本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，更具體地說，本發(fā)明涉及一種驗(yàn)收測(cè)試裝置及一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法。

背景技術(shù)：
目前，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用的越來越廣泛，產(chǎn)品的安全也顯得越來越重要。一方面是為了保護(hù)硬件設(shè)計(jì)，另外一方面也是為了產(chǎn)品本身的安全，防止被破解。例如在嵌入式系統(tǒng)當(dāng)中，所有的代碼和系統(tǒng)數(shù)據(jù)都是被存儲(chǔ)在FLASH芯片內(nèi)部的。FLASH芯片的特點(diǎn)是可多次擦寫，而且掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。為了保護(hù)FLASH中的數(shù)據(jù)，越來越多的FLASH廠商在FLASH內(nèi)部提供了一種特殊的寄存器：OTP（OneTimeProgrammable）寄存器。意思是這個(gè)寄存器是一次性可編程，如此便能夠有效地提高保護(hù)力度。但是在生產(chǎn)制造過程中，一次性可編程（OTP）器件顯然不能夠只進(jìn)行一次編程，因?yàn)槠渲辽傩枰?jīng)過檢測(cè)方能夠出廠?，F(xiàn)有工藝中，通常對(duì)一次性可編程器件進(jìn)行檢測(cè)時(shí)是需要采用紫外（UV）照射，例如，將所述一次性可編程器件從數(shù)據(jù)“1”燒成“0”，需要照射紫外光使之恢復(fù)為“1”。但是，現(xiàn)有技術(shù)中，通常紫外照射有一個(gè)專門的區(qū)域，需要技術(shù)人員（或者機(jī)械傳遞設(shè)施）將待測(cè)晶圓檢測(cè)后，搬運(yùn)至紫外照射區(qū)域進(jìn)行照射；并且，一般情況下一個(gè)檢測(cè)過程是需要涉及到多次紫外照射，而采用現(xiàn)有工藝的方法，就有著諸多不便，頻繁的搬運(yùn)本身就是一個(gè)問題，此外，還容易導(dǎo)致雜質(zhì)微粒落在晶圓上，而造成不必要的損失。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠解決在OTP檢測(cè)過程中不便捷又容易產(chǎn)生額外損失這一問題的驗(yàn)收測(cè)試裝置及一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供一種驗(yàn)收測(cè)試裝置，用于對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行測(cè)試，包括：標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口，用于接收所述待測(cè)晶圓；至少一個(gè)機(jī)械臂，用于傳輸所述待測(cè)晶圓；測(cè)試臺(tái)，用于對(duì)所述待測(cè)晶圓進(jìn)行測(cè)試；及擦除區(qū)，所述擦除區(qū)用于對(duì)經(jīng)測(cè)試臺(tái)測(cè)試后的所述待測(cè)晶圓進(jìn)行紫外擦除；其中，所述機(jī)械臂能夠承載所述待測(cè)晶圓在所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口、所述測(cè)試臺(tái)及所述擦除區(qū)運(yùn)動(dòng)?？蛇x的，對(duì)于所述的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述擦除區(qū)設(shè)置有紫外光源，所述紫外光源包括至少一個(gè)紫外燈管?？蛇x的，對(duì)于所述的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述紫外燈管的規(guī)格為：100mw/cm2～200mw/cm2?？蛇x的，對(duì)于所述的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述驗(yàn)收測(cè)試裝置還包括操作臺(tái)與顯示屏，用于輸入操作指令和顯示測(cè)試情況?？蛇x的，對(duì)于所述的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述機(jī)械臂包括第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂，所述第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂皆能夠依次從所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口處抽取待測(cè)晶圓至所述測(cè)試臺(tái)，然后將經(jīng)測(cè)試臺(tái)測(cè)試后的所述待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)傳遞至擦除區(qū)，之后將所述待測(cè)晶圓從所述擦除區(qū)傳遞至所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口，所述待測(cè)晶圓的數(shù)量大于等于2。相應(yīng)的，本發(fā)明提供一種一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法，用于對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行測(cè)試，利用如上所述的驗(yàn)收測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試，包括：所述機(jī)械臂從所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口中抽取一待測(cè)晶圓，并傳遞至所述測(cè)試臺(tái)進(jìn)行測(cè)試，待測(cè)試完成后，所述機(jī)械臂將所述待測(cè)晶圓傳遞至擦除區(qū)進(jìn)行紫外擦除?？