間隔在盤表面上方。需要注意的是，在一些實(shí)施例中，滑塊113可以沿著盤表面122滑動(dòng)。
[0034]盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)部件在運(yùn)行中由控制器129產(chǎn)生的控制信號(hào)來控制，諸如存取控制信號(hào)和內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)。通常，控制單元129包括邏輯控制電路、存儲(chǔ)器件(例如，存儲(chǔ)器)以及微處理器?？刂茊卧?29產(chǎn)生控制信號(hào)以控制各種系統(tǒng)操作，諸如線路123上的驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制信號(hào)和線路128上的頭位置和尋道控制信號(hào)。線路128上的控制信號(hào)提供期望的電流輪廓以最優(yōu)地將滑塊113移動(dòng)和定位到盤112上的期望數(shù)據(jù)磁道。讀取和寫入信號(hào)通過記錄通道125傳送到讀/寫頭121和從讀/寫頭121傳送出來。
[0035]對(duì)一般磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的上面描述以及圖1的附隨圖示僅是為了說明的目的。應(yīng)當(dāng)是顯然的，盤存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括大量的盤和致動(dòng)器，并且每個(gè)致動(dòng)器可以支撐多個(gè)滑塊。
[0036]接口還可以被提供用于盤驅(qū)動(dòng)器和主機(jī)(一體的或外部的)之間的通信以發(fā)送和接收數(shù)據(jù)，以及用于控制盤驅(qū)動(dòng)器的操作并將盤驅(qū)動(dòng)器的狀態(tài)傳遞到主機(jī)，所有這些都將被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。
[0037]在一種典型的頭中，一種感應(yīng)寫頭包括嵌入在一個(gè)或多個(gè)絕緣層(絕緣疊層)中的線圈層，該絕緣疊層位于第一和第二極靴層(pole piece layer)之間。間隙通過在寫頭的空氣軸承表面(ABS)處的間隙層而形成在第一和第二極靴層之間。極靴層可以在后部間隙處連接。電流通過線圈層傳導(dǎo)，這在極靴中產(chǎn)生磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)在ABS處彌散跨越(fringeacross)該間隙，用于在移動(dòng)的介質(zhì)上的磁道中寫入磁場(chǎng)信息的位，諸如在旋轉(zhuǎn)的磁盤上的圓形磁道中。
[0038]第二極靴層具有從ABS延伸到張開點(diǎn)(flare point)的極尖部分(pole tipport1n)和從該張開點(diǎn)延伸到后部間隙的磁軛部分(yoke port1n)。該張開點(diǎn)是第二極靴開始變寬(張開)以形成磁軛的地方。該張開點(diǎn)的布置直接影響為了將信息寫入在記錄介質(zhì)上而產(chǎn)生的磁場(chǎng)的大小。
[0039]圖2A示意性地示出一種諸如與磁盤記錄系統(tǒng)(諸如圖1所示的)一起使用的傳統(tǒng)記錄介質(zhì)。這種介質(zhì)用于在介質(zhì)自身的平面內(nèi)或平行于介質(zhì)自身的平面來記錄磁脈沖。記錄介質(zhì)(在這種情況下為記錄盤)主要地包括適合的非磁性材料(諸如玻璃)的支撐基板200，并具有適合的和傳統(tǒng)的磁性層的上涂層202。
[0040]圖2B示出傳統(tǒng)的記錄/回放頭204 (其可以優(yōu)選地為薄膜頭)和傳統(tǒng)的記錄介質(zhì)(諸如圖2A所示的)之間的操作關(guān)系。
[0041]圖2C示意地示出基本上垂直于記錄介質(zhì)的表面的磁脈沖的取向，該記錄介質(zhì)與磁盤記錄系統(tǒng)(諸如圖1所示的)一起使用。為了這樣的垂直記錄，介質(zhì)通常包括具有高透磁性的材料的下層212。此下層212然后提供有磁性材料的上涂層214，該磁性材料優(yōu)選地相對(duì)于下層212具有高矯頑力。
