本發(fā)明的各實施例及其實現(xiàn)方式涉及存儲器，尤其是電可擦除可編程(eeprom)類型的非易失性存儲器，并且更特別地涉及向這些存儲器寫入數(shù)據(jù)的操作。

背景技術(shù)：

在eeprom存儲器中，存儲于存儲器位置中的比特的邏輯值是用浮置柵極晶體管的閾值電壓的值來表示的，其可以通過寫操作來被任意修改。一個寫操作一般包括擦除步驟及伴隨其后的編程步驟。

然而，在某些情況下，寫操作可以只包括擦除步驟或只包括編程步驟。因此，例如，如果待寫入的字僅包含“0”，則只需要擦除步驟。如果需要寫入數(shù)字字的存儲器位置的先前內(nèi)容已經(jīng)僅包含“0”，則擦除步驟是不必要的。

對浮置柵極晶體管的編程或擦除包括：采用量級可以是10伏到20伏、典型值是13伏的高電壓脈沖vpp，利用通過被稱作“隧道氧化物”的柵氧化物的隧道效應(yīng)(fowler-nordheim效應(yīng))來向晶體管的浮置柵極注入電荷或從晶體管的浮置柵極取出電荷。

eeprom存儲器的寫入所需的這一13伏高電壓是非還原性的，并且非常受限于技術(shù)工藝和產(chǎn)品的可靠性。

實際上，平板印刷的減少，換言之，刻蝕分辨率的提高，導(dǎo)致了操作電壓的下降，并且，尤其是由于晶體管的源極/漏極結(jié)的泄漏和隧道氧化物的擊穿，這一高寫入電壓變得更有問題。

因此，晶體管的過早老化和擊穿的這些風(fēng)險對產(chǎn)品的可靠性有著直接的影響，并且可施加的最大高電壓vpp受限于存儲器單元的穩(wěn)健性。

此外，當(dāng)電壓vpp接近這里討論的元件的最大允許電壓時，通常會因為雪崩效應(yīng)而出現(xiàn)高的泄漏電流。這些電流劇烈增加到高于特定閾值，并且電荷泵就無法繼續(xù)為其供電。這會導(dǎo)致擦除不盡或編程不足，并且泄漏的這些風(fēng)險因此會對電路的功能性產(chǎn)生直接影響。

特別地，通過fowler-nordheim效應(yīng)獲得隧道電流所需的電場與所施加的電壓vpp、漏極-浮置柵極耦合因子、隧道氧化物層的厚度的倒數(shù)成比例。

使存儲器單元的耦合因子最大化并使隧道氧化物的厚度最小化能夠部分地解決該問題，但是這些技術(shù)已經(jīng)達到了它們的最大可能性(耦合因子已超過80％且隧道氧化物的厚度小于)。

施加擦除脈沖和編程脈沖的持續(xù)時間的增加是有限的，因為這會導(dǎo)致不可接受的寫入次數(shù)。

因此，特別地，對于eeprom類型的非易失性存儲器而言，寫入問題為其現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展設(shè)置了障礙。

此外，存在需要用低功率進行存儲器操作的需求，因此限制了實現(xiàn)的電壓的值，特別是對于采用小型電池的比如助聽器之類的自主系統(tǒng)，或者對于射頻識別“rfid”標(biāo)簽。

因此，需要降低這一高電壓vpp，且與此同時，要能確?？煽壳矣行У叵虼鎯ζ魑恢脤懭霐?shù)據(jù)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個實施例及其實現(xiàn)方式，其思想是局部地激勵存儲器單元的浮置柵極的電勢，以便增加穿過隧道氧化物的電場。

這樣，由于增加了注入浮置柵極之中或從浮置柵極中取出的電荷量，就使得用同樣的高電壓來提高編程或擦除的效率明顯成為可能，或者說，通過施加更低的電壓來保持相同的編程或擦除效率明顯成為可能。