蛇x的，對(duì)于所述的一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法，所述待測(cè)晶圓記性紫外擦除后，由所述機(jī)械臂傳送回所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口?？蛇x的，對(duì)于所述的一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法，所述機(jī)械臂包括第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂，所述第一機(jī)械臂和第二機(jī)械臂依次傳遞所述待測(cè)晶圓，所述待測(cè)晶圓的數(shù)量大于等于2?？蛇x的，對(duì)于所述的一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法，包括：首先進(jìn)行步驟S1，由所述第一機(jī)械臂從標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口中抽取第一片待測(cè)晶圓，傳遞至測(cè)試臺(tái)進(jìn)行測(cè)試，待測(cè)試完成后，由所述第一機(jī)械臂將第一片待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)傳遞至擦除區(qū)進(jìn)行紫外擦除；在所述第一機(jī)械臂將第一片待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)傳遞至擦除區(qū)時(shí)，同時(shí)進(jìn)行步驟S2，由所述第二機(jī)械臂從標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口中抽取第二片待測(cè)晶圓，傳遞至測(cè)試臺(tái)進(jìn)行測(cè)試；當(dāng)所述第二片待測(cè)晶圓測(cè)試完畢后，進(jìn)行步驟S3，由所述第一機(jī)械臂將所述第一片待測(cè)晶圓從擦除區(qū)傳遞至所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口，使得所述第一片待測(cè)晶圓歸位；同時(shí)進(jìn)行步驟S4，所述第二機(jī)械臂承載所述第二片待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)傳遞至擦除區(qū)進(jìn)行紫外擦除，待所述第二待測(cè)晶圓的紫外擦除完畢后，由所述第二機(jī)械臂32傳遞回標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口，使得所述第二片待測(cè)晶圓歸位?？蛇x的，對(duì)于所述的一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法，所述進(jìn)行紫外擦除為采用紫外光源照射600s～650s。在本發(fā)明的驗(yàn)收測(cè)試裝置及一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法中，采用了具有擦除區(qū)的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述擦除區(qū)能夠?qū)?jīng)測(cè)試臺(tái)測(cè)試后的待測(cè)晶圓進(jìn)行紫外擦除，如此就不需要將晶圓搬運(yùn)到專門的紫外區(qū)域，從而提高大大的提高了工作效率，也避免了由于搬運(yùn)而可能導(dǎo)致的雜質(zhì)產(chǎn)生這一問題，間接的提高了良率。附圖說明圖1本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為采用本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置進(jìn)行一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法的過程示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置1包括：標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口（SMIF）2，用于接收所述待測(cè)晶圓，通常，所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2為1～2個(gè)，也可以為其他數(shù)量，例如是4個(gè)等，本實(shí)施例所示的驗(yàn)收測(cè)試裝置1具有1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2；這樣能夠減少驗(yàn)收測(cè)試裝置1所占據(jù)的空間，而一般情況下，1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2也能夠滿足生產(chǎn)需要。至少一個(gè)機(jī)械臂3，用于傳輸所述待測(cè)晶圓，所述機(jī)械臂3可以是折疊式，以便能夠調(diào)整與其所到達(dá)目的地時(shí)所需的長度，便于晶圓的傳遞，在本實(shí)施例中，所述機(jī)械臂3為2個(gè)，那么可以依次傳遞待測(cè)晶圓，從而提高檢測(cè)效率。還包括測(cè)試臺(tái)4，用于對(duì)所述待測(cè)晶圓進(jìn)行測(cè)試，所述測(cè)試臺(tái)4主要包括對(duì)準(zhǔn)裝置及檢測(cè)裝置，所述對(duì)準(zhǔn)裝置用于在測(cè)試臺(tái)4接收由機(jī)械臂3傳遞過來的待測(cè)晶圓后，使得所述待測(cè)晶圓對(duì)準(zhǔn)，便于所述檢測(cè)裝置進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明所示的驗(yàn)收測(cè)試裝置1，還包括一擦除區(qū)5，所述擦除區(qū)5用于對(duì)經(jīng)測(cè)試臺(tái)4測(cè)試后的所述待測(cè)晶圓進(jìn)行紫外擦除。