1.一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該存儲(chǔ)器裝置中的一存儲(chǔ)器陣列包括一第一與一第二存儲(chǔ)單元串，且該存儲(chǔ)器裝置的編程方法包括：
在一第一期間內(nèi)，將來(lái)自一共源極線的一第一電壓傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端，且該共源極線位在該存儲(chǔ)器陣列的一第一側(cè)；以及
在一第二期間內(nèi)，浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并將一第二與一第三電壓分別傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端，并提供一編程電壓與多個(gè)導(dǎo)通電壓，以禁止該第一存儲(chǔ)單元串的編程，并從該存儲(chǔ)器陣列的一第二側(cè)開(kāi)始依序編程該第二存儲(chǔ)單元串中的多個(gè)存儲(chǔ)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端透過(guò)一第一與一第二接地晶體管電性連接該共源極線，該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端透過(guò)一第一與一第二選擇晶體管電性連接一第一與一第二位線，且在該第一期間內(nèi)，將來(lái)自該共源極線的該第一電壓傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端的步驟包括：
提供該第一電壓至該共源極線；
導(dǎo)通該第一與該第二接地晶體管；以及
不導(dǎo)通該第一與該第二選擇晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該第一與該第二存儲(chǔ)單元串電性連接多個(gè)字線，且在該第二期間內(nèi)，浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并將該第二與該第三電壓分別傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端，并提供該編程電壓與這些導(dǎo)通電壓的步驟包括：
將該第二與該第三電壓分別傳送至該第一與該第二位線；
導(dǎo)通該第一與該第二選擇晶體管，且不導(dǎo)通該第一與該第二接地晶體管；
從該存儲(chǔ)器陣列的該第二側(cè)開(kāi)始逐一選取每一這些存儲(chǔ)單元，以逐一 將每一這些存儲(chǔ)單元設(shè)定為一選定存儲(chǔ)單元；以及
提供該編程電壓至電性連接該選定存儲(chǔ)單元的該字線，并提供這些導(dǎo)通電壓至其余的字線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該第一與該第二選擇晶體管電性連接一串選擇線，該第一與該第二接地晶體管電性連接一接地選擇線，且該存儲(chǔ)器裝置的編程方法更包括：
在該第一期間內(nèi)，將一高電壓與一低電壓分別傳送至該接地選擇線與該串選擇線；以及
在該第二期間內(nèi)，將該低電壓與該高電壓分別傳送至該接地選擇線與該串選擇線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該第二電壓相等于該高電壓，該第三電壓相等于該低電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該存儲(chǔ)器陣列為一與非門存儲(chǔ)器陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置的編程方法，其中該第一電壓小于該第二電壓，且該第一電壓大于該第三電壓。
8.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
一存儲(chǔ)器陣列，包括一第一與一第二存儲(chǔ)單元串；以及
一存儲(chǔ)器控制器，其中在一第一期間內(nèi)，該存儲(chǔ)器控制器將來(lái)自一共源極線的一第一電壓傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端，該共源極線位在該存儲(chǔ)器陣列的一第一側(cè)，且在一第二期間內(nèi)，該存儲(chǔ)器控制器浮接該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端，并將一第二與一第三電壓分別傳送至該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端，并提供一編程電壓與多個(gè)導(dǎo)通電壓，以禁止該第一存儲(chǔ)單元串的編程，并從該存儲(chǔ)器陣列的一第二側(cè)開(kāi)始依序編程該第二存儲(chǔ)單元串中的多個(gè)存儲(chǔ)單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第一端透過(guò)一第一與一第二接地晶體管電性連接該共源極線，該第一與該第二存儲(chǔ)單元串的第二端透過(guò)一第一與一第二選擇晶體管電性連接一第一與一第二位線，且在該第一期間內(nèi)，該存儲(chǔ)器控制器提供該第一 電壓至該共源極線，且該存儲(chǔ)器控制器導(dǎo)通該第一與該第二接地晶體管，并不導(dǎo)通該第一與該第二選擇晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該第一與該第二存儲(chǔ)單元串電性連接多個(gè)字線，且在該第二期間內(nèi)，該存儲(chǔ)器控制器提供該第二與該第三電壓至該第一與該第二位線，該存儲(chǔ)器控制器導(dǎo)通該第一與該第二選擇晶體管，且不導(dǎo)通該第一與該第二接地晶體管，且該存儲(chǔ)器控制器從該存儲(chǔ)器陣列的該第二側(cè)開(kāi)始逐一選取每一這些存儲(chǔ)單元，以逐一將每一這些存儲(chǔ)單元設(shè)定為一選定存儲(chǔ)單元，且該存儲(chǔ)器控制器提供該編程電壓至電性連接該選定存儲(chǔ)單元的該字線，并提供這些導(dǎo)通電壓至其余的字線。