因此，有利地提供一種存儲器位置，其包括兩個存儲器單元，這兩個存儲器單元的狀態(tài)晶體管的浮置柵極相互連接在一起，其思想是將其中一個存儲器單元作為“升壓單元”，以便激勵另一個被稱作“常規(guī)單元”的存儲器單元。

根據(jù)一個實施例及其實現(xiàn)方式，還有利地提供在這兩個存儲器單元的耐受力方面的應(yīng)力隨時間的分布。

根據(jù)一個方面，提供了在電可擦除可編程存儲器類型的存儲器位置中的寫入過程，包括用于寫入數(shù)據(jù)值的至少一個操作(或周期)，該操作包括擦除步驟和/或編程步驟，每一步驟均利用隧道效應(yīng)。

根據(jù)該方面的一般特征，存儲器位置包括第一存儲器單元和第二存儲器單元，第一存儲器單元包括第一晶體管，第一晶體管具有在第一浮置柵極之下的第一氧化物；第二存儲器單元包括第二晶體管，第二晶體管具有在第二浮置柵極之下的第二氧化物，第二浮置柵極與第一浮置柵極相連接。

此外，擦除步驟和/或編程步驟均包括第一階段和第二階段，在第一階段中，通過每個氧化物實現(xiàn)相同的隧道效應(yīng)，而在第二階段中，增加第一氧化物和第二氧化物中的一個氧化物的端子間的電壓，與此同時，降低另一存儲器單元的另一晶體管的另一氧化物的端子間的電壓(這因此扮演存儲器單元的角色)。

根據(jù)一個實施例，所述晶體管中的每一個晶體管進一步包括控制柵極，所述擦除步驟包括：在第一階段期間，向第一晶體管和第二晶體管中的控制柵極施加擦除電壓并向其漏極施加零電壓；以及在第二階段期間，在第一晶體管和第二晶體管中的一個晶體管的漏極上維持零電壓并向另一存儲器單元的另一晶體管的漏極施加第一輔助電壓，第一輔助電壓的值被選擇為使得增加該另一晶體管的浮置柵極的電勢。

第一輔助電壓可以等于或小于擦除電壓。

因此，在第一階段期間，兩個浮置柵極晶體管以類似的方式被擦除，接收相同的擦除脈沖并且對擦除操作的貢獻是一致的。

在第二階段期間，舉例來說，如果假設(shè)第二存儲器單元是升壓單元，則第二浮置柵極晶體管的漏極電壓增加以止住隧道電流的流動并通過電容耦合來增加浮置柵極的電勢?？绲谝谎趸锏碾妷阂虼松仙?，從而帶來隧道電流的增加。

換言之，向第二晶體管的漏極施加第一輔助電壓導(dǎo)致在該第二晶體管的漏極與浮置柵極之間獲得了電勢差，該電勢差不足以產(chǎn)生隧道電流。

根據(jù)一個實施例，所述編程步驟包括：在第一階段期間，向第一晶體管的漏極和第二晶體管的漏極施加編程電壓；以及在第二階段期間，向第一晶體管和第二晶體管中的一個晶體管的漏極施加所述編程電壓并向另一晶體管的漏極施加第二輔助電壓，第二輔助電壓的值被選擇為使得降低該另一晶體管的浮置柵極的電勢。

因此，在第一階段期間，兩個浮置柵極晶體管都用類似的方式被編程，接收相同的編程脈沖并且對編程的貢獻是一致的。

在第二階段期間，舉例來說，仍然假設(shè)第二存儲器單元是升壓單元，則第二浮置柵極晶體管的漏極電壓下降，從而止住隧道電流的流動并且通過電容耦合降低浮置柵極的電勢，并因此提升了跨第一氧化物的電壓。

