shù)器清零；如果漂移則指示所述切換電路選中其它的參考單元。所述預定的次數(shù)閾值可根據(jù)實驗或經(jīng)驗值設(shè)置。所述控制單元的處理流程如圖3所示，讀電路剛開始工作時先判斷所選中的參考單元與本征參考單元的漏極電流是否偏離較大范圍(即大于所述變化閾值)。如果未偏離較大范圍，則將計數(shù)器清零后對所選中的參考單元的工作次數(shù)進行計數(shù)，當所選中的參考單元的工作次數(shù)達到最大值(即所述次數(shù)閾值)后，返回將該選中的參考單元與本征參考單元的漏極電流進行比較的步驟。如果偏離較大范圍，表明繼續(xù)使用該選中的參考單元作為基準有誤操作的風險，此時判斷當前選中的參考單元是否為最后一個參考單元，如果是則可選擇結(jié)束讀電路的工作；如果不是則指示切換單元將所述敏感放大器切換至下一個參考單元的漏極上，即選中下一個參考單元，選中后返回將該選中的參考單元與本征參考單元的漏極電流進行比較的步驟。本實施例中，如圖4所示，所述控制單元還可以用于在所述切換單元選中下一個參考單元的步驟后，指示原先選中的參考單元進行自修復。所述多個參考單元還用于當收到進行自修復的指示后，重新校準本參考單元至準確的基準狀態(tài)，校準完成后通知所述控制單元。本實施例中，參考單元“重新校準本參考單元至準確的基準狀態(tài)”的步驟可看成是一次擦除編程操作，可依靠現(xiàn)有存儲器中的相應部件完成，也可在讀電路或控制單元中增加實現(xiàn)該功能的模塊或電路來完成該操作。由于自修復進行時，已經(jīng)選中下一個參考單元，由所選中的參考單元輸出漏極電流Iref，所以不會對正常的讀寫造成明顯的影響。進行自修復使得參考單元可以循環(huán)利用，延長了快閃存儲器的使用壽命。本實施例中，所述控制單元還可以用于當最后一個參考單元也漂移時，指示所述切換單元選中已完成自我修復的參考單元；這樣保證幾個參考單元可以重復的使用，提高參考電流的穩(wěn)定性。當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護范圍。