本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲器、存儲設(shè)備及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來，隨著工藝的發(fā)展，存儲器件可以通過多層堆疊的方式提升存儲容量和存儲密度，然而，多層存儲層堆疊后，存儲密度成倍增加，但與存儲器件互連的靈敏放大器(sense?amplifier，sa)的數(shù)量也會成倍增加，這會導(dǎo)致占用更大的面積，導(dǎo)致靈敏放大器的繞線資源緊張，靈敏放大器的繞線間距減小，制備工藝的難度更大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供了一種存儲器、存儲設(shè)備及電子設(shè)備，用以改善多層存儲層堆疊會導(dǎo)致靈敏放大器的數(shù)量增加、靈敏放大器的繞線間距減小等問題。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供了一種存儲器，存儲器包括襯底以及在襯底上沿垂直于襯底方向堆疊的多個存儲層，每個存儲層包括沿平行于襯底方向分布的第一位線、第二位線以及多個存儲單元，第一位線，第二位線分別連接多個存儲單元，存儲器還包括第一選通電路、第二選通電路及靈敏放大器，靈敏放大器包括第一輸入端與第二輸入端，其中第一選通電路包括選擇端、輸出端以及多個輸入端，第一選通電路的多個輸入端與多個第一位線一一對應(yīng)連接，此處多個第一位線分別位于不同的存儲層，第一選通電路的輸出端與靈敏放大器的第一輸入端連接，第一選通電路的選擇端用于接收第一選通電路選擇控制信號；第二選通電路包括選擇端、輸出端以及多個輸入端，第二選通電路的多個輸入端與多個第二位線一一對應(yīng)連接，多個第二位線分別位于多個存儲層，第二選通電路的輸出端與靈敏放大電路的第二輸入端連接，第二選通電路的選擇端用于接收第二選通電路選擇控制信號；第一選通電路用于將多個第一位線中的一個與靈敏放大器的第一輸入端導(dǎo)通，第二選通電路用于將多個第二位線中的一個與靈敏放大器的第二輸入端導(dǎo)通。

3、本技術(shù)實施例提供的存儲器通過堆疊多個存儲層提高存儲密度，通過設(shè)置第一選通電路、第二選通電路實現(xiàn)不同存儲層共用靈敏放大器，其中靈敏放大器的第一輸入端通過第一選通電路連接多個第一位線，多個第一位線分別位于不同的存儲層；靈敏放大器的第二輸入端通過第二選通電路連接多個第二位線，多個第二位線分別位于不同的存儲層，第一選通電路可以從其連接的多個第一位線中選擇一個與靈敏放大器的第一輸入端導(dǎo)通；第二選通電路可以從其連接的多個第二位線中選擇一個與靈敏放大器的第二輸入端導(dǎo)通，這樣不同存儲層的第一位線、第二位線可以連接同一個靈敏放大器，可以減少存儲器中所需靈敏放大器的數(shù)量，降低靈敏放大器所占的面積，提高靈敏放大器的繞線間距，降低工藝難度。

4、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一選通電路、第二選通電路均包括多個開關(guān)，開關(guān)包括第一端、第二端和控制端；其中第一選通電路的每個輸入端均通過一個開關(guān)與第一選通電路的輸出端連接，其中，該開關(guān)的第一端連接第一選通電路的輸入端，開關(guān)的第二端連接第一選通電路的輸出端，開關(guān)的控制端連接第一選通電路的選擇端；第二選通電路的每個輸入端分別通過一個開關(guān)與第二選通電路的輸出端連接，其中，第二選通電路的開關(guān)的控制端連接第二選通電路的選擇端，開關(guān)的第一端連接第二選通電路的輸入端，開關(guān)的第二端連接第二選通電路的輸出端。

5、本技術(shù)實施例提供的存儲器中，第一選通電路的每個輸入端通過一個開關(guān)與輸出端連接，開關(guān)的控制端與第一選通電路的選擇端連接，第一選通電路的多個開關(guān)可以根據(jù)選擇端的第一選通電路選擇控制信號擇一導(dǎo)通，當(dāng)?shù)谝贿x通電路的選擇端接收的第一選通電路選擇控制信號控制該開關(guān)導(dǎo)通時，將相應(yīng)的第一位線與靈敏放大器的第一輸入端導(dǎo)通；同理，第二選通電路的多個開關(guān)可以根據(jù)第二選通電路的選擇端的第二選通電路選擇控制信號擇一導(dǎo)通，當(dāng)?shù)诙x通電路的選擇端接收的第二選通電路選擇控制信號控制開關(guān)導(dǎo)通時，將相應(yīng)的第二位線與靈敏放大器的第二輸入端導(dǎo)通，實現(xiàn)多個存儲層的位線共享靈敏放大器。

