1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
存儲(chǔ)器串，將第1選擇晶體管、存儲(chǔ)單元晶體管及第2選擇晶體管串聯(lián)連接而成；
位線，連接在所述第1選擇晶體管的一端；
源極線，連接在所述第2選擇晶體管的一端；
第1選擇線，連接在所述第1選擇晶體管的柵極；
字線，連接在所述存儲(chǔ)單元晶體管的柵極；
第2選擇線，連接在所述第2選擇晶體管的柵極；以及
控制電路，進(jìn)行所述第1選擇晶體管的寫入動(dòng)作；且
所述控制電路是在所述寫入動(dòng)作中，在對(duì)所述第1選擇線施加寫入電壓之前進(jìn)行所述位線的預(yù)充電動(dòng)作；
在所述預(yù)充電動(dòng)作中，
對(duì)所述字線及所述第2選擇線施加第1電壓，
對(duì)所述源極線施加高于所述第1電壓的第2電壓，
對(duì)所述第1選擇線施加高于所述第1電壓的第3電壓。
2.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包括：
存儲(chǔ)器串，將第1選擇晶體管、存儲(chǔ)單元晶體管及第2選擇晶體管串聯(lián)連接而成；
位線，連接在所述第1選擇晶體管的一端；
源極線，連接在所述第2選擇晶體管的一端；
第1選擇線，連接在所述第1選擇晶體管的柵極；
字線，連接在所述存儲(chǔ)單元晶體管的柵極；
第2選擇線，連接在所述第2選擇晶體管的柵極；以及
控制電路，進(jìn)行所述存儲(chǔ)單元晶體管的寫入動(dòng)作；且
所述控制電路是在所述寫入動(dòng)作中，在對(duì)所述字線施加寫入電壓之前進(jìn)行所述位線的預(yù)充電動(dòng)作；
在所述預(yù)充電動(dòng)作中，
對(duì)所述第1選擇線及所述第2選擇線施加第1電壓，
對(duì)所述源極線施加高于所述第1電壓的第2電壓，
對(duì)所述字線施加高于所述第1電壓的第3電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
所述存儲(chǔ)器串形成在井上，
所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還包括連接在所述井的井線，
所述第2電壓也被施加至所述井線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：還包括讀出放大器，所述讀出放大器連接在所述位線，讀出保存在所述存儲(chǔ)單元晶體管的數(shù)據(jù)，
在所述預(yù)充電動(dòng)作中，所述讀出放大器與所述位線間未電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：
還包括讀出放大器，所述讀出放大器連接在所述位線，且讀出保存在所述存儲(chǔ)單元晶體管的數(shù)據(jù)，
所述控制電路還進(jìn)行驗(yàn)證動(dòng)作，
在所述預(yù)充電動(dòng)作中，
當(dāng)通過了驗(yàn)證動(dòng)作時(shí)，所述讀出放大器與所述位線間未電連接，
當(dāng)驗(yàn)證動(dòng)作為失敗時(shí)，從所述讀出放大器對(duì)所述位線施加接地電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述控制電路是在所述寫入動(dòng)作之后，使所述第3電壓增量，再次執(zhí)行寫入動(dòng)作。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述控制電路是在所述寫入動(dòng)作之后，使所述第3電壓增量，再次執(zhí)行寫入動(dòng)作。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第3電壓的增量進(jìn)行多次。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第3電壓的增量進(jìn)行多次。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第3電壓低于所述第2電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第1電壓為接地電壓或負(fù)電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：所述第1選擇晶體管、所述存儲(chǔ)單元晶體管以及所述第2選擇晶體管沿著與半導(dǎo)體襯底交叉的方向排列。