同樣，在第二階段期間，第二晶體管的漏極和浮置柵極之間的電勢差不足以產(chǎn)生隧道電流。

優(yōu)選地，第二輔助電壓的值為非零。

這尤其允許避免相鄰位線之間的電流泄漏。

擦除步驟之后可以是編程步驟。

根據(jù)一個實施例，所述另一存儲器單元(也就是，升壓存儲器單元)在擦除步驟和編程步驟中可以相同。

然而，被稱作“常規(guī)”的存儲器單元在耐受力方面比升壓存儲器單元面臨更大應(yīng)力，因為在擦除和編程兩個階段期間均有隧道電流流經(jīng)其隧道氧化物。

因此，在某些應(yīng)用中，有利地，例如可以在選定的時刻互換存儲器位置的這兩個存儲器單元的角色。

因此，例如，所述另一存儲器單元(升壓存儲器單元)在擦除步驟和編程步驟中可以不相同。

此外，在一個包括有若干連續(xù)寫操作(或周期)的實施例中，有利地，所述另一存儲器單元(升壓存儲器單元)可以例如隨寫操作的不同而不同。

根據(jù)另一方面，還提供了一種電可擦除可編程存儲器類型的存儲器器件，包括：至少一個存儲器位置，該存儲器位置包括第一存儲器單元和第二存儲器單元，第一存儲器單元包括第一晶體管，第一晶體管具有在第一浮置柵極之下的第一氧化物，第二存儲器單元包括第二晶體管，第二晶體管具有在第二浮置柵極之下的第二氧化物，第二浮置柵極與第一浮置柵極相連接；以及控制裝置，被配置用于執(zhí)行在存儲器位置中寫入數(shù)據(jù)值的至少一個操作，該操作包括擦除和/或編程步驟，其中在第一階段中實現(xiàn)通過每個氧化物的相同隧道效應(yīng)，并且在第二階段中實現(xiàn)增大第一氧化物和第二氧化物中的一個氧化物的端子間的電壓并減小另一存儲器單元的另一晶體管的另一氧化物的端子間的電壓。

根據(jù)一個實施例，其中所述晶體管中的每一個晶體管進一步包括控制柵極，控制裝置被配置用于通過以下操作執(zhí)行擦除：在第一階段期間向第一晶體管和第二晶體管的控制柵極施加擦除電壓并對其漏極施加零電壓，以及在第二階段期間向第一晶體管和第二晶體管中的一個晶體管的漏極施加零電壓并向另一存儲器單元的另一晶體管的漏極施加第一輔助電壓，第一輔助電壓的值被選擇為使得增加該另一晶體管的浮置柵極的電勢。

所述第一輔助電壓可以等于所述擦除電壓。

根據(jù)一個實施例，控制裝置被配置用于通過以下操作執(zhí)行編程：在第一階段期間向第一晶體管的漏極和第二晶體管的漏極施加編程電壓，以及在第二階段期間向第一晶體管和第二晶體管中的一個晶體管的漏極施加所述編程電壓并向另一存儲器單元的另一晶體管的漏極施加第二輔助電壓，該第二輔助電壓的值被選擇為使得降低該另一晶體管的浮置柵極的電勢。

控制裝置可以被配置為使得第二輔助電壓的所述值為非零。

控制裝置可以被配置用于執(zhí)行所述至少一個寫操作，該寫操作包括擦除步驟和伴隨其后的編程步驟。

根據(jù)一個實施例，控制裝置被配置用于執(zhí)行所述至少一個寫操作，其中所述另一存儲器單元在擦除步驟和編程步驟中相同或者不同。

根據(jù)一個實施例，控制裝置被配置用于執(zhí)行若干連續(xù)的寫操作，其中所述另一存儲器單元隨不同寫操作而不同。

附圖說明

通過閱讀非限制性的實施例及其實現(xiàn)方式的詳細(xì)描述并參考附圖，本發(fā)明的其他優(yōu)點和特征將變得清楚，其中：

圖1至圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的存儲器器件及其實現(xiàn)方式的實施例。

具體實施方式

圖1示出了eeprom類型的存儲器器件的一個實施例，該存儲器器件包括：在存儲器平面pm上的存儲器位置ptm；以及常規(guī)元件，用于實現(xiàn)諸如位線鎖存器bll、控制裝置mcm、經(jīng)由讀總線busr特別地將存儲器平面pm與讀放大器ampl相連接的開關(guān)元件。

