本發(fā)明涉及讀卡器用的MR傳感器,其在用于讀取被記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)的讀卡器中使用。并且，本發(fā)明涉及具有該MR傳感器的讀卡器。

背景技術(shù)：

以往，公知有一種讀取被記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)的讀卡器(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1所述的讀卡器具有用于讀取被記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)的磁頭。并且，該讀卡器具有預(yù)讀磁頭(磁頭)，其用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄在被從卡片的插入口插入的卡片的磁條上。

在利用讀卡器的行業(yè)中，以往，罪犯不法取得被從預(yù)讀磁頭輸出的信號(hào)，從而不法取得被記錄于卡片的磁信息，即，所謂的竊取成為較大的問(wèn)題。在專利文獻(xiàn)1所述的讀卡器中，在預(yù)讀磁頭的內(nèi)部設(shè)置假信號(hào)輸出電路，其輸出與相應(yīng)于記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)的信號(hào)不同的信號(hào)，因此即使罪犯從預(yù)讀磁頭取得被輸出的信號(hào)，也不能夠取得與被記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)相應(yīng)的信號(hào)。因此，該讀卡器能夠阻止罪犯不法取得磁信息。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-205187號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

如上所述，專利文獻(xiàn)1所述的讀卡器中，由于在預(yù)讀磁頭的內(nèi)部設(shè)置假信號(hào)輸出電路，因此能夠阻止罪犯不法取得磁信息。但是，關(guān)于該讀卡器，由于在預(yù)讀磁頭的內(nèi)部設(shè)置假信號(hào)輸出電路，因此預(yù)讀磁頭變得昂貴。

在此，本發(fā)明的課題是提供讀卡器用的MR傳感器，其即使在被裝設(shè)于讀卡器之后,能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否被記錄于卡片的磁條,也能夠阻止罪犯不法取得磁信息，并且能夠降低成本。并且，本發(fā)明的課題是提供具有該MR傳感器的讀卡器。

解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案

為了解決上述的課題，本發(fā)明的MR傳感器是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的磁條，其特征在于,MR傳感器具有：第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,并配置于第一磁道通過(guò)的位置；以及第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,并配置于第二磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第四電阻器與電源連接，第一電阻器和第三電阻器接地，串聯(lián)連接的第一電阻器與第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的第三電阻器與第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。

本發(fā)明的MR傳感器由于為上述的結(jié)構(gòu)，因此在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器的情況下，在磁條上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片在通過(guò)MR傳感器的設(shè)置處時(shí)，能夠從MR傳感器輸出信號(hào),該信號(hào)與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同。因此，在本發(fā)明中，即使在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器之后，能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本發(fā)明中，由于通過(guò)對(duì)第一至第四電阻器的配置等進(jìn)行了改進(jìn)，從而能夠從MR傳感器輸出與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同的信號(hào)。因此，MR傳感器的結(jié)構(gòu)能夠變得簡(jiǎn)單，其結(jié)果是，能夠降低MR傳感器的成本。

在本發(fā)明中，優(yōu)選第一電阻器和第二電阻器，在卡片的通過(guò)方向上，以離開在第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第一磁道的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離的狀態(tài)而配置，第三電阻器和第四電阻器，在卡片的通過(guò)方向上，以離開在第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第二磁道的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離的狀態(tài)而配置。若為這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠使從MR傳感器輸出的信號(hào)的振幅變大。因此，能夠更恰當(dāng)?shù)貦z測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條。

在本發(fā)明中，優(yōu)選第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器以及第四電阻器,在與卡片的通過(guò)方向正交的方向上，被多次折回而形成。若為這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠使在第一至第四電阻器中流動(dòng)的電流變小。因此，能夠抑制MR傳感器的耗電量。

并且，為了解決上述的課題，本發(fā)明的MR傳感器是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的磁條，其特征在于,所述MR傳感器具有：第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接，第一電阻器和第四電阻器配置于第一磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第三電阻器配置于第二磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第四電阻器與電源連接，第一電阻器和第三電阻器接地，第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器以及第四電阻器,在與卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，串聯(lián)連接的第一電阻器與第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的第三電阻器與第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。

本發(fā)明的MR傳感器由于為上述的結(jié)構(gòu)，因此在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器的情況下，在磁條上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片在通過(guò)MR傳感器的設(shè)置處時(shí)，能夠從MR傳感器輸出與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同的信號(hào)。因此，在本發(fā)明中，即使在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器之后，能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本發(fā)明中，由于通過(guò)對(duì)第一至第四電阻器的配置等進(jìn)行了改進(jìn)，從而能夠從MR傳感器輸出與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同的信號(hào)。因此，MR傳感器的結(jié)構(gòu)能夠變得簡(jiǎn)單，其結(jié)果是，能夠降低MR傳感器的成本。

在本發(fā)明中，優(yōu)選若將在第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第一磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₁；將在第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第二磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₂；將n₁、n₂設(shè)為0以上的整數(shù)、m設(shè)為3以上的整數(shù)，則第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器以及第四電阻器,在第一方向上被m-1次折回而形成，第一電阻器具有m個(gè)第一電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₁λ₁/m+λ₁/2m)的間距配置，第二電阻器具有m個(gè)第二電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₂λ₂/m+λ₂/2)的間距配置，第三電阻器具有m個(gè)第三電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₂λ₂/m+λ₂/2m)的間距配置，第四電阻器具有m個(gè)第四電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₁λ₁/m+λ₁/2m)的間距配置。若為該結(jié)構(gòu)，則能夠使磁條上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片在通過(guò)MR傳感器的設(shè)置處時(shí)的第一電阻器、第二電阻器、第三電阻器以及第四電阻器的各自的電阻變化率的振幅變小。

