技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器芯片。具體地，提供了能夠以低誤差執(zhí)行高速搜索的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器芯片。匹配放大器區(qū)根據(jù)匹配線的電壓來確定搜索數(shù)據(jù)與CAM單元陣列的條目中的內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的一致或不一致。匹配放大器區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)NMOS晶體管以及一個(gè)或多個(gè)PMOS晶體管。匹配放大器區(qū)具有匹配線的電壓的輸入的死區(qū)，并且具有在匹配放大器區(qū)中不存在貫通電流的屬性。

技術(shù)研發(fā)人員：岸田正信
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.27
技術(shù)公布日：2017.08.25