6、在一種可能的實現(xiàn)方式中，上述開關(guān)可以為晶體管，晶體管可以采用傳統(tǒng)cmos電路中的n型或者p型晶體管實現(xiàn)，這樣第一選通電路、第二選通電路可以利用前道工藝實現(xiàn)；或者，這里的晶體管可以用基于氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管來實現(xiàn)，而基于氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管與后道工藝兼容，因此第一選通電路和第二選通電路可以利用后道工藝來實現(xiàn)，在這種情況下，各個存儲層對應(yīng)的選通晶體管可以與該存儲層同層設(shè)置。

7、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一選通電路包括第一輸入端、第二輸入端、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一選擇端和第二選擇端；第二選通電路包括第一輸入端、第二輸入端、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一選擇端和第二選擇端；第一選通電路的第一開關(guān)的第一端與第一選通電路的第一輸入端連接，第一開關(guān)的第二端與第一選通電路的輸出端連接，第一開關(guān)的控制端與第一選通電路的第一選擇端連接；第一選通電路的第二開關(guān)的第一端與第一選通電路的第二輸入端連接，第二開關(guān)的第二端與第一選通電路的輸出端連接，第二開關(guān)的控制端與第一選通電路的第二選擇端連接；第二選通電路的第一開關(guān)的第一端與第二選通電路的第一輸入端連接，第一開關(guān)的第二端與第二選通電路的輸出端連接，第一開關(guān)的控制端與第二選通電路的第一選擇端連接；第二選通電路的第二開關(guān)的第一端與第二選通電路的第二輸入端連接，第二開關(guān)的第二端與第二選通電路的輸出端連接，第二開關(guān)的控制端與第二選通電路的第二選擇端連接。

8、本技術(shù)實施例提供的存儲器，第一選通電路包括多個選擇端，每個選擇端與一個輸入端對應(yīng)，例如，第一選通電路的第一選擇端的第一選通電路選擇控制信號(也可以稱為第一選通電路第一選擇控制信號)用于控制第一輸入端與輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)，第二選擇端的第一選通電路選擇控制信號(也可以稱為第一選通電路第二選擇控制信號)用于控制第二輸入端與輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)；同理，對于第二選通電路而言，它的第一選擇端的第二選通電路選擇控制信號(也可以稱為第二選通電路第一選擇控制信號)用于控制第一輸入端與輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)，第二選擇端的第二選通電路選擇控制信號(也可以稱為第二選通電路第二選擇控制信號)用于控制第二輸入端與輸出端的導(dǎo)通狀態(tài)，通過第一選通電路的選擇端的第一選通電路選擇控制信號可以實現(xiàn)將第一選通電路連接的多個第一位線擇一與靈敏放大器的第一輸入端導(dǎo)通，通過第二選通電路的選擇端的第二選通電路選擇控制信號實現(xiàn)將第二選通電路連接的多個第二位線擇一與靈敏放大器的第二輸入端導(dǎo)通。

9、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一選通電路的第一選擇端用于接收第一選通電路第一選擇控制信號，第二選通電路的第一選擇端用于接收第第二選通電路第一選擇控制信號，第一選通電路第一選擇控制信號與第二選通電路第一選擇控制信號為同一個選擇控制信號；第一選通電路的第二選擇端用于接收第一選通電路第二選擇控制信號，第二選通電路的第二選擇端用于接收第二選通電路第二選擇控制信號，第一選通電路第二選擇控制信號與第二選通電路第二選擇控制信號為同一個選擇控制信號。