特別地，讀放大器ampl被配置用于讀取存儲于存儲器位置ptm中的比特的內(nèi)容。

存儲器位置ptm包括兩個相同的存儲器單元celr、celb。第一存儲器單元celr被稱作“常規(guī)單元”，而第二存儲器單元celb被稱作“升壓單元”。

常規(guī)存儲器單元celr包括稱為“常規(guī)”的第一狀態(tài)晶體管tfgr和由通過字線wl傳遞的信號所控制的第一存取晶體管tar，第一存取晶體管tar的漏極連接到第一位線blr。該第一存取晶體管tar的源極連接到第一狀態(tài)晶體管tfgr的漏極。

第一狀態(tài)晶體管tfgr在其控制柵極cgr上由通過控制線cgl傳遞的信號所控制。第一狀態(tài)晶體管tfgr包括在第一氧化層oxr頂部上的第一浮置柵極fgr，該第一氧化層面向晶體管tfgr的漏極的部分稱作隧道氧化物。另一方面，第一狀態(tài)晶體管tfgr的源極與源極線slr相連接。

類似地，升壓存儲器單元celb包括被稱作“升壓狀態(tài)晶體管”tfgb的第二狀態(tài)晶體管和由通過字線wl傳遞的信號所控制的第二存取晶體管tab，該第二存取晶體管tab的漏極連接到第二位線blr且其源極連接到第二狀態(tài)晶體管tfgb的漏極。

升壓狀態(tài)晶體管tfgb在其控制柵極cgb上由通過控制線cgl傳遞的控制信號所控制并包括在第二氧化層oxb頂部上的第二浮置柵極fgb，該第二氧化層面向其漏極的部分稱作隧道氧化物。另一方面，狀態(tài)晶體管tfgb的源極與源極線slb相連接。

此外，狀態(tài)晶體管的相應(yīng)浮置柵極fgr、fgb連接在一起，形成公共浮置柵極fg。

為簡化起見，僅示出了一個存儲器位置ptm，并有意地沒有示出對于理解本發(fā)明并非不可或缺的常規(guī)手段。

回顧一下，在擦除存儲器單元的傳統(tǒng)步驟期間，向該單元的狀態(tài)晶體管的控制柵極施加擦除電壓(高電壓)且向狀態(tài)晶體管的漏極施加零電壓。

在傳統(tǒng)編程步驟期間，向狀態(tài)晶體管的漏極施加編程電壓(高電壓)且向狀態(tài)晶體管的控制柵極施加零電壓。

在下文中將更具體地看出，存儲器位置中的兩個單元之一，例如第一單元，將經(jīng)歷傳統(tǒng)的擦除和/或編程步驟，而存儲器位置中的另一單元，例如第二單元，將在第一階段期間經(jīng)歷傳統(tǒng)的擦除和/或編程步驟，然后在第二階段期間將使第二氧化物的端子間的電壓下降使得將公共浮置柵極的電勢“升壓”，換言之，用這種方式改變它以增加第一氧化物的端子間的電壓并以相關(guān)聯(lián)的方式改善第一單元的隧道效應(yīng)。

雖然，在這里描述的示例中，用于“升壓”另一單元的單元是第二單元，但是當(dāng)然可以想到，基于對稱性可以用第一單元來“升壓”第二單元。

鎖存器bll通常包括兩個交叉連接的反相器并因此能存儲數(shù)據(jù)值，例如，目的是將該數(shù)據(jù)值寫入在存儲器位置中。數(shù)據(jù)值通過由控制裝置mcm傳遞的data和col信號來預(yù)先加載到鎖存器中。由res信號控制的復(fù)位晶體管通常允許在鎖存器bll的輸出上迫零。

