本發(fā)明涉及阻變存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于初始化阻變存儲器的電路及阻變存儲器。

背景技術(shù)：

阻變存儲器(Resistive Random Access Memory，RRAM)與目前主流的非揮發(fā)性存儲器Flash閃存相比具有諸多優(yōu)勢，如結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低、易于集成、低操作電壓、低功耗等。阻變存儲器的每個存儲單元是一個簡單的兩端器件，可以采用雙極型或單極型器件，每個存儲單元在制備完成后都處于一個高阻狀態(tài)，需要先對存儲單元進(jìn)行初始化，在初始化完成之后，存儲單元可以在較低的電壓下完成置位(高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變)和復(fù)位(低阻態(tài)向高阻態(tài)轉(zhuǎn)變)操作。

目前阻變存儲器的電源電壓一般是1.8V或3.3V，置位和復(fù)位操作電壓可以通過適當(dāng)?shù)钠骷O(shè)計和電學(xué)操作條件控制在電源電壓以下，而初始化電壓往往要高于電源電壓。現(xiàn)有技術(shù)中，用于初始化阻變存儲器的電路一般采用電荷泵電路，將電源電壓升壓到需要的初始化電壓。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下技術(shù)問題：

用于初始化阻變存儲器的電路所生成的初始化電壓相對于整個阻變存儲器來說是一個高壓，該升壓電路的設(shè)計增加了芯片設(shè)計的復(fù)雜程度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供的用于初始化阻變存儲器的電路及阻變存儲器，能夠降低芯片設(shè)計的復(fù)雜程度，縮短設(shè)計周期，節(jié)省成本。

第一方面，本發(fā)明提供一種用于初始化阻變存儲器的電路，所述電路包括：第一傳輸門、第二傳輸門、第一非門、第二非門和限流管，其中，

所述第一傳輸門的C端和所述第二傳輸門的端連接于同一個外部使能信號；

所述第一非門用于將所述第一傳輸門的C端信號取反送入所述第一傳輸門的端；

所述第二非門用于將所述第二傳輸門的端信號取反送入所述第二傳輸門的C端；

所述第一傳輸門的輸出端和所述第二傳輸門的輸出端接于一點(diǎn)并連接到所述阻變存儲器的行譯碼器；

所述第一傳輸門的輸入端連接寫驅(qū)動電路的輸出端；

所述限流管接在所述第二傳輸門的輸入端和外部高壓信號之間。

可選地，所述限流管采用P溝道增強(qiáng)型MOSFET。

可選地，所述限流管的源極和所述第二傳輸門的輸入端連接，所述限流管的漏極和外部高壓信號連接。

可選地，所述限流管的柵極電壓可調(diào)。

可選地，所述外部使能信號連接到所述阻變存儲器的第一測試端口。

可選地，所述外部高壓信號連接到所述阻變存儲器的第二測試端口。

第二方面，本發(fā)明提供一種阻變存儲器，所述阻變存儲器包括上述用于初始化阻變存儲器的電路。

本發(fā)明提供的用于初始化阻變存儲器的電路及阻變存儲器，包括第一傳輸門、第二傳輸門、第一非門、第二非門和限流管，其中第一傳輸門和第二傳輸門分別實(shí)現(xiàn)正常寫驅(qū)動電路和外部高壓信號輸入通路的打開和關(guān)閉，第一非門用于第一傳輸門使能信號的取反，第二非門用于第二傳輸門使能信號的取反，限流管用于限制外部高壓信號輸入通路上的電流，在阻變存儲器晶圓測試時使能外部高壓信號輸入通路，將外部高壓信號引入阻變存儲器以實(shí)現(xiàn)對存儲單元的初始化，在阻變存儲器電路設(shè)計時不用設(shè)計升壓電路來產(chǎn)生初始化需要的高壓，與現(xiàn)有技術(shù)相比，降低了芯片設(shè)計的復(fù)雜程度，縮短了設(shè)計周期，節(jié)省成本和芯片面積。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的用于初始化阻變存儲器的電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為利用本發(fā)明實(shí)施例提供的用于初始化阻變存儲器的電路實(shí)現(xiàn)初始化的操作流程。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于初始化阻變存儲器的電路，如圖1所示，所述電路包括：第一傳輸門11、第二傳輸門12、第一非門13、第二非門14和限流管15，其中，