另外，為了解決上述的問(wèn)題，本發(fā)明的MR傳感器是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的磁條，其特征在于,MR傳感器具有：第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,第一電阻器配置于第一磁道通過(guò)的位置，第四電阻器配置于第二磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第四電阻器與電源連接，第一電阻器和第三電阻器接地，第一電阻器以及第四電阻器在與卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，第二電阻器和第三電阻器形成為與第一方向平行的直線狀，第一電阻器具有三個(gè)以上的第一電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，第四電阻器具有三個(gè)以上的第四電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，在卡片的通過(guò)方向上的第二電阻器的寬度是在卡片的通過(guò)方向上的第一電阻部的寬度的1/10以下，在卡片的通過(guò)方向上的第三電阻器的寬度是在卡片的通過(guò)方向上的第四電阻部的寬度的1/10以下，串聯(lián)連接的第一電阻器與第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的第三電阻器與第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。

另外，為了解決上述的問(wèn)題，本發(fā)明的MR傳感器是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的磁條，其特征在于,MR傳感器具有：第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,第二電阻器和第四電阻器與電源連接，第一電阻器和第三電阻器接地，第一電阻器以及第四電阻器在與卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，第二電阻器以及第三電阻器在與卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被一次以上折回而形成，串聯(lián)連接的第一電阻器與第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的第三電阻器與第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。

在本發(fā)明中，例如，第二電阻器配置于第一磁道通過(guò)的位置，第三電阻器配置于第二磁道通過(guò)的位置。

并且，為了解決上述的問(wèn)題，本發(fā)明的MR傳感器是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的磁條，其特征在于,MR傳感器具有：第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,第一電阻器配置于第一磁道通過(guò)的位置，第四電阻器配置于第二磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第三電阻器配置于偏離第一磁道通過(guò)的位置，并且配置于偏離第二磁道通過(guò)的位置，第二電阻器和第四電阻器與電源連接，第一電阻器和第三電阻器接地，第一電阻器以及第四電阻器在與卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，串聯(lián)連接的第一電阻器與第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的第三電阻器與第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。

本發(fā)明的MR傳感器由于為上述的結(jié)構(gòu)，因此在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器的情況下，在磁條上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片在通過(guò)MR傳感器的設(shè)置處時(shí)，能夠從MR傳感器輸出與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同的信號(hào)。因此，在本發(fā)明中，即使在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器之后，能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本發(fā)明中，由于通過(guò)對(duì)第一至第四電阻器的配置等進(jìn)行了改進(jìn)，從而能夠從MR傳感器輸出與記錄于卡片的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)不同的信號(hào)。因此，MR傳感器的結(jié)構(gòu)能夠變得簡(jiǎn)單，其結(jié)果是，能夠降低MR傳感器的成本。

在本發(fā)明中，優(yōu)選若將在第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第一磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₁；將在第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的第二磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₂；將n₁、n₂設(shè)為0以上的整數(shù)、m設(shè)為3以上的整數(shù)，則第一電阻器以及第四電阻器在第一方向上被m-1次折回而形成，第一電阻器具有m個(gè)第一電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₁λ₁/m+λ₁/2m)的間距配置，第四電阻器具有m個(gè)第四電阻部，它們形成為與第一方向平行的直線狀，并且在卡片的通過(guò)方向上，以(n₂λ₂/m+λ₂/2)m的間距配置。若為該結(jié)構(gòu)，則能夠使在磁條上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片在通過(guò)MR傳感器的設(shè)置處時(shí)de第一電阻器以及第四電阻器的各自的電阻變化率的振幅變小。

本發(fā)明的MR傳感器能夠用于讀卡器，該讀卡器具有卡片插入部,其形成有供卡片插入的卡片插入口，并且配置有MR傳感器。關(guān)于該讀卡器，其即使能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否被記錄于卡片的磁條,也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在該讀卡器中，能夠降低MR傳感器的成本，其結(jié)果是，能夠降低讀卡器的成本。

發(fā)明效果

如上所述，在本發(fā)明中，即使在MR傳感器被裝設(shè)于讀卡器之后,能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否被記錄于卡片的磁條,也能夠阻止罪犯不法取得磁信息，并且能夠降低成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的讀卡器的示意圖。

圖2是圖1示出的卡片的背面的圖。

圖3是圖1示出的MR傳感器的電路圖。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的MR傳感器的俯視圖。

圖5是用來(lái)說(shuō)明圖1示出的磁頭的輸出信號(hào)與圖4示出的MR傳感器的輸出信號(hào)不同的圖，圖5(A)是示出磁頭的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖，圖5(B)是示出MR傳感器的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

圖6是實(shí)施方式1的變形例涉及的MR傳感器的俯視圖。

圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的MR傳感器的俯視圖。

圖8是示出圖7示出的MR傳感器的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的MR傳感器的俯視圖。

圖10(A)是示出圖9示出的第一至第四電阻器的電阻變化率與磁通密度的關(guān)系的圖表，圖10(B)是示出在圖10(A)中磁通密度為規(guī)定的數(shù)值時(shí)的第二、第三電阻器的電阻變化率；第一、第四電阻器的電阻變化率、以及第二、第三電阻器的電阻變化率與第一、第四電阻器的電阻變化率的比率的一覽表。

圖11是示出圖9示出的MR傳感器的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例涉及的MR傳感器的俯視圖。

圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例涉及的MR傳感器的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下，一邊參照附圖一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

[實(shí)施方式1]

(讀卡器的的示意結(jié)構(gòu))

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的讀卡器1的示意圖。圖2是示出圖1示出的卡片2的背面的圖。

本實(shí)施方式的讀卡器1是用于進(jìn)行讀取記錄于卡片2的磁數(shù)據(jù)或者向卡片2記錄磁數(shù)據(jù)的裝置，例如，裝設(shè)于ATM等規(guī)定的上位裝置來(lái)使用。該讀卡器1具有：卡片插入部4，其形成有供卡片2插入的卡片插入口3；以及主體部5。在該讀卡器1的內(nèi)部，形成供從卡片插入口3插入的卡片2通過(guò)的卡片通過(guò)路6。

