技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種讀取方法及閃存存儲器裝置，讀取方法應用于閃存存儲器裝置，閃存存儲器裝置包括非易失性半導體存儲單元陣列，包括：判斷是否讀取所述非易失性半導體存儲單元陣列的全部存儲單元，若是，則對所述全部存儲單元相應字線施加電壓，以進行第一次感應操作；對在所述第一次感應操作后，判定為關(guān)態(tài)的存儲單元進行第二次感應操作，其中，在所述第一次感應操作時字線上施加的電壓和第二次感應操作時字線上施加的電壓的差值在預設范圍內(nèi)，所述第二次感應操作對應感應時間不小于第一次感應操作對應感應時間。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，能夠通過兩次感應操作對閃存存儲器裝置進行讀取，以降低共源線的噪聲，保證讀取操作的準確率高。

技術(shù)研發(fā)人員：杜智超;付祥;王頎;霍宗亮;葉甜春
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.07.18