1.一種MR傳感器，其是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的所述磁條，
其特征在于,
所述MR傳感器具有：
第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,并配置于所述第一磁道通過(guò)的位置；以及
第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,并配置于所述第二磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第四電阻器與電源連接，
所述第一電阻器和所述第三電阻器接地，
串聯(lián)連接的所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MR傳感器，其特征在于，
所述第一電阻器和所述第二電阻器在所述卡片的通過(guò)方向上，以離開(kāi)在所述第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)之時(shí)的所述第一磁道的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離的狀態(tài)而配置，
所述第三電阻器和所述第四電阻器在所述卡片的通過(guò)方向上，以離開(kāi)在所述第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的所述第二磁道的比特間隔的一半的奇數(shù)倍的距離的狀態(tài)而配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MR傳感器，其特征在于，
所述第一電阻器、所述第二電阻器、所述第三電阻器以及所述第四電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的方向上，被多次折回而形成。
4.一種MR傳感器，其是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的所述磁條，
其特征在于,
所述MR傳感器具有：
第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及
第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,
所述第一電阻器和所述第四電阻器配置于所述第一磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第三電阻器配置于所述第二磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第四電阻器與電源連接，
所述第一電阻器和所述第三電阻器接地，
所述第一電阻器、所述第二電阻器、所述第三電阻器以及所述第四電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，
串聯(lián)連接的所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MR傳感器，其特征在于，
若將在所述第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的所述第一磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ1；將在所述第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的所述第二磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ2；將n1、n2設(shè)為0以上的整數(shù)、m設(shè)為3以上的整數(shù)，
則所述第一電阻器、所述第二電阻器、所述第三電阻器以及所述第四電阻器在所述第一方向上被m-1次折回而形成，
所述第一電阻器具有m個(gè)第一電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n1λ1/m+λ1/2m的間距配置，
所述第二電阻器具有m個(gè)第二電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n2λ2/m+λ2/2m的間距配置，
所述第三電阻器具有m個(gè)第三電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n2λ2/m+λ2/2m的間距配置，
所述第四電阻器具有m個(gè)第四電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n1λ1/m+λ1/2m的間距配置。
6.一種MR傳感器，其是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的所述磁條，
其特征在于,
所述MR傳感器具有：
第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及
第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,
所述第一電阻器配置于所述第一磁道通過(guò)的位置，
所述第四電阻器配置于所述第二磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第四電阻器與電源連接，
所述第一電阻器和所述第三電阻器接地，
所述第一電阻器以及所述第四電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，
所述第二電阻器和所述第三電阻器形成為與所述第一方向平行的直線狀，
所述第一電阻器具有三個(gè)以上的第一電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，
所述第四電阻器具有三個(gè)以上的第四電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，
在所述卡片的通過(guò)方向上的所述第二電阻器的寬度是在所述卡片的通過(guò)方向上的所述第一電阻部的寬度的1/10以下，
在所述卡片的通過(guò)方向上的所述第三電阻器的寬度是在所述卡片的通過(guò)方向上的所述第四電阻部的寬度的1/10以下，
串聯(lián)連接的所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。
7.一種MR傳感器，其是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的所述磁條，
其特征在于,
所述MR傳感器具有：
第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及
第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,
所述第二電阻器和所述第四電阻器與電源連接，
所述第一電阻器和所述第三電阻器接地，
所述第一電阻器以及所述第四電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，
所述第二電阻器以及所述第三電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被一次以上折回而形成，
串聯(lián)連接的所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的MR傳感器，其特征在于，
所述第二電阻器配置于所述第一磁道通過(guò)的位置，
所述第三電阻器配置于所述第二磁道通過(guò)的位置。
9.一種MR傳感器，其是用于檢測(cè)磁數(shù)據(jù)是否記錄于卡片的磁條的讀卡器用的MR傳感器,其中所述卡片具有能夠記錄第一磁道的磁數(shù)據(jù)以及第二磁道的磁數(shù)據(jù)的所述磁條，
其特征在于,
所述MR傳感器具有：
第一電阻器和第二電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接；以及
第三電阻器和第四電阻器,它們彼此串聯(lián)地連接,
所述第一電阻器配置于所述第一磁道通過(guò)的位置，
所述第四電阻器配置于所述第二磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第三電阻器配置于偏離所述第一磁道通過(guò)的位置，并且配置于偏離所述第二磁道通過(guò)的位置，
所述第二電阻器和所述第四電阻器與電源連接，
所述第一電阻器和所述第三電阻器接地，
所述第一電阻器以及所述第四電阻器在與所述卡片的通過(guò)方向正交的第一方向上被兩次以上折回而形成，
串聯(lián)連接的所述第一電阻器與所述第二電阻器之間的第一中點(diǎn)與串聯(lián)連接的所述第三電阻器與所述第四電阻器之間的第二中點(diǎn)的電勢(shì)差成為輸出。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的MR傳感器，其特征在于，
若將在所述第一磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的所述第一磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ1；將在所述第二磁道上記錄有零數(shù)據(jù)時(shí)的所述第二磁道的比特間隔的兩倍設(shè)為λ2；將n1、n2設(shè)為0以上的整數(shù)、m設(shè)為3以上的整數(shù)，
則所述第一電阻器以及所述第四電阻器在所述第一方向上被m-1次折回而形成，
所述第一電阻器具有m個(gè)第一電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n1λ1/m+λ1/2m的間距配置，
所述第四電阻器具有m個(gè)第四電阻部，它們形成為與所述第一方向平行的直線狀，并且在所述卡片的通過(guò)方向上，以n2λ2/m+λ2/2m的間距配置。
11.一種讀卡器，其特征在于，具有：
權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的MR傳感器；以及
卡片插入部，其形成有供所述卡片插入的卡片插入口，并且配置有所述MR傳感器。