在本實(shí)施方式中，卡片2沿圖1所示的X方向通過(guò)。即，X方向是卡片2的通過(guò)方向。并且，與X方向正交的圖1的Z方向是被放入讀卡器1中的卡片2的厚度方向，與X方向以及Z方向正交的圖1的Y方向是被放入讀卡器1的卡片2的寬度方向。

卡片2是厚度為0.7～0.8mm左右的大致長(zhǎng)方形狀的氯乙烯制的卡片。在該卡片2的背面形成記錄磁數(shù)據(jù)的磁條2a。磁條2a沿形成為大致長(zhǎng)方形狀的卡片2的長(zhǎng)邊方向形成?？ㄆ?以其的背面朝向下側(cè)的狀態(tài)，并且以卡片2的長(zhǎng)邊方向與X方向(卡片2的通過(guò)方向)大致一致的狀態(tài)，插入讀卡器1，并在讀卡器1內(nèi)被搬運(yùn)。另外，IC芯片、通信用的天線也可以內(nèi)置于卡片2。并且，卡片2既可以是厚度為0.18～0.36mm左右的PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)卡片，也可以是規(guī)定的厚度的紙卡片等。

在磁條2a上，能夠記錄磁道2b、磁道2c以及磁道2d的三種磁數(shù)據(jù)。磁道2b、磁道2c以及磁道2d在卡片2的短邊方向上按照該順序配置。在本實(shí)施方式中，磁道2c的磁數(shù)據(jù)和/或磁道2d的磁數(shù)據(jù)記錄于磁條2a。磁道2c的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是75bpi(bit per inch)，磁道2d的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是210bpi。本實(shí)施方式的磁道2c是第一磁道，磁道2d是第二磁道。另外，在磁道2b的磁數(shù)據(jù)記錄于磁條2a的情況下，磁道2b的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是210bpi。

并且，讀卡器1具有：磁頭7，其用于讀取記錄于卡片2的磁條2a的磁數(shù)據(jù)或者向磁條2a記錄磁數(shù)據(jù)；驅(qū)動(dòng)輥8和墊輥9，它們用于在卡片的通過(guò)路6中搬運(yùn)卡片2；以及MR傳感器10，其用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片2的磁條2a。磁頭7、驅(qū)動(dòng)輥8以及墊輥9配置于主體部5。磁頭7具有能夠單獨(dú)讀取磁道2b～2d的三種磁數(shù)據(jù)的三個(gè)信道。MR傳感器10配置于卡片插入部4。以下，對(duì)MR傳感器10的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

(MR傳感器的結(jié)構(gòu))

圖3是圖1示出的MR傳感器10的電路圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的MR傳感器10的俯視圖。圖5是用于說(shuō)明圖1示出的磁頭7的輸出信號(hào)，與圖4示出的MR傳感器10的輸出信號(hào)不同的圖，圖4(A)是示出磁頭7的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖，圖4(B)是示出MR傳感器10的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

如圖3所示,MR傳感器10具有：彼此串聯(lián)連接的第一電阻器R1(以下，稱為電阻器R1)和第二電阻器R2(以下，稱為電阻器R2)；以及彼此串聯(lián)連接的第三電阻器R3(以下，稱為電阻器R3)和第四電阻器R4(以下，稱為電阻器R4)。電阻器R1～R4例如由鎳鐵合金的薄膜形成。并且，電阻器R1和電阻器R2，與電阻器R3和電阻器R4并聯(lián)連接。另外，電阻器R1～R4也可以由鎳鐵合金以外的材料形成。

電阻器R2和電阻器R4與電源Vcc連接。具體地說(shuō)，不與電阻器R1連接的電阻器R2的一端以及不與電阻器R3連接的電阻器R4的一端與向電源Vcc連接的連接端子T1連接，并且連接端子T1與電源Vcc連接。電阻器R1和電阻器R3接地。具體地說(shuō)，不與電阻器R2連接的電阻器R1的一端以及不與電阻器R4連接的電阻器R3的一端與接地用端子T2連接，并且接地用端子T2接地。

電阻器R1～R4在Y方向(卡片2的短邊方向)上被多次折回而形成。在本實(shí)施方式中，電阻器R1～R4在Y方向上被兩次折回而形成。電阻器R1具有三個(gè)第一電阻部11，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R2具有三個(gè)第二電阻部12，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R3具有三個(gè)第三電阻部13，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R4具有三個(gè)第四電阻部14，它們形成為與Y方向平行的直線狀。

如圖4所示，電阻器R1和電阻器R2被配置于在Y方向上相同的位置。具體地說(shuō)，電阻器R1和電阻器R2被配置于在Y方向上供磁道2c通過(guò)的位置。并且，電阻器R1和電阻器R2在X方向上被以分開距離D1的狀態(tài)配置。距離D1是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2c時(shí)的磁道2c的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離。在本實(shí)施方式中，距離D1是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2c時(shí)的磁道2c的比特間隔的一半的距離。具體地說(shuō)，由于被記錄于磁道2c的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是75bpi，因此距離D1為0.17mm(＝25.4/(75×2))。

X方向的三個(gè)第一電阻部11的間距P1是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2c時(shí)的磁道2c的比特間隔的整數(shù)倍。在本實(shí)施方式中，間距P1是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2c時(shí)的磁道2c的比特間隔，即，間距P1是0.34mm。X方向的三個(gè)第二電阻部12的間距P2與間距P1相等。并且，從Z方向觀察時(shí)，電阻器R1和電阻器R2形成為相對(duì)于假想線IL1而呈線對(duì)稱，其中假想線IL1通過(guò)X方向的電阻器R1與電阻器R2之間的中心位置，并與Y方向平行。