具體的，所述擦除區(qū)5設(shè)置有紫外光源，所述紫外光源可以是包括至少一個(gè)紫外燈管。優(yōu)選的，所述紫外燈管為2個(gè)，所述紫外燈管的規(guī)格可以是100mw/cm2～200mw/cm2，優(yōu)選的，采取規(guī)格為108mw/cm2的紫外燈管。那么，當(dāng)所述待測(cè)晶圓經(jīng)測(cè)試臺(tái)4測(cè)試后，可以由所述機(jī)械臂3傳送至所述擦除區(qū)5，利用紫外光源進(jìn)行照射，以恢復(fù)一次性可編程器件的參數(shù)。而且，本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置1，可以直接利用現(xiàn)有的驗(yàn)收測(cè)試裝置進(jìn)行改進(jìn)，在驗(yàn)收測(cè)試裝置中設(shè)置所述擦除區(qū)5，如此既能夠有效的利用現(xiàn)有資源，還能夠使得待測(cè)晶圓不必進(jìn)行較遠(yuǎn)距離的轉(zhuǎn)移，從而提高了測(cè)試效率，也能夠保證測(cè)試質(zhì)量，防止由于晶圓長距離傳送時(shí)所引入的其他因素例如雜質(zhì)微粒等的影響。再者，在所述驗(yàn)收測(cè)試裝置1中設(shè)置有擦除區(qū)5，就能夠關(guān)閉或者拆除現(xiàn)有的紫外照射區(qū)域，這就能夠節(jié)省用于現(xiàn)有的紫外照射區(qū)域的維護(hù)費(fèi)用，也可以空出廠區(qū)面積，以作他用。請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置1，還包括操作臺(tái)與顯示屏6，所述操作臺(tái)與顯示屏6用于輸入操作指令和顯示測(cè)試情況，以及進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳遞等，以便于技術(shù)人員及時(shí)掌握分析數(shù)據(jù)。下面請(qǐng)參考圖2，以便對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)收測(cè)試裝置1進(jìn)行一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試時(shí)的運(yùn)作過程做詳細(xì)說明。在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先進(jìn)行步驟S1，由第一機(jī)械臂31從標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2中抽取設(shè)定的待測(cè)晶圓，傳遞至測(cè)試臺(tái)4進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試完成后，依然由所述第一機(jī)械臂31從測(cè)試臺(tái)4傳遞至擦除區(qū)5進(jìn)行紫外照射，在本實(shí)施例中，進(jìn)行紫外照射的時(shí)間為600s～650s；在第一機(jī)械臂31從測(cè)試臺(tái)4傳遞至擦除區(qū)5時(shí)，同時(shí)進(jìn)行步驟S2，第二機(jī)械臂32從標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2中抽取設(shè)定的另一待測(cè)晶圓，傳遞至測(cè)試臺(tái)4進(jìn)行測(cè)試，如此可以使得測(cè)試待測(cè)晶圓盒紫外照射同時(shí)進(jìn)行，并可以通過優(yōu)化檢測(cè)程序，或者改變擦除區(qū)5的相關(guān)參數(shù)，使得測(cè)試和紫外照射的時(shí)間盡可能相同，以便提高效率；當(dāng)所述另一待測(cè)晶圓測(cè)試完畢（也即在擦除區(qū)5處的待測(cè)晶圓紫外照射完畢）后，進(jìn)行步驟S3，所述第一機(jī)械臂31將所述待測(cè)晶圓從擦除區(qū)5傳遞至所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2，使得所述待測(cè)晶圓歸位；同時(shí)進(jìn)行步驟S4，所述第二機(jī)械臂32承載所述另一待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)4傳遞至擦除區(qū)5進(jìn)行紫外照射，若待測(cè)晶圓總計(jì)2片，則待所述另一待測(cè)晶圓的紫外照射完畢后，由所述第二機(jī)械臂32傳遞回標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2，并使之歸位即可。若還具有其他待測(cè)晶圓，則當(dāng)所述步驟S4進(jìn)行所述第二機(jī)械臂32承載所述另一待測(cè)晶圓從測(cè)試臺(tái)4傳遞至擦除區(qū)5進(jìn)行紫外照射時(shí)，所述步驟S3中還包括，所述第一機(jī)械臂31繼續(xù)從所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口2中抽取一片待測(cè)晶圓，傳遞至測(cè)試臺(tái)4，依次類推，直至完成所有的待測(cè)晶圓的測(cè)試。本發(fā)明提供的驗(yàn)收測(cè)試裝置及一次性可編程器件的驗(yàn)收測(cè)試方法中，采用了具有擦除區(qū)的驗(yàn)收測(cè)試裝置，所述擦除區(qū)能夠?qū)?jīng)測(cè)試臺(tái)測(cè)試后的待測(cè)晶圓進(jìn)行紫外擦除，如此就不需要將晶圓搬運(yùn)到專門的紫外區(qū)域，從而提高大大的提高了工作效率，也避免了由于搬運(yùn)而可能導(dǎo)致的雜質(zhì)產(chǎn)生這一問題，間接的提高了良率?？梢岳斫獾氖?，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。