技術總結
本發(fā)明公開了一種快閃存儲器的讀電路，包括：敏感放大器，包括第一、第二輸入端，及輸出端；切換單元；多個參考單元，各參考單元為浮柵型MOS存儲器件；控制單元，用于指示所述切換單元從所述多個參考單元中選中一個參考單元；當該選中的參考單元的工作狀態(tài)滿足預定條件時，指示所述切換單元選中其它的參考單元；所述切換單元用于將所選中的參考單元的漏極連接到所述敏感放大器的第一輸入端上。本發(fā)明能夠增加快閃存儲器多次讀寫后的可靠性。

技術研發(fā)人員：王林凱;胡洪
受保護的技術使用者：北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
文檔號碼：201210157501
技術研發(fā)日：2012.05.18
技術公布日：2016.12.21