電阻器R3和電阻器R4被配置于在Y方向上相同的位置。具體地說(shuō)，電阻器R3和電阻器R4被配置于在Y方向上磁道2d通過(guò)的位置。并且，電阻器R3和電阻器R4在X方向上被以分開距離D2的狀態(tài)配置。距離D2是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2d時(shí)的磁道2d的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離。在本實(shí)施方式中，距離D2是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2d時(shí)的磁道2d的比特間隔的一半的三倍距離。具體地說(shuō)，由于被記錄于磁道2d的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是210bpi，因此距離D2為0.18mm(＝25.4×3/(210×2))。

X方向的三個(gè)第三電阻部13的間距P3是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2d時(shí)的磁道2d的比特間隔的整數(shù)倍。在本實(shí)施方式中，間距P3是零數(shù)據(jù)記錄于磁道2d時(shí)的磁道2d的比特間隔，即，間距P3是0.12mm。X方向的三個(gè)第四電阻部14的間距P4與間距P3相等。并且，從Z方向觀察時(shí)，電阻器R3和電阻器R4形成為相對(duì)于假想線IL2而呈線對(duì)稱，其中假想線IL2通過(guò)X方向的電阻器R3與電阻器R4之間的中心位置，并與Y方向平行。在本實(shí)施方式中，從Z方向觀察，假想線IL1和假想線IL2配置于同一直線。

另外，Y方向的第一電阻部11的長(zhǎng)度、Y方向的第二電阻部12的長(zhǎng)度、Y方向的第三電阻部13的長(zhǎng)度、以及Y方向的第四電阻部14的長(zhǎng)度相等。并且，該長(zhǎng)度比Y方向的磁道2c的寬度以及磁道2d的寬度窄。例如，該長(zhǎng)度是2mm。并且，X方向的第一電阻部11的寬度、X方向的第二電阻部12的寬度、X方向的第三電阻部13的寬度、以及X方向的第四電阻部14的寬度相等。例如，該寬度是80μm。另外，電阻器R1的膜厚、電阻器R2的膜厚、電阻器R3的膜厚、以及電阻器R4的膜厚相等。例如，該膜厚是45nm。

在本實(shí)施方式中，被串聯(lián)連接的電阻器R1與電阻器R2之間的第一中點(diǎn)C1(電阻器R1與電阻器R2的連接點(diǎn))與被串聯(lián)連接的電阻器R3與電阻器R4之間的第二中點(diǎn)C2(電阻器R3與電阻器R4的連接點(diǎn))的電勢(shì)差(即，電壓)成為MR傳感器10的輸出，在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2(更具體地說(shuō)，記錄有磁道2c的磁數(shù)據(jù)和/或磁道2d的磁數(shù)據(jù)的卡片2)若通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則從MR傳感器10輸出信號(hào)。

并且，在本實(shí)施方式中，在通過(guò)磁頭7來(lái)讀取記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)時(shí)，在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG1如圖5(A)的實(shí)線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)被記錄于磁道2c的情況下，并且在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG2如圖5(A)的雙點(diǎn)劃線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)被記錄于磁道2d的情況下，若卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則第一中點(diǎn)C1的電位(中點(diǎn)電位)V1如圖5(B)的實(shí)線那樣變動(dòng)，第二中點(diǎn)C2的電位(中點(diǎn)電位)V2如圖5(B)的雙點(diǎn)劃線那樣變動(dòng)，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3如圖5(B)的粗實(shí)線那樣變動(dòng)。

即，在本實(shí)施方式中，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3與記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(即，磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。另外，在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生磁道2c的磁數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)比產(chǎn)生磁道2d的磁數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)強(qiáng)。因此，如圖5(A)所示，輸出信號(hào)SG2的振幅變得比輸出信號(hào)SG1的振幅小。并且，如圖5(B)所示，中點(diǎn)電位V2的振幅變得比中點(diǎn)電位V1的振幅小。

(本實(shí)施方式的主要效果)

如以上說(shuō)明那樣,在本實(shí)施方式中，若在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處,則信號(hào)從MR傳感器10輸出。

并且，在本實(shí)施方式中，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3與在磁條2a上記錄有的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。

因此，在本實(shí)施方式中，即使能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于磁條2a，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)電阻器R1～R4的形狀、配置等進(jìn)行改進(jìn)，由于能夠使MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3，與相應(yīng)于在磁條2a記錄有的磁數(shù)據(jù)的信號(hào)不同，因此能夠使MR傳感器10的結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，其結(jié)果是，能夠降低MR傳感器10的成本。

在本實(shí)施方式中，電阻器R1和電阻器R2在X方向上以離開距離D1的狀態(tài)配置，距離D1是指在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離。并且，電阻器R3和電阻器R4在X方向上以離開距離D2的狀態(tài)配置，距離D2是指在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離。

因此，在本實(shí)施方式中，從MR傳感器10輸出的輸出信號(hào)SG3的振幅能夠變大。因此，在本實(shí)施方式中，能夠檢測(cè)在卡片2的磁條2a記錄的磁數(shù)據(jù)是否恰當(dāng)。

在本實(shí)施方式中，電阻器R1～R4在Y方向上被多次折回而形成。因此，在本實(shí)施方式中，能夠使在電阻器R1～R4流動(dòng)的電流變小。因此，在本實(shí)施方式中，能夠抑制MR傳感器10的耗電量。

(實(shí)施方式1的變形例)

在上述的實(shí)施方式中，雖然電阻器R1～R4在Y方向上多次折回而形成，但是如圖6所示，電阻器R1～R4也可以形成為與Y方向平行的直線狀。在該情況下，例如與上述的形態(tài)相同，電阻器R1和電阻器R2在X方向上以離開距離D1的狀態(tài)配置，電阻器R3和電阻器R4在X方向上以離開距離D2的狀態(tài)配置。并且，在X方向上，電阻器R1和電阻器R3配置于大致相同的位置，電阻器R3和電阻器R4配置于大致相同的位置。另外，在圖6中，對(duì)與上述形態(tài)相同的結(jié)構(gòu)付與相同的符號(hào)。

