位線啟動(dòng)(ABLE)訪問(wèn)裝置的SRAM存儲(chǔ)器單位的另一優(yōu)點(diǎn)是其允許操作與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的字線的替代方法。在該方面，在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器單元的陣列中，映射位線中的任一個(gè)將啟動(dòng)將行中的所有存儲(chǔ)器單元連接至它們的相關(guān)聯(lián)位線的訪問(wèn)裝置(例如，圖1的MAl和MA2)，并且因此，必要的是在讀取/寫入操作結(jié)束時(shí)再次關(guān)閉活動(dòng)字線。
[0086]當(dāng)利用活動(dòng)位線啟動(dòng)(ABLE)訪問(wèn)裝置時(shí)，通過(guò)與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的字線和位線的組合來(lái)控制陣列中的存儲(chǔ)器單元的活動(dòng)，由此提供字線行為的更大的靈活性。例如，當(dāng)利用活動(dòng)位線啟動(dòng)(ABLE)訪問(wèn)裝置時(shí)，不再需要確保字線在訪問(wèn)之后關(guān)閉，這可以給予進(jìn)一步的功率節(jié)省。在該示例中，如果用戶正在對(duì)同一行(S卩，陣列的同一行中因此與同一字線相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器單元)進(jìn)行連續(xù)的訪問(wèn)，字線可以持續(xù)地保持為高，由此節(jié)省針對(duì)每個(gè)循環(huán)關(guān)閉和開(kāi)啟字線所需的功率。
[0087]通過(guò)另一示例，該行為也可以對(duì)實(shí)施“晚寫入”是有利的。晚寫入對(duì)于一些高速緩存應(yīng)用是期望的特征，其中，要寫入的數(shù)據(jù)直到寫入操作中相對(duì)較晚時(shí)才被確定，以使得地址譯碼(即，存儲(chǔ)器單元的識(shí)別)在要寫入的數(shù)據(jù)被確定之前完成。在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器單元的陣列中，太早開(kāi)啟字線將浪費(fèi)功率，因而將需要一些種類的延遲字線選通。相反，當(dāng)利用活動(dòng)位線啟動(dòng)(ABLE)訪問(wèn)裝置時(shí)，字線可以在地址譯碼一完成就被映射，而不引起任何功率損失，因?yàn)闆](méi)有活動(dòng)發(fā)生直到數(shù)據(jù)被驅(qū)動(dòng)至位線上。
[0088]可以理解，上述單個(gè)項(xiàng)目可以自己使用或與附圖中示出或說(shuō)明書(shū)中描述的其他項(xiàng)目組合使用，同一段或同一附圖中提到的項(xiàng)目不需要相互組合使用。另外，表達(dá)“手段”可以根據(jù)需要由致動(dòng)器或系統(tǒng)或裝置代替。另外，對(duì)“包括”或“包含”的任何引用不旨在以無(wú)論任何方式限制，并且讀者應(yīng)該相應(yīng)地解釋說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)。此外，盡管根據(jù)上述優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，這些實(shí)施例僅是示意性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠基于本公開(kāi)進(jìn)行預(yù)計(jì)落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的修改和替換。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解上述發(fā)明可以等同地應(yīng)用于其他類型的存儲(chǔ)器。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)器單位，包括: a)多個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)，每個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)，每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)通過(guò)相應(yīng)的第一和第二訪問(wèn)晶體管(26a，26b)可操作地連接至第一本地位線(40a)和第二本地位線(40b)，每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)與被配置為控制所述存儲(chǔ)器單元的第一和第二訪問(wèn)晶體管(26a，26b)的字線(28)相關(guān)聯(lián)； b)每個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)的第一和第二本地位線(40a，40b)通過(guò)相應(yīng)的第一和第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13a，13b)可操作地連接至相應(yīng)的第一和第二列位線(11，12)，所述第一組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13a)被配置為由所述第二列位線(12)控制，所述第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13b)被配置為由所述第一列位線(11)控制。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器單位，其中，每個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)包括奇數(shù)個(gè)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)。3.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述存儲(chǔ)器單位包括具有五個(gè)存儲(chǔ)器單元的第一存儲(chǔ)器單元組(401)和具有三個(gè)存儲(chǔ)器單元的相鄰的第二存儲(chǔ)器單元組(402)ο4.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)被配置成相鄰的存儲(chǔ)器單元組的對(duì)，每個(gè)對(duì)包括具有五個(gè)存儲(chǔ)器單元的第一存儲(chǔ)器單元組(401)和具有三個(gè)存儲(chǔ)器單元的第二存儲(chǔ)器單元組(402)。5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)包括具有相應(yīng)的第一和第二存儲(chǔ)訪問(wèn)節(jié)點(diǎn)(23，24)的一對(duì)交叉耦合的反相器(21a，21b，22a，22b)、可操作地連接至所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(23)的第一訪問(wèn)晶體管(26a)、以及可操作地連接至所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(24)的第二訪問(wèn)晶體管(26b)。6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)，所述第一本地位線(40a)經(jīng)由相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第一訪問(wèn)晶體管(26a)可操作地連接至所述組中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(23)，以及所述第二本地位線(40b)經(jīng)由相應(yīng)存儲(chǔ)器單元的第二訪問(wèn)晶體管(26b)可操作地連接至所述組中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(24)。