10、本技術(shù)實施例提供的存儲器中，第一選通電路、第二選通電路用于實現(xiàn)不同存儲層的第一位線、第二位線共享同一個靈敏放大器，由于靈敏放大器正常工作需要以一對位線作為參考才可以讀出數(shù)據(jù)或?qū)懭霐?shù)據(jù)，因此，第一選通電路、第二選通電路的選擇端可以連接同一個選擇控制信號，這樣當(dāng)選擇控制信號可以同時控制第一選通電路、第二選通電路選通，例如第一選通電路的第一選擇端和第二選通電路的第一選擇端接收同一個選擇控制信號(例如第一選通電路第一選擇控制信號或者第二選通電路第一選擇控制信號)，第一選通電路的第二選擇端和第二選通電路的第二選擇端用于接收同一個選擇控制信號(例如第一選通電路第二選擇控制信號或者第二選通電路第二選擇控制信號)，當(dāng)?shù)谝贿x通電路第一選擇控制信號或者第二選通電路第一選擇控制信號使能時，將第一選通電路的第一選擇端連接的第一位線、第二選通電路的第一選擇端連接的第二位線與靈敏放大器導(dǎo)通；當(dāng)?shù)谝贿x通電路第二選擇控制信號或者第二選通電路第二選擇控制信號使能時，將第一選通電路的第二選擇端連接的第一位線、第二選通電路的第二選擇端連接第二位線與靈敏放大器導(dǎo)通，第一選通電路的第一選擇端、第二選通電路的第一選擇端連接相同的選擇控制信號，這樣可以減少用于傳輸選擇控制信號的信號線的數(shù)量。

11、在一種可能的實現(xiàn)方式中，靈敏放大器還包括第一電源端、第二電源端以及靈敏放大電路，靈敏放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管；第一晶體管的第一端連接第一輸入端，第二晶體管的第一端連接第二輸入端，第一晶體管的第二端、第二晶體管的第二端與第一電源端連接，第一晶體管的柵極與第二輸入端連接，第二晶體管的柵極與第一輸入端連接；第三晶體管的第一端連接第一輸入端，第四晶體管的第一端連接第二輸入端，第三晶體管的第二端、第四晶體管的第二端與第二電源端連接，第三晶體管的柵極與第二輸入端連接，第四晶體管的柵極與第一輸入端連接。

12、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一晶體管、第二晶體管為n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，第三晶體管、第四晶體管為p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。

13、在一種可能的實現(xiàn)方式中，靈敏放大器還包括均壓晶體管和預(yù)充電電路；其中，均壓晶體管的第一端與靈敏放大器的第一輸入端連接，均壓晶體管的第二端與靈敏放大電路的第二輸入端連接；預(yù)充電電路包括第一充電晶體管及第二充電晶體管，第一充電晶體管的第一端與靈敏放大器的第一輸入端連接，第二充電晶體管的第一端與靈敏放大器的第二輸入端連接，第一充電晶體管的第二端、第二充電晶體管的第二端與參考電壓端連接；均壓晶體管的柵極、第一充電晶體管的柵極及第二充電晶體管的柵極用于接收平均控制信號，第一充電晶體管、第二充電晶體管用于響應(yīng)于平均控制信號將靈敏放大器的第一輸入端和第二輸入端預(yù)充電至參考電壓端的電壓；均壓晶體管用于響應(yīng)于平均控制信號使靈敏放大器的第一輸入端和第二輸入端的電壓相同。

14、在一種可能的實現(xiàn)方式中，均壓晶體管和預(yù)充電電路通過前道工藝實現(xiàn)。

15、在一種可能的實現(xiàn)方式中，靈敏放大器還包括均壓晶體管和多個預(yù)充電電路；均壓晶體管的第一端與靈敏放大器的第一輸入端連接，均壓晶體管的第二端與靈敏放大電路的第二輸入端連接，均壓晶體管的柵極用于接收平均控制信號，均壓晶體管用于響應(yīng)于平均控制信號使靈敏放大器的第一輸入端和第二輸入端的電壓相同；多個預(yù)充電電路與多個存儲層一一對應(yīng)，其中，預(yù)充電電路包括第一充電晶體管及第二充電晶體管，第一充電晶體管的第一端與預(yù)充電電路對應(yīng)的存儲層的第一位線連接，第二充電晶體管的第一端與預(yù)充電電路對應(yīng)的存儲層的第二位線連接，第一充電晶體管的第二端、第二充電晶體管的第二端與參考電壓端連接，第一充電晶體管的柵極、第二充電晶體管的柵極用于響應(yīng)于存儲層對應(yīng)的預(yù)充電控制信號對存儲層的第一位線和第二位線預(yù)充電至參考電壓端的電壓。