所述第一傳輸門11的C端和所述第二傳輸門12的端連接于同一個外部使能信號；

所述第一非門13用于將所述第一傳輸門11的C端信號取反送入所述第一傳輸門11的端；

所述第二非門14用于將所述第二傳輸門12的端信號取反送入所述第二傳輸門12的C端；

所述第一傳輸門11的輸出端和所述第二傳輸門12的輸出端接于一點(diǎn)并連接到所述阻變存儲器的行譯碼器；

所述第一傳輸門11的輸入端連接寫驅(qū)動電路的輸出端；

所述限流管15接在所述第二傳輸門12的輸入端和外部高壓信號之間。

具體地，本實(shí)施例中選用的阻變存儲器采用電極型1T1R的存儲陣列，首先在芯片設(shè)計時完成上述用于初始化阻變存儲器的電路的設(shè)計，其中所述外部使能信號連接到芯片的某個測試端口，該信號可以由芯片內(nèi)部邏輯產(chǎn)生，也可以連接到芯片外部，在初始化存儲單元的過程中，該信號選定為低電平，而在初始化完成之后再將該信號固定為高電平；所述外部高壓信號直接連接到芯片的另一個測試端口，以便在CP(Chip Probing，晶圓測試)測試時將所述外部高壓信號直接引入芯片內(nèi)部，所述外部高壓信號從測試機(jī)獲取。

所述電路中，限流管15用于限制外部高壓信號輸入通路上的電流，所述限流管15可以采用P溝道增強(qiáng)型MOSFET，能有效降低高壓傳輸過程中的閾值損失同時起到電流鉗制的作用；所述限流管15的源極和所述第二傳輸門12的輸入端連接，所述限流管15的漏極和外部高壓信號連接；通過調(diào)節(jié)所述限流管15的柵極電壓可以控制初始化過程中的電流能力。第一傳輸門11和第二傳輸門12分別實(shí)現(xiàn)正常寫驅(qū)動電路和外部高壓信號輸入通路的打開和關(guān)閉，避免使用單個晶體管來進(jìn)行選通，有效降低了電壓傳輸過程中的閾值損失，提升電壓的傳輸效率；所述第一傳輸門11和所述第二傳輸門12的使能信號相互耦合，實(shí)現(xiàn)了一個外部使能信號對正常寫驅(qū)動電路和外部高壓信號輸入通路兩個通路的有效控制。

當(dāng)外部使能信號為高電平時，所述第一傳輸門11打開同時所述第二傳輸門12關(guān)閉，此時寫驅(qū)動電路工作，通過行譯碼器將寫操作需要的電壓送到選中單元的位線上，同時配合列譯碼器開啟選中單元所串聯(lián)的晶體管，完成對所述選中單元的寫操作；當(dāng)外部使能信號為低電平時，所述第一傳輸門11關(guān)閉同時所述第二傳輸門12打開，此時外部高壓信號輸入通路工作，外部高壓信號通過所述限流管15和所述第二傳輸門12接入行譯碼器，進(jìn)而將外部高壓信號送到選中單元的位線上，同時配合列譯碼器完成對選中單元的初始化。

本發(fā)明實(shí)施例提供的用于初始化阻變存儲器的電路，包括第一傳輸門、第二傳輸門、第一非門、第二非門和限流管，其中第一傳輸門和第二傳輸門分別實(shí)現(xiàn)正常寫驅(qū)動電路和外部高壓信號輸入通路的打開和關(guān)閉，第一非門用于第一傳輸門使能信號的取反，第二非門用于第二傳輸門使能信號的取反，限流管用于限制外部高壓信號輸入通路上的電流，在阻變存儲器晶圓測試時使能外部高壓信號輸入通路，將外部高壓信號引入阻變存儲器以實(shí)現(xiàn)對存儲單元的初始化，在阻變存儲器電路設(shè)計時不用設(shè)計升壓電路來產(chǎn)生初始化需要的高壓，與現(xiàn)有技術(shù)相比，降低了芯片設(shè)計的復(fù)雜程度，縮短了設(shè)計周期，節(jié)省成本和芯片面積。

利用本發(fā)明實(shí)施例提供的用于初始化阻變存儲器的電路，如圖2所示，整個初始化的操作流程包括：

S21、在阻變存儲器芯片完成流片后，測試機(jī)臺對芯片進(jìn)行CP測試；

S22、以測試模式進(jìn)入芯片，將編程電壓結(jié)點(diǎn)通過芯片測試端口與測試機(jī)臺的探針連接；

S23、通過測試機(jī)臺的探針將存儲單元初始化需要的高壓信號送入存儲單元的位線；

S24、輸入編程命令觸發(fā)整個存儲陣列的編程操作，以實(shí)現(xiàn)阻變存儲器的初始化。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種阻變存儲器，所述阻變存儲器包括上述用于初始化阻變存儲器的電路。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。