技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了利用第一和第二電阻式傳感器偏置電平檢測(cè)頭盤接觸和/或間隙。將偏置信號(hào)施加至靠近磁傳感器的磁介質(zhì)讀取表面定位的電阻式熱傳感器。偏置信號(hào)在第一和第二偏置電平之間被調(diào)制。測(cè)量對(duì)應(yīng)于第一和第二偏置電平的電阻式熱傳感器的第一和第二電阻?；谟呻S著磁頭更靠近介質(zhì)在磁傳感器與介質(zhì)之間的熱導(dǎo)率的增加引起的第一和第二電阻之間的差異，確定磁傳感器與介質(zhì)之間的間距和接觸中的至少一個(gè)。

技術(shù)研發(fā)人員：M·T·約翰遜;M·C·艾納亞杜弗瑞斯恩;鄭譞;D·劉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：希捷科技有限公司
文檔號(hào)碼：201310293831
技術(shù)研發(fā)日：2013.07.12
技術(shù)公布日：2017.04.12