鎖存器bll的輸出控制兩個晶體管tblr和tblb，這兩個晶體管被配置用于分別向相應(yīng)位線blr和blb施加編程信號vblr和vblb，該編程信號例如也是由控制裝置mcm傳遞的。

在此表述中，開關(guān)元件包括兩個晶體管tblr和tblb以及兩個晶體管tr、tb，晶體管tr、tb也由控制裝置mcm傳遞的相應(yīng)信號colr和colb所控制并連接在相應(yīng)位線blr、blb和讀總線busr之間。

圖2示出了圖1中的存儲器位置ptm中的狀態(tài)晶體管tfgr、tfgb中的任一晶體管，在此用tfg表示。

晶體管tfg包括連接到控制線cgl的控制柵極cg、浮置柵極fg、連接到位線bl的漏極和連接到源極線sl的源極。

如圖2所示，控制柵極cg和浮置柵極fg之間存在耦合電容cc，并且在晶體管tfg的漏極和浮置柵極fg之間存在電容cd。

因此，在存儲器位置ptm內(nèi)的公共浮置柵極fg被結(jié)合到等效電容電路中，在圖3中以省略晶體管tfg相對于電容cc和cd的溝道電容的簡化方式示出。該等效電容電路受控于在位線blr和blb上并且也在控制線cgl上存在的信號。

在下面的部分中，vcg、vfg、vblr和vblb分別表示在控制線cgl上存在的電壓、在公共浮置柵極fg上存在的電壓、在位線blr上存在的電壓和在位線blb上存在的電壓。

基于圖3的表示，直接得到等式(i):

vfg≈vcg×cc/(cc+cd)+vblr×cd/2(cc+cd)+vblb×cd/2(cc+cd)(i)

圖4是表示在擦除eff和編程prg步驟期間的浮置柵極電勢vfg的伏特(v)值的表。

電勢vfg是根據(jù)電壓vcg、vblr、vblb、vwl、vslr和vslb來確定的，且從等式(i)可知，電壓vwl、vslr、vslb分別表示字線wl和源極線slr及slb上存在的電壓。

該表中的值以示例的方式給出，且浮置柵極上的電壓vfg對應(yīng)于將表中的電壓值和cc＝1及cd＝0.4的數(shù)值代入等式(i)。

圖5示出了在圖4中的示例中分別施加于控制線cgl及升壓晶體管tfgb和常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的漏極的電壓vcg、vblr、vblb的分布。

該示例包括擦除步驟eff，擦除步驟eff包括第一階段pe1和第二階段pe2；其后伴隨有編程步驟prg，該編程步驟prg包括第一階段pp1和第二階段pp2。

電壓通常由電荷泵產(chǎn)生，該電壓具有是斜坡形并在之后伴隨有在期望電壓處的平臺的分布。

在擦除步驟eff和編程步驟prg期間，隧道電流受狀態(tài)晶體管的漏極和浮置柵極之間的電勢差控制。

在擦除步驟eff的第一階段pe1期間，將值為vppe＝12v的擦除電壓施加于狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb的控制柵極。

狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb的漏極分別處于零電勢vslr和vslb，零電勢vslr和vslb是通過源極線slr和slb傳遞的。電勢vslr和vslb通過由于控制線cg上的高電壓vcg＝vppe而被迫進入導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb來被傳送到漏極。

結(jié)果，在第一階段pe1期間，通過應(yīng)用等式(i)，公共浮置柵極fg通過電容耦合爬升至電勢vfge1＝8.6v。

因此，相應(yīng)晶體管的漏極和浮置柵極fgr、fgb之間的電勢差是8.6v，并且擦除過程按照傳統(tǒng)方式執(zhí)行并在兩個狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb上用同一模式。