雖然在上述的實(shí)施方式中，電阻器R1與電阻器R2的距離D1是在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離，但是距離D1也可以是除了在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離之外的其他的距離。同樣，雖然在上述的實(shí)施方式中，電阻器R3與電阻器R4的距離D2是在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離，但是距離D2也可以是除了在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離之外的其他的距離。

雖然在上述的實(shí)施方式中，第一電阻部11的間距P1和第二電阻部12的間距P2是在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的整數(shù)倍，但是間距P1、P2也可以是除了在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的整數(shù)倍之外的其他的數(shù)值。同樣，雖然在上述的實(shí)施方式中，第三電阻部13的間距P3和第四電阻部14的間距P4是在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的整數(shù)倍，但是間距P3、P4也可以是除了在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的整數(shù)倍之外的其他的數(shù)值。

[實(shí)施方式2]

(MR傳感器的結(jié)構(gòu))

圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的MR傳感器10的俯視圖。圖8是圖7所示的MR傳感器10的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

在實(shí)施方式1以及實(shí)施方式2中，MR傳感器10的結(jié)構(gòu)是不同的。因此，以下，以實(shí)施方式2涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)的不同點(diǎn)為中心，來(lái)對(duì)實(shí)施方式2涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。另外，在圖7中，對(duì)與實(shí)施方式1相同的結(jié)構(gòu)，付與相同的符號(hào)。

與實(shí)施方式1的MR傳感器10相同，本實(shí)施方式的MR傳感器10具有：彼此串聯(lián)連接的電阻器R1和電阻器R2，以及彼此串聯(lián)連接的電阻器R3和電阻器R4。電阻器R1和電阻器R2，與電阻器R3和電阻器R4并聯(lián)連接。并且，電阻器R2和電阻器R4被與電源Vcc連接，電阻器R1和電阻器R3接地。即，本實(shí)施方式的MR傳感器10的電路圖為圖3所示的電路圖。

若m為3以上的整數(shù)，則電阻器R1～R4在Y方向上被m-1次折回而形成。即，電阻器R1～R4在Y方向上被兩次以上折回而形成。在本實(shí)施方式中，為m＝4，電阻器R1～R4在Y方向上被三次折回而形成。電阻器R1具有四個(gè)(m個(gè))第一電阻部11，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R2具有四個(gè)(m個(gè))第二電阻部12，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R3具有四個(gè)(m個(gè))第三電阻部13，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R4具有四個(gè)(m個(gè))第四電阻部14，它們形成為與Y方向平行的直線狀。本實(shí)施方式的Y方向是第一方向。

如圖7所示，電阻器R1和電阻器R4在Y方向上配置于相同的位置。具體地說(shuō)，電阻器R1和電阻器R4在Y方向上配置于供磁道2c通過(guò)的位置。并且，電阻器R1和電阻器R4在X方向上以離開規(guī)定的距離(例如，1.06mm)的狀態(tài)配置。電阻器R2和電阻器R3在Y方向上配置于相同的位置。具體地說(shuō)，電阻器R2和電阻器R3在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置。并且，電阻器R2和電阻器R3在X方向上以離開規(guī)定的距離(例如，1.09mm)的狀態(tài)配置。并且，在X方向上，電阻器R1和電阻器R2配置于大致相同的位置，電阻器R3和電阻器R4配置于大致相同的位置。

將在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₁，將在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₂，將n₁、n₂設(shè)為零以上的整數(shù)，并且，如上述那樣，若將m設(shè)為3以上的整數(shù)，則X方向的四個(gè)第一電阻部11的間距P1和X方向的四個(gè)第四電阻部14的間距P4為(n₁λ₁/m+λ₁/2m)，X方向的四個(gè)第二電阻部12的間距P2和X方向的四個(gè)第三電阻部13的間距P3為(n₂λ₂/m+λ₂/2m)。

在本實(shí)施方式中，由于記錄于磁道2c的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是75bpi，因此λ₁是0.68mm(＝25.4×2/75)。并且，由于記錄于磁道2d的磁數(shù)據(jù)的記錄密度是210bpi，則λ₂是0.24mm(＝25.4×2/210)。并且，在本實(shí)施方式中，n₁＝0、n₂＝1。另外，在本實(shí)施方式中，如上述那樣，m＝4。因此，在本實(shí)施方式中，間距P1、P4是0.085mm，間距P2、P3是0.091mm。

另外，與實(shí)施方式1相同，Y方向的第一電阻部11的長(zhǎng)度、Y方向的第二電阻部12的長(zhǎng)度、Y方向的第三電阻部13的長(zhǎng)度、以及Y方向的第四電阻部14的長(zhǎng)度是相等的，例如，該長(zhǎng)度是2mm。并且，X方向的第一電阻部11的寬度、X方向的第二電阻部12的寬度、X方向的第三電阻部13的寬度、以及X方向的第四電阻部14的寬度是相等的，例如，該寬度是80μm。另外，電阻器R1的膜厚、電阻器R2的膜厚、電阻器R3的膜厚、以及電阻器R4的膜厚是相等的，例如，該膜厚是45nm。

與實(shí)施方式1相同，在本實(shí)施方式中，串聯(lián)連接的電阻器R1與電阻器R2之間的第一中點(diǎn)C1，與串聯(lián)連接的電阻器R3與電阻器R4之間的第二中點(diǎn)C2的電勢(shì)差成為MR傳感器10的輸出，若記錄有磁道2c的磁數(shù)據(jù)和/或磁道2d的磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則信號(hào)從MR傳感器10輸出。

并且，在通過(guò)磁頭7讀取記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)時(shí)，在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG1以如圖5(A)的實(shí)線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)記錄于磁道2c的情況下，并且，在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG2以如圖5(A)的雙點(diǎn)劃線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)記錄于磁道2d的情況下，若卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)，第一中點(diǎn)C1的電位(中點(diǎn)電位)V1如圖8的實(shí)線那樣變動(dòng)，第二中點(diǎn)C2的電位(中點(diǎn)電位)V2如圖8的雙點(diǎn)劃線那樣變動(dòng)，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3如圖8的粗實(shí)線那樣變動(dòng)。即，在本實(shí)施方式中，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也與在磁條2a上記錄的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(即，磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。