7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，與存儲(chǔ)器單元(20)相關(guān)聯(lián)的字線(28)連接至所述存儲(chǔ)器單元的第一訪問(wèn)晶體管(26a)上的柵極和所述存儲(chǔ)器單元的第二訪問(wèn)晶體管(26b)上的柵極。8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)，所述第一組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13a)連接在所述第一本地位線(40a)和所述第一列位線(11)之間并且被配置為由所述第二列位線(12)控制，以及所述第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13b)連接在所述第二本地位線(40b)和所述第二列位線(12)之間并且被配置為由所述第一列位線(11)控制。9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，還包括感測(cè)放大器(60)，所述感測(cè)放大器(60)包括差分輸入對(duì)(60a)，所述差分輸入對(duì)(60a)被配置為由所述第一列位線(11)和所述第二列位線(12)控制。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述差分輸入對(duì)(60a)包括第一和第二輸入晶體管(60b，60c)，所述第一列位線(11)被配置為控制所述第一輸入晶體管(60b)，以及所述第二列位線(12)被配置為控制所述第二輸入晶體管(60c)。11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述存儲(chǔ)器單位包括多個(gè)列，每個(gè)列具有第一列位線(11)和第二列位線(12)，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元組(40)中的每一個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)列中的一個(gè)內(nèi)。12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，每個(gè)存儲(chǔ)器單元(20)包括單一字線(28) ο13.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器單元組，所述第一組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13a)包括具有連接至所述第二列位線(12)的柵極(13ag)的晶體管。14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，其中，針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器單元組，所述第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)(13b)包括具有連接至所述第一列位線(11)的柵極(13bg)的晶體管。15.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，還包括受控電流源(30)，其被配置為對(duì)所述第一列位線(11)和所述第二列位線(12)中的一者或兩者充電。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述受控電流源(30)包括電流鏡(31)。17.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的存儲(chǔ)器單位，還包括虛擬定時(shí)元件，其被配置為提供關(guān)于所述第一列位線(11)和所述第二列位線(12)中之一何時(shí)被拉高的指示。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單位，其中，所述虛擬定時(shí)元件包括電容裝置和被配置為將充電電流施加至所述電容裝置的受控電流源。19.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器單位，還包括電壓源，其被配置為對(duì)所述第一列位線和所述第二列位線中的一者或兩者充電。20.—種用于讀取存儲(chǔ)器單位的存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值的方法，所述存儲(chǔ)器單位包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)器單元的訪問(wèn)由與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的字線和一對(duì)位線的組合來(lái)控制，所述方法包括: i)將與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的字線上的電壓驅(qū)動(dòng)為高； ii)施加電流以對(duì)與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的所述一對(duì)位線進(jìn)行充電； iii)從與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的所述一對(duì)位線移除所述電流；以及 iv)感測(cè)與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的所述一對(duì)位線之間的電壓差以確定所述數(shù)據(jù)值。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述電流被施加直到所述一對(duì)位線之一被拉尚O22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括使用虛擬定時(shí)元件來(lái)確定所述一對(duì)位線之一何時(shí)被拉高。23.根據(jù)權(quán)利要求18-20中任一項(xiàng)所述的方法，還包括使用參考電路來(lái)模仿所述存儲(chǔ)器單元，確定所述參考電路的平均下拉電流，以及將所施加的電流限制到所述參考電路的平均下拉電流。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述參考電路由并行操作的多個(gè)虛擬存儲(chǔ)器單元提供。
【專利摘要】提供了一種存儲(chǔ)器單位，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元組，每個(gè)存儲(chǔ)器單元組包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，每個(gè)存儲(chǔ)器單元通過(guò)相應(yīng)的第一和第二訪問(wèn)晶體管可操作地連接至第一本地位線和第二本地位線，每個(gè)存儲(chǔ)器單元與被配置為控制存儲(chǔ)器單元的第一和第二訪問(wèn)晶體管的字線相關(guān)聯(lián)。每個(gè)存儲(chǔ)器單元組的第一和第二本地位線通過(guò)相應(yīng)的第一和第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)可操作地連接至相應(yīng)的第一和第二列位線，第一組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)被配置為由第二列位線控制，第二組訪問(wèn)開(kāi)關(guān)被配置為由第一列位線控制。
【IPC分類】G11C11/417, G11C11/412, G11C11/413, G11C11/419
【公開(kāi)號(hào)】CN104969295
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480007884
【發(fā)明人】A·皮克林
【申請(qǐng)人】蘇爾格有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2014年2月6日
【公告號(hào)】EP2956942A1, WO2014125254A1