在擦除步驟eff的第二階段pe2期間，擦除電壓vppe持續(xù)施加于存儲器位置中的狀態(tài)晶體管的控制柵極。

此外，輔助電壓施加于升壓狀態(tài)晶體管tfgb的漏極。該輔助電壓通過值vbooste＝12v的電壓源vblb、經(jīng)由位線blb和存取晶體管tab傳遞，其中該存取晶體管tab由其柵極上的vwl＝12v電壓而呈現(xiàn)為導(dǎo)通。在升壓狀態(tài)晶體管tfgb的漏極上得到的電壓基本上等于10v。

以與在第一階段pe1期間相同的方式，在常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的漏極上存在的電壓為零。

結(jié)果，在第二階段pe2期間，通過應(yīng)用等式(i)，公共浮置柵極fg通過電容耦合爬升至電勢vfge2＝10v。

常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的浮置柵極與其漏極之間的電勢差因此基本上等于10v。升壓狀態(tài)晶體管tfgb的浮置柵極fgb與其漏極之間的電勢差幾乎為零，不足以產(chǎn)生隧道電流。

因此，在第二擦除階段期間，擦除過程單獨在常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr上執(zhí)行，其浮置柵極fgr與其漏極之間的電勢差相對于常規(guī)過程增加了1.4v。

因為隧道電流以指數(shù)方式依賴于隧道電壓，在向浮置柵極fg注入電荷的方面，1.4v的浮置柵極電勢fg的該增益對在擦除步驟的該第二階段pe2中流經(jīng)升壓晶體管tfgb的隧道氧化物oxb的電流缺失起了決定作用。

在編程步驟的第一階段pp1期間，將值vppp＝12v的編程電壓施加于升壓狀態(tài)晶體管tfgb和常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的漏極。

該電壓vppp通過電壓源vblr和vblb、經(jīng)由位線blr和blb及存取晶體管tar和tab傳遞，其中存取晶體管tar和tab由于施加于其柵極的信號vwl＝15v而呈現(xiàn)導(dǎo)通。

狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb的控制柵極cgr和cgb處于通過控制線cgl傳遞的電勢vcg＝0v。

結(jié)果，在第一階段pp1期間，通過應(yīng)用等式(i)，公共浮置柵極fg通過電容耦合達到電勢vfgp1＝3.4v。

因此，相應(yīng)狀態(tài)晶體管的漏極和浮置柵極fgr、fgb之間的電勢差是8.6v，并且編程過程按照常規(guī)方式執(zhí)行并在兩個狀態(tài)晶體管tfgr和tfgb上用同一模式。

在編程步驟prg的第二階段pp2期間，替代編程電壓vppp，將比編程電壓更低的第二輔助電壓vboostp施加于升壓狀態(tài)晶體管tfgb的漏極。

有利地，編程電壓vppp至第二輔助電壓vboostp的轉(zhuǎn)變可以采用下降斜坡的形式。

一般而言，通過使電流隨時間更均勻地分布，相對于陡變而言，電壓轉(zhuǎn)變采用了斜坡方式使得隧道電流的峰值的影響減小。

以與第一階段pp1期間相同的方式，在常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的漏極上出現(xiàn)的電壓是編程電壓vppp。

有利地，第二輔助電壓vboostp的值為非零，例如等于2v。這使得在相鄰位線之間的電流泄漏得以避免且不會明顯地降低公共浮置柵極fg的電勢vfg的“升壓”效應(yīng)。

結(jié)果，在第二階段pp2期間，通過應(yīng)用等式(i)，公共浮置柵極fg通過電容耦合下降到電勢vfgp2＝2v。

常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的浮置柵極fgr與其漏極之間的電勢差因此基本上等于10v。升壓狀態(tài)晶體管tfgb的浮置柵極fgb與其漏極之間的電勢差因此幾乎為零，就不足以產(chǎn)生隧道電流。