(本實(shí)施方式的主要效果)

如以上所述，在本實(shí)施方式中，若在磁條2a記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則信號(hào)從MR傳感器10輸出，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3與相應(yīng)于記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)的信號(hào)(磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。因此，在本實(shí)施方式中，也與實(shí)施方式1相同，即使能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于磁條2a，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本實(shí)施方式中，也能夠降低MR傳感器10的成本。

并且，在本實(shí)施方式中，由于X方向的第一電阻部11的間距P1和第四電阻部14的間距P4是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)，X方向的第二電阻部12的間距P2和第三電阻部13的間距P3是(n₂λ₂/m+λ₂/2m)，因此能夠減小在在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的,電阻器R1、電阻器R2、電阻器R3以及電阻器R4的各自的電阻變化率的振幅。

另外，雖然在實(shí)施方式1中，在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，來(lái)自MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3以與在磁條2a上記錄的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)的周期不同的周期而變動(dòng)，但是也是以與相應(yīng)于在磁條2a上記錄的磁數(shù)據(jù)的信號(hào)相近的形狀而變動(dòng)。因此，雖然在實(shí)施方式1中，在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，存在罪犯不法取得磁信息的風(fēng)險(xiǎn),但是在本實(shí)施方式中，即使在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也是與相應(yīng)于在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的信號(hào)完全不同的信號(hào)。因此，在本實(shí)施方式中，即使在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。

(實(shí)施方式2的變形例)

雖然在上述的實(shí)施方式中，第一電阻部11的間距P1和第四電阻部14的間距P4為(n₁λ₁/m+λ₁/2m)，但是間距P1、P4也可以是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)以外的數(shù)值。同樣，雖然在上述的實(shí)施方式中，四個(gè)第二電阻部12的間距P2以及第三電阻部13的間距P3為(n₂λ₂/m+λ₂/2m)，但是間距P2、P3也可以為(n₂λ₂/m+λ₂/2m)以外的數(shù)值。并且，雖然在上述的實(shí)施方式中，間距P1與間距P4是相等的，但是間距P1與間距P4也可以不同。同樣，雖然在上述的實(shí)施方式中，間距P2與間距P3是相等的，但是間距P2與間距P3也可以不同。

[實(shí)施方式3]

(MR傳感器的結(jié)構(gòu))

圖9是本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的MR傳感器10的俯視圖。圖10(A)是示出圖9所示的電阻器R1～R4的電阻變化率α1、α2與磁通密度的關(guān)系的圖表，圖10(B)是示出在圖10(A)中磁通密度為規(guī)定的數(shù)值時(shí)的電阻器R2、R3的電阻變化率α1；電阻器R1、R4的電阻變化率α2；以及電阻器R2、R3的電阻變化率α1與電阻器R1、R4的電阻變化率α2的比率的一覽表。圖11是示出圖9所示的MR傳感器10的輸出信號(hào)的一個(gè)例子的圖。

在實(shí)施方式1、2以及實(shí)施方式3中，MR傳感器10的結(jié)構(gòu)是不同的。因此，以下以與實(shí)施方式3涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1、2涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)的不同點(diǎn)為中心,來(lái)對(duì)實(shí)施方式3涉及的MR傳感器10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。另外，在圖9中，對(duì)與實(shí)施方式1、2相同的結(jié)構(gòu)，付與相同的符號(hào)。

與實(shí)施方式1、2的MR傳感器10相同，本實(shí)施方式的MR傳感器10具有：彼此串聯(lián)連接的電阻器R1和電阻器R2；以及彼此串聯(lián)連接的電阻器R3和電阻器R4。電阻器R1和電阻器R2，與電阻器R3和電阻器R4并聯(lián)連接。并且，電阻器R2和電阻器R4被連接于電源Vcc，電阻器R1和電阻器R3接地。即，本實(shí)施方式的MR傳感器10的電路圖是圖3所示的電路圖。

若與實(shí)施方式2相同，將m設(shè)為3以上的整數(shù)，則電阻器R1、R4在Y方向上被m-1次折回而形成。即，電阻器R1、R4在Y方向上被兩次以上折回而形成。在本實(shí)施方式中，m＝4，從而電阻器R1、R4在Y方向上被三次折回而形成。電阻器R1具有四個(gè)(m個(gè))第一電阻部11，它們形成為與Y方向平行的直線狀。電阻器R4具有四個(gè)(m個(gè))第四電阻部14，它們形成為與Y方向平行的直線狀。另外，電阻器R2和電阻器R3形成為與Y方向平行的直線狀。

如圖9所示，電阻器R1和電阻器R2，以Y方向的電阻器R1的中心與Y方向的電阻器R2的中心大致一致的方式配置。并且，電阻器R1和電阻器R2在Y方向上配置于供磁道2c通過(guò)的位置。

并且，電阻器R1和電阻器R2在X方向上以離開規(guī)定距離的狀態(tài)配置。電阻器R3和電阻器R4，以Y方向的電阻器R3的中心與Y方向的電阻器R4的中心大致一致的方式配置。并且，電阻器R3和電阻器R4在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置。并且，電阻器R3和電阻器R4在X方向上以離開規(guī)定距離的狀態(tài)配置。

在X方向上，電阻器R1和電阻器R4大致配置于相同的位置。

與實(shí)施方式2相同，將在磁道2c上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2c的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₁，將在磁道2d上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的磁道2d的比特間隔的兩倍設(shè)為λ₂，將n₁、n₂設(shè)為零以上的整數(shù)，并且，如上所述，若將m設(shè)為3以上的整數(shù)，則X方向的四個(gè)第一電阻部11的間距P1是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)。并且，X方向的四個(gè)第四電阻部14的間距P4是(n₂λ₂/m+λ₂/2m)。在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式2相同，由于λ₁是0.68mm，λ₂是0.24mm，n₁＝0，n₂＝1，并且m＝4，因此間距P1是0.085mm，間距P4是0.091mm。

