技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及用于改善EEPROM存儲器的寫操作的方法及相應(yīng)器件。用于在存儲器位置中進行寫入的方法包括用于寫入數(shù)據(jù)值的至少一個操作，該操作包括均使用隧道效應(yīng)的擦除和/或編程步驟。存儲器位置包括第一存儲器單元和第二存儲器單元，第一存儲器單元包括具有在第一浮置柵極之下的第一氧化物的第一晶體管，而第二存儲器單元包括具有在第二浮置柵極之下的第二氧化物的第二晶體管，第二浮置柵極與第一浮置柵極連接；擦除和/或編程步驟均包括第一階段和第二階段，在第一階段中通過每個氧化物實現(xiàn)相同的隧道效應(yīng)，而在第二階段中增加第一氧化物和第二氧化物中的一個氧化物的端子間的電壓并同時降低另一存儲器單元的另一晶體管的另一氧化物的端子間的電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：F·塔耶特
受保護的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.28
技術(shù)公布日：2017.08.29