技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括襯底以及在所述襯底上沿垂直于所述襯底方向堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)層，每個(gè)所述存儲(chǔ)層包括沿平行于所述襯底方向分布的第一位線、第二位線以及多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述第一位線、所述第二位線分別連接多個(gè)所述存儲(chǔ)單元；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一選通電路、所述第二選通電路均包括多個(gè)開關(guān)，所述開關(guān)包括控制端、第一端及第二端；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一選通電路包括第一輸入端、第二輸入端、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一選擇端和第二選擇端；所述第二選通電路包括第一輸入端、第二輸入端、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一選擇端和第二選擇端；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一選通電路的第一選擇端用于接收第一選通電路第一選擇控制信號(hào)，所述第二選通電路的第一選擇端用于接收第二選通電路第一選擇控制信號(hào)，所述第一選通電路第一選擇控制信號(hào)與所述第二選通電路第一選擇控制信號(hào)為同一個(gè)選擇控制信號(hào)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括第一電源端、第二電源端以及靈敏放大電路，所述靈敏放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管為n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，所述第三晶體管、所述第四晶體管為p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括均壓晶體管和預(yù)充電電路；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述均壓晶體管和所述預(yù)充電電路通過(guò)前道工藝實(shí)現(xiàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括均壓晶體管和多個(gè)預(yù)充電電路；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述均壓晶體管通過(guò)前道工藝實(shí)現(xiàn)，所述預(yù)充電電路通過(guò)后道工藝實(shí)現(xiàn)，或者，所述均壓晶體管、所述預(yù)充電電路均通過(guò)前道工藝實(shí)現(xiàn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括第一電源端、第二電源端、靈敏放大電路以及漂移補(bǔ)償電路，所述靈敏放大電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管；

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述靈敏放大器還包括充電晶體管，所述充電晶體管的第一端與參考電源端連接，所述充電晶體管的第二端連接所述靈敏放大器的第一輸入端，所述充電晶體管的柵極用于接收預(yù)充電控制信號(hào)，響應(yīng)于所述預(yù)充電控制信號(hào)對(duì)所述靈敏放大器充電。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管為n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，所述第三晶體管、所述第四晶體管為p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為開放位線結(jié)構(gòu)，所述第一位線和所述第二位線位于不同的存儲(chǔ)陣列。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～13任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為折疊位線結(jié)構(gòu)，所述第一位線和所述第二位線位于相同的存儲(chǔ)陣列。

16.一種存儲(chǔ)設(shè)備，其特征在于，所述存儲(chǔ)設(shè)備包括控制器以及如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器，所述控制器與所述存儲(chǔ)器連接。

17.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括電路板以及與所述電路板連接的存儲(chǔ)設(shè)備，所述存儲(chǔ)設(shè)備為如權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)設(shè)備。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)設(shè)備及電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用以改善多層存儲(chǔ)層堆疊導(dǎo)致的靈敏放大器的數(shù)量增加、繞線間距減小等問(wèn)題；存儲(chǔ)器包括堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)層，還包括第一選通電路、第二選通電路及靈敏放大器，第一選通電路包括多個(gè)輸入端與一個(gè)輸出端，多個(gè)輸入端與不同存儲(chǔ)層的第一位線一一對(duì)應(yīng)連接，輸出端與靈敏放大器的第一輸入端連接；第二選通電路包括多個(gè)輸入端與一個(gè)輸出端，多個(gè)輸入端與不同存儲(chǔ)層的第二位線一一對(duì)應(yīng)連接，輸出端與靈敏放大電路的第二輸入端連接，第一選通電路用于將多個(gè)第一位線中的一個(gè)與靈敏放大器的第一輸入端導(dǎo)通，第二選通電路用于將多個(gè)第二位線中的一個(gè)與靈敏放大器的第二輸入端導(dǎo)通。

技術(shù)研發(fā)人員：殷士輝,趙曉璇,景蔚亮,王正波,廖恒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9