X方向的電阻器R2的寬度是X方向的第一電阻部11的寬度的1/10以下。并且，X方向的電阻器R3的寬度是X方向的第四電阻部14的寬度的1/10以下。在本實(shí)施方式中，X方向的第一電阻部11的寬度和第四電阻部14的寬度，例如是80μm，X方向的電阻器R2的寬度和電阻器R3的寬度，例如是5μm。

另外，Y方向的第一電阻部11的長(zhǎng)度與Y方向的第四電阻部14的長(zhǎng)度相等，例如，該長(zhǎng)度是2mm。并且，Y方向的電阻器R2的長(zhǎng)度與Y方向的電阻器R3的長(zhǎng)度相同，例如，該長(zhǎng)度是0.5mm。另外，電阻器R1的膜厚、電阻器R2的膜厚、電阻器R3的膜厚以及電阻器R4的膜厚相等，例如該膜厚是45nm。

對(duì)此，在本實(shí)施方式中，X方向的電阻器R2的寬度和電阻器R3的寬度是5μm，由于X方向的電阻器R2、R3的寬度窄，因此即使磁場(chǎng)施加于電阻器R2、R3(即，即使在磁道2c、磁道2d上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)電阻器R2、R3的設(shè)置處)，電阻器R2、R3的電阻變化率也非常小。

并且，在X方向的電阻器R2、R3的寬度是X方向的第一電阻部11、第四電阻部14的寬度的1/10的情況下，相對(duì)于磁場(chǎng)的強(qiáng)度(磁通密度)的電阻器R2、R3的電阻變化率α1如圖10(A)的虛線那樣變動(dòng)，相對(duì)于磁通密度的電阻器R1、R4的電阻變化率α2如圖10(A)的實(shí)線那樣變動(dòng)。并且，記錄于卡片2的磁條2a的磁數(shù)據(jù)的磁通密度一般是0.5mT(毫特斯拉)～3mT。

因此，若X方向的電阻器R2、R3的寬度是X方向的第一電阻部11、第四電阻部14的寬度的1/10，則如圖10(B)所示，能夠?qū)⑾鄬?duì)于電阻器R1、R4的電阻變化率α2的電阻器R2、R3的電阻變化率α1的比率(α1/α2×100)抑制在28％以下。即，若X方向的電阻器R2、R3的寬度，是X方向的第一電阻部11、第四電阻部14的寬度的1/10的話，則能夠?qū)⑾鄬?duì)于電阻變化率α2的電阻變化率α1的比率抑制在1/3以下。并且，若X方向的電阻器R2、R3的寬度比X方向的第一電阻部11、第四電阻部14的寬度的1/10小的話，則能夠?qū)⑾鄬?duì)于電阻變化率α2的電阻變化率α1的比率進(jìn)一步減小。

若與實(shí)施方式1、2相同，在本實(shí)施方式中，串聯(lián)連接的電阻器R1與電阻器R2之間的第一中點(diǎn)C1與串聯(lián)連接的電阻器R3與電阻器R4之間的第二中點(diǎn)C2的電勢(shì)差作為MR傳感器10的輸出，若記錄有磁道2c的磁數(shù)據(jù)和/或磁道2d的磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則信號(hào)從MR傳感器10輸出。

并且，在通過(guò)磁頭7讀取記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)時(shí)，在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG1如圖5(A)的實(shí)線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)記錄于磁道2c的情況下，并且，在來(lái)自磁頭7的輸出信號(hào)SG2如圖5(A)的雙點(diǎn)劃線那樣變動(dòng)時(shí)的磁數(shù)據(jù)記錄于磁道2d的情況下，若卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則第一中點(diǎn)C1的電位(中點(diǎn)電位)V1如圖11的實(shí)線那樣而變動(dòng)，第二中點(diǎn)C2的電位(中點(diǎn)電位)V2如圖11的雙點(diǎn)劃線那樣而變動(dòng)，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3如圖11的粗實(shí)線那樣而變動(dòng)。

即，在本實(shí)施方式中，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也與記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(即，磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。另外，在本實(shí)施方式中，如上述那樣，由于能夠?qū)⑾鄬?duì)于電阻變化率α2的電阻變化率α1的比率抑制在1/3以下，因此能夠確保MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3的振幅的大小。

(本實(shí)施方式的主要效果)

如上所述，在本實(shí)施方式中，若在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處，則信號(hào)從MR傳感器10輸出，并且MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也與在磁條2a上記錄的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。因此，在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式1、2相同，即使能夠檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于磁條2a，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。并且，在本實(shí)施方式中，也能夠降低MR傳感器10的成本。

并且，在本實(shí)施方式中，由于X方向的第一電阻部11的間距P1是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)，X方向的第四電阻部14的間距P4是(n₂λ₂/m+λ₂/2m)，因此當(dāng)在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的、電阻器R1和電阻器R4的各自的電阻變化率的振幅能夠被減小。

另外，如上述那樣，在實(shí)施方式1中，雖然在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，存在罪犯不法取得磁信息的風(fēng)險(xiǎn)，但是在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式2相同，即使在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也是與相應(yīng)于在磁條2a上記錄的磁數(shù)據(jù)的信號(hào)完全不同的信號(hào)。

因此，在本實(shí)施方式中，即使在磁數(shù)據(jù)僅記錄于磁道2c或者磁道2d中的一方的情況下，也能夠阻止罪犯不法取得磁信息。

并且，在實(shí)施方式2中，例如，若產(chǎn)生磁道2c的磁數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)的強(qiáng)度與產(chǎn)生磁道2d的磁數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)的強(qiáng)度是大致相等的，從而通過(guò)電阻器R1、R4感知的磁場(chǎng)的強(qiáng)度與通過(guò)電阻器R2、R3感知的磁場(chǎng)的強(qiáng)度是大致相等的話，則雖然在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的規(guī)定的時(shí)刻，MR傳感器10的輸出降低，從而MR傳感器10的檢測(cè)精度可能降低，但在本實(shí)施方式中，能夠防止產(chǎn)生上述問(wèn)題。