16、在一種可能的實現(xiàn)方式中，均壓晶體管通過前道工藝實現(xiàn)，預(yù)充電電路通過后道工藝實現(xiàn)，或者，均壓晶體管、預(yù)充電電路均通過前道工藝實現(xiàn)。

17、本技術(shù)實施例提供的存儲器設(shè)置有均壓晶體管以及對應(yīng)于堆疊的多個存儲層設(shè)置有多個預(yù)充電電路，預(yù)充電電路用于將該預(yù)充電電路對應(yīng)的存儲層的第一位線、第二位線充電至參考電壓端的電壓(即參考電壓)，這樣可以避免該存儲層未被選中時，未被選中的存儲層的第一位線和第二位線出現(xiàn)浮空狀態(tài)。此外，上述均壓晶體管可以通過前道工藝實現(xiàn)，而預(yù)充電電路既可以通過前道工藝實現(xiàn)，也可以通過后道工藝實現(xiàn)，例如上述預(yù)充電電路中的第一充電晶體管、第二充電晶體管可以用傳統(tǒng)cmos電路中的n型或者p型晶體管實現(xiàn)，置于前道，也可以用基于氧化物半導(dǎo)體的晶體管實現(xiàn)，這種情況下，可以將各個存儲層對應(yīng)的第一充電晶體管、第二充電晶體管與該存儲層置于同一層。

18、在一種可能的實現(xiàn)方式中，靈敏放大器還包括第一電源端、第二電源端、靈敏放大電路以及漂移補償電路，靈敏放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管；第一晶體管的第一端與第三晶體管的第一端連接，第二晶體管的第一端與第四晶體管的第一端連接，第一晶體管的第二端、第二晶體管的第二端與第一電源端連接；第三晶體管的第二端、第四晶體管的第二端與第二電源端連接，第二晶體管的柵極、第四晶體管的柵極與靈敏放大器的第一輸入端連接；第一晶體管的柵極、第三晶體管的柵極與靈敏放大器的第二輸入端連接；漂移補償電路包括第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管以及第八晶體管；第五晶體管的第一端與第一晶體管的第一端、第三晶體管的第一端連接，第五晶體管的第二端與靈敏放大器的第二輸入端連接；第六晶體管的第一端與第二晶體管的第一端、第四晶體管的第一端連接，第六晶體管的第二端與靈敏放大器的第一輸入端連接，第五晶體管的柵極、第六晶體管的柵極用于接收第一漂移補償控制信號；第七晶體管的第一端與第一晶體管的第一端、第三晶體管的第一端連接，第七晶體管的第二端與靈敏放大器的第一輸入端連接；第八晶體管的第一端與第二晶體管的第一端、第四晶體管的第一端連接，第八晶體管的第二端與靈敏放大器的第二輸入端連接，第七晶體管的柵極、第八晶體管的柵極用于接收第二漂移補償控制信號。

19、設(shè)置漂移補償電路，可以補償因為工藝原因?qū)е碌撵`敏放大電路中第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管的閾值電壓漂移，避免因為閾值電壓漂移導(dǎo)致靈敏放大電路錯誤感測第一位線或第二位線上的數(shù)據(jù)。

20、在一種可能的實現(xiàn)方式中，靈敏放大器還包括充電晶體管，充電晶體管的第一端與參考電源端連接，充電晶體管的第二端連接靈敏放大器的第一輸入端，充電晶體管的柵極用于接收預(yù)充電控制信號，響應(yīng)于預(yù)充電控制信號進行充電。

21、在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一晶體管、第二晶體管為n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，第三晶體管、第四晶體管為p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。

22、在一種可能的實現(xiàn)方式中，存儲器為開放位線結(jié)構(gòu)，第一位線和第二位線位于不同的存儲陣列。

23、在一種可能的實現(xiàn)方式中，存儲器為折疊位線結(jié)構(gòu)，第一位線和第二位線位于相同的存儲陣列。

24、第二方面，本技術(shù)實施例還提供一種存儲設(shè)備，存儲設(shè)備包括控制器以及如第一方面任意一種實現(xiàn)方式提供的存儲器，控制器與存儲器連接。

25、第三方面，本技術(shù)實施例還提供一種電子設(shè)備，電子設(shè)備包括電路板以及與電路板連接的存儲設(shè)備，此處存儲設(shè)備為第二方面提供的存儲設(shè)備。