技術(shù)特征：

1.一種用于初始化阻變存儲器的電路，其特征在于，所述電路包括：第一傳輸門、第二傳輸門、第一非門、第二非門和限流管，其中，

所述第一傳輸門的C端和所述第二傳輸門的端連接于同一個(gè)外部使能信號；

所述第一非門用于將所述第一傳輸門的C端信號取反送入所述第一傳輸門的端；

所述第二非門用于將所述第二傳輸門的端信號取反送入所述第二傳輸門的C端；

所述第一傳輸門的輸出端和所述第二傳輸門的輸出端接于一點(diǎn)并連接到所述阻變存儲器的行譯碼器；

所述第一傳輸門的輸入端連接寫驅(qū)動電路的輸出端；

所述限流管接在所述第二傳輸門的輸入端和外部高壓信號之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述限流管采用P溝道增強(qiáng)型MOSFET。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述限流管的源極和所述第二傳輸門的輸入端連接，所述限流管的漏極和外部高壓信號連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述限流管的柵極電壓可調(diào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述外部使能信號連接到所述阻變存儲器的第一測試端口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述外部高壓信號連接到所述阻變存儲器的第二測試端口。

7.一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器包括如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的用于初始化阻變存儲器的電路。