(實(shí)施方式3的變形例)

圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例涉及的MR傳感器10的俯視圖。圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式3的變形例涉及的MR傳感器10的俯視圖。

在圖9所示的MR傳感器10中，電阻器R2和電阻器R3形成為與Y方向平行的直線狀。其他的例如，如圖12所示，電阻器R2和電阻器R3也可以在X方向上被多次折回而形成。具體地說(shuō)，電阻器R2和電阻器R3也可以以電阻器R2、R3的與X方向平行的部分比與電阻器R2、R3的與Y方向平行的部分長(zhǎng)的方式，在X方向上被多次折回而形成。另外，電阻器R2和/或電阻器R3也可以在X方向上被一次折回而形成。

即使在該情況下，對(duì)電阻器R2、R3施加磁場(chǎng)時(shí)的(即，在磁道2c、磁道2d上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)電阻器R2、R3的設(shè)置處時(shí)的)、電阻器R2、R3的電阻變化率也非常小。因此，即使在該情況下，在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3例如如圖11的粗實(shí)線那樣變動(dòng)。即，即使在該情況下，在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也與記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。因此，即使在該情況下，也能夠取得上述的實(shí)施方式3的效果。另外，在圖12中，對(duì)與圖9示出的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，付與相同的符號(hào)。

并且，如圖13所示，電阻器R2和電阻器R3也可以配置于從磁道2c通過(guò)的位置偏離的位置，且配置于從磁道2d通過(guò)的位置偏離的位置，電阻器R2和電阻器R3也可以在Y方向上配置于磁道2c通過(guò)的位置與磁道2d通過(guò)的位置之間。另外，雖然在圖13所示的例子中，電阻器R2、R3在Y方向上被多次折回而形成，但是電阻器R2、R3也可以形成為其他的形狀。

即使在該情況下，磁場(chǎng)施加于電阻器R2、R3時(shí)的(即，在磁道2c、磁道2d上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)電阻器R2、R3的設(shè)置處時(shí)的)、電阻器R2、R3的電阻變化率也非常小。因此，即使在該情況下，在磁條2a上記錄有磁數(shù)據(jù)的卡片2通過(guò)MR傳感器10的設(shè)置處時(shí)的MR傳感器10的輸出信號(hào)SG3也例如如圖11的粗實(shí)線那樣變動(dòng)，并與記錄于磁條2a的磁數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)(磁頭7的輸出信號(hào)SG1、SG2)不同。因此，即使在該情況下，也能夠獲得上述的實(shí)施方式3的效果。另外，在圖13中，對(duì)與圖9所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，付與相同的附號(hào)。

并且，雖然在圖9、圖12所示的MR傳感器10中，電阻器R2在Y方向上配置于供磁道2c通過(guò)的位置，但是電阻器R2也可以在Y方向上配置于偏離供磁道2c通過(guò)的位置。并且，雖然在圖9、圖12所示的MR傳感器10中，電阻器R3在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置，但是電阻器R3在Y方向上也可以配置于偏離供磁道2d通過(guò)的位置。

并且，雖然在圖9、圖12、圖13所示的MR傳感器10中，第一電阻部11的間距P1是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)，但是間距P1也可以是(n₁λ₁/m+λ₁/2m)之外的數(shù)值。同樣，雖然在圖9、圖12、圖13所示的MR傳感器10中，第四電阻部14的間距P4是(n₂λ₂/m+λ₂/2m)，但是間距P4也可以是(n₂λ₂/m+λ₂/2m)之外的數(shù)值。

[其他的實(shí)施方式]

雖然上述的實(shí)施方式是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)例子，但是并不限于此，在不改變本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形。

在實(shí)施方式1中，電阻器R3、R4在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置。另外，例如電阻器R3、R4在Y方向上也可以配置于供磁道2b通過(guò)的位置。在該情況下，在磁條2a上不記錄磁道2d的磁數(shù)據(jù)，而記錄磁道2b的磁數(shù)據(jù)。并且，雖然在實(shí)施方式2中，電阻器R2、R3在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置，但是電阻器R2、R3也可以在Y方向上配置于供磁道2b通過(guò)的位置。并且，雖然在圖9示出的MR傳感器10以及圖12示出的MR傳感器10中，電阻器R3、R4在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置，但是電阻器R3、R4也可以在Y方向上配置于供磁道2b通過(guò)的位置。并且，雖然在圖13示出的MR傳感器10中，電阻器R4在Y方向上配置于供磁道2d通過(guò)的位置，但是電阻器R4也可以在Y方向上配置于供磁道2b通過(guò)的位置。

在上述的實(shí)施方式中，雖然讀卡器1是具有驅(qū)動(dòng)輥8以及墊輥9的卡片搬運(yùn)式的讀卡器，但是讀卡器1也可以是用戶通過(guò)手動(dòng)來(lái)進(jìn)行操作的手動(dòng)式的讀卡器。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1 讀卡器

2 卡片

2a 磁條

2c 磁道(第一磁道)

2d 磁道(第二磁道)

3 卡片插入口

4 卡片插入部

10 MR傳感器

11 第一電阻部

12 第二電阻部

13 第三電阻部

14 第四電阻部

C1 第一中點(diǎn)

C2 第二中點(diǎn)

R1 電阻器(第一電阻器)

R2 電阻器(第二電阻器)

R3 電阻器(第三電阻器)

R4 電阻器(第四電阻器)

X 卡片的通過(guò)方向

Y 與卡片的通過(guò)方向正交的方向、第一方向