在編程步驟pp2的第二階段期間，編程過程因此單獨在常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr上執(zhí)行，其浮置柵極fgr與其漏極之間的電勢差相對于通常的過程增加了1.4v。

以與擦除步驟的第二階段pe2類似的方式，在隧道電流的流動方面，1.4v的該增益對在編程步驟的該第二階段pp2期間流經(jīng)隧道氧化物oxb的電流缺失起了決定作用。

此外，浮置柵極晶體管的閾值電壓的變化與浮置柵極的電勢的變化和控制柵極與浮置柵極之間的耦合因子的倒數(shù)成比例。因此，浮置柵極電勢的增大就會更多地增大已擦除的狀態(tài)晶體管的閾值電壓。類似地，浮置柵極電勢的減少甚至更多地減少已編程的狀態(tài)晶體管的閾值電壓。

結(jié)果，關(guān)于存儲器位置的讀取，這些“已升壓”的擦除和/或編程步驟使得已擦除的狀態(tài)晶體管的閾值電壓的值升高大約2v和/或已編程的狀態(tài)晶體管的閾值電壓值降低大約2v。

此外，需要注意的是，在傳統(tǒng)的讀操作期間，存儲器位置的兩個存儲器單元中的一個和/或另一個可以被讀取。

優(yōu)選地，另一方面，圖4所示的源極線slr、slb上的電壓值使得在狀態(tài)晶體管的導(dǎo)通端子間獲得源-漏電壓，該源-漏電壓在擦除操作期間仍然大致為零，因此避免了從位線到通常耦合到地的源極之間發(fā)生短路。

總之，升壓狀態(tài)晶體管tfgb的隧道氧化物oxb既作為能在擦除和編程步驟的第二階段期間從將要被升壓的常規(guī)狀態(tài)晶體管中轉(zhuǎn)移電荷的電壓耦合電容器，也作為對在第一階段期間傳遞電荷的支持，顯著地減輕了常規(guī)狀態(tài)晶體管tfgr的隧道氧化物oxr上的負(fù)擔(dān)。

在狀態(tài)晶體管的閾值電壓的值中得到的增益，相對于常規(guī)技術(shù)而言，明顯使得在已擦除或已編程的狀態(tài)晶體管的給定閾值電壓的情況下高電壓vpp降低和/或在給定高壓vpp和給定閾值電壓的情況下使得狀態(tài)晶體管的隧道氧化層的厚度增加。

這帶來的有益結(jié)果尤其在于減少功耗，或者減少由于制作工藝的性質(zhì)而不能經(jīng)受常規(guī)的高寫入電壓(如vpp＝13v)的電路的使用，和/或改善數(shù)據(jù)的保持。

本發(fā)明不限于剛才描述的實施例及其實現(xiàn)方式，還包含它們的所有變形。

因此，在前面展現(xiàn)的示例中，存儲器位置中的每個存儲器單元被分配有準(zhǔn)確的角色，即：與第一狀態(tài)晶體管相關(guān)聯(lián)的第一存儲器單元是“常規(guī)”角色，并且與第二狀態(tài)晶體管相關(guān)聯(lián)的第二存儲器單元是“升壓”角色。

然而，有利地，可以交換所述第一和第二存儲器單元的角色，換言之，在一些情況下，也可以向與第二狀態(tài)晶體管相關(guān)聯(lián)的第二存儲器單元分配“常規(guī)”角色，并且向與第一狀態(tài)晶體管相關(guān)聯(lián)的第一存儲器單元分配“升壓”角色。

這明顯使得隧道電流分布在所述第一和第二隧道氧化物中的一個或另一個上。

例如，這樣的角色變換可以應(yīng)用于一個寫周期的擦除步驟和編程步驟之間，或者應(yīng)用于從一個寫周期到另一個寫周期。