技術(shù)特征：
1.一種用于數(shù)據(jù)存儲的裝置，包括：偏置電路，被配置成將經(jīng)調(diào)制的DC偏置信號施加至電阻式熱傳感器，所述電阻式熱傳感器靠近磁傳感器的介質(zhì)讀取表面設(shè)置，所述偏置信號在第一和第二偏置電平之間被調(diào)制；以及控制器，所述控制器被配置成：測量對應(yīng)于第一和第二偏置電平的電阻式熱傳感器的第一和第二電阻；以及根據(jù)用于調(diào)節(jié)磁傳感器和介質(zhì)之間的間距的加熱器功率、基于第一和第二電阻之間的差異，確定磁傳感器和介質(zhì)之間的間距和接觸中的至少一個，所述差異由隨著磁傳感器更靠近介質(zhì)在磁傳感器和介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率的增加引起，且其中所述差異獨立于熱電阻的熱系數(shù)和電阻式熱傳感器的冷電阻而確定電阻式熱傳感器和介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率變化。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，確定磁傳感器和介質(zhì)之間的所述間距和接觸中的至少一個包括確定相對于所述加熱器功率的第一和第二電阻之差的變化率。3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在頻域中測量所述第一和第二電阻。4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，在與所述偏置信號的調(diào)制頻率對應(yīng)的頻率下測量所述第一和第二電阻。5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，進一步包括鎖定放大器，所述鎖定放大器耦合至偏置電路和控制器中的一個以測量所述第一和第二電阻。6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，進一步包括窄帶濾波器，所述窄帶濾波器耦合至偏置電路和控制器中的一個以測量所述第一和第二電阻。7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，確定所述間距和所述接觸中的至少一個包括：經(jīng)由所述第一和第二電阻之間的差異來確定相對于零加熱器功率處的熱導(dǎo)率施加所述加熱器功率時的熱導(dǎo)率變化。8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述熱導(dǎo)率變化的確定利用磁傳感器附近的熱傳遞的集總參數(shù)模型。9.一種用于數(shù)據(jù)存儲的方法，包括：將經(jīng)調(diào)制的DC偏置信號施加至靠近磁傳感器的磁介質(zhì)讀取表面定位的電阻式熱傳感器；測量對應(yīng)于所述第一和第二偏置電平的電阻式熱傳感器的第一和第二電阻；以及根據(jù)用于調(diào)節(jié)磁傳感器和介質(zhì)之間的間距的加熱器功率、基于第一和第二電阻之間的差異，確定磁傳感器和介質(zhì)之間的間距和接觸中的至少一個，所述差異由隨著磁傳感器更靠近介質(zhì)在磁傳感器和介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率的增加引起，且其中所述差異獨立于熱電阻的熱系數(shù)和電阻式熱傳感器的冷電阻而確定電阻式熱傳感器和介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率變化。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，確定磁傳感器和介質(zhì)之間的所述間距和接觸中的至少一個包括確定相對于所述加熱器功率的第一和第二電阻之差的變化率。11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在頻域中測量所述第一和第二電阻。12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在與所述偏置信號的調(diào)制頻率對應(yīng)的頻率下測量所述第一和第二電阻。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，通過鎖定放大器測量所述第一和第二電阻。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，通過窄帶濾波器測量所述第一和第二電阻。15.一種用于數(shù)據(jù)存儲的裝置，包括：磁傳感器，包括靠近磁傳感器的介質(zhì)讀取表面的電阻式熱傳感器；偏置電路，耦合至磁傳感器并且被配置成將包括不同的第一和第二偏置電平的經(jīng)調(diào)制的DC偏置信號施加至所述電阻式熱傳感器，所述偏置信號在第一和第二偏置電平之間被調(diào)制；以及控制器，耦合至磁傳感器并且被配置成：測量對應(yīng)于第一和第二偏置電平的電阻式熱傳感器的第一和第二電阻；以及根據(jù)用于調(diào)節(jié)磁傳感器和介質(zhì)之間的間距的加熱器功率、基于第一和第二電阻之間的差異，確定磁傳感器與介質(zhì)之間的間距和接觸中的至少一個，所述差異由隨著磁傳感器更靠近介質(zhì)在磁傳感器和介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率的增加引起，且其中確定所述間距和所述接觸中的至少一個包括：經(jīng)由所述第一和第二電阻之間的差異來確定相對于零加熱器功率處的熱導(dǎo)率施加所述加熱器功率時的熱導(dǎo)率變化。16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，進一步包括用于調(diào)節(jié)磁傳感器和介質(zhì)之間的間距的加熱器，并且其中確定磁傳感器與介質(zhì)之間的所述間距和接觸中的至少一個包括確定相對于施加至加熱器的功率的所述第一和第二電阻之差的變化率。17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，在頻域中測量所述第一和第二電阻。18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，進一步包括鎖定放大器，所述鎖定放大器耦合至偏置電路和控制器中的一個以測量所述第一和第二電阻。19.如權(quán)利要求17所述的裝置，進一步包括窄帶濾波器，所述窄帶濾波器耦合至偏置電路和控制器中的一個以測量所述第一和第二電阻。20.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述熱導(dǎo)率變化的確定利用磁傳感器附近的熱傳遞的集總參數(shù)模型。