[0042]圖2D示出垂直頭218和記錄介質(zhì)之間的操作關(guān)系。圖2D所示的記錄介質(zhì)包括以上關(guān)于圖2C描述的高透磁性的下層212和磁性材料的上涂層214。然而，這些層212和214都被示出為施加到合適的基板216。在層212和214之間通常還存在被稱作“交換斷開(exchange-break) ”層或“層間層”的額外層(未示出)。
[0043]在這種結(jié)構(gòu)中，在垂直頭218的磁極之間延伸的磁通的磁力線成環(huán)地進(jìn)入和離開該記錄介質(zhì)的上涂層214以及該記錄介質(zhì)的高透磁性下層212，使得磁通線在大體地垂直于介質(zhì)的表面的方向上穿過上涂層214，以將信息以磁脈沖的形式記錄在優(yōu)選地相對(duì)于下層212具有高矯頑力的磁性材料的上涂層214中，該磁脈沖的磁化軸基本上垂直于介質(zhì)的表面。該磁通通過軟磁下涂層212引導(dǎo)回到頭218的返回層(Pl)。
[0044]圖2E示出一種類似的結(jié)構(gòu)，其中襯底216在其相反兩側(cè)的每個(gè)上具有層212和214，合適的記錄頭218在該介質(zhì)的每側(cè)鄰近磁涂層214的外表面定位，允許在該介質(zhì)的每側(cè)進(jìn)行記錄。
[0045]圖3A是一種垂直磁頭的截面圖。在圖3A中，螺旋線圈310和312用于在針狀磁極(stitch pole) 308中產(chǎn)生磁通，該針狀磁極308然后將該磁通傳遞到主磁極306。線圈310表示從紙面向外延伸的線圈，而線圈312表示向紙面內(nèi)延伸的線圈。針狀磁極308可以從ABS 318凹陷。絕緣體316圍繞線圈并可以向一些元件提供支撐。如由該結(jié)構(gòu)右側(cè)的箭頭所指示的介質(zhì)行進(jìn)的方向首先使介質(zhì)移動(dòng)經(jīng)過下返回磁極314，然后經(jīng)過針狀磁極308、主磁極306、拖尾屏蔽件(trailing shield) 304(其可以連接到環(huán)繞屏蔽件(未示出))，最后經(jīng)過上返回磁極302。這些部件中的每個(gè)可以具有與ABS 318接觸的部分。ABS 318被指不為跨越該結(jié)構(gòu)的右側(cè)。
[0046]垂直寫入是通過強(qiáng)制使磁通穿過針狀磁極308到主磁極306中然后到盤的朝向ABS 318設(shè)置的表面而實(shí)現(xiàn)。
[0047]圖3B示出具有與圖3A的磁頭類似的特征的背負(fù)式磁頭。兩個(gè)屏蔽件304、314在針狀磁極308和主磁極306的側(cè)面。還示出傳感器屏蔽件322、324。傳感器326通常位于傳感器屏蔽件322、324之間。
[0048]圖4A是一個(gè)實(shí)施例的示意圖，其使用環(huán)狀線圈410(有時(shí)被稱作扁平配置(pancake configurat1n))，以提供磁通到針狀磁極408。針狀磁極然后提供此磁通到主磁極406。在這種取向中，下返回磁極是可選的。絕緣體416圍繞線圈410，并可以為針狀磁極408和主磁極406提供支撐。該針狀磁極可以從ABS 418凹陷。如由該結(jié)構(gòu)右側(cè)的箭頭所指示的介質(zhì)運(yùn)動(dòng)的方向使介質(zhì)經(jīng)過針狀磁極408、主磁極406、可連接到環(huán)繞屏蔽件(未示出)的拖尾屏蔽件404，最后經(jīng)過上返回磁極402(它們都可以具有或者可以不具有與ABS 418接觸的部分)。ABS 418被示出為跨越該結(jié)構(gòu)的右側(cè)。在一些實(shí)施例中，拖尾屏蔽件404可以與主磁極406接觸。
[0049]圖4B示出具有與圖4A的頭類似特征的另一種類型的背負(fù)式磁頭，其包括環(huán)狀線圈410，該線圈環(huán)繞以形成扁平線圈(pancake coil)。此外，還示出傳感器屏蔽件422、424。傳感器426通常地位于傳感器屏蔽件422、424之間。
[0050]在圖3B和4B中，可選的加熱器被示出為在磁頭的非ABS側(cè)附近。加熱器(Heater)也可以被包括在圖3A和圖4A所示的磁頭中。這個(gè)加熱器的位置可以基于設(shè)計(jì)參數(shù)諸如突起的期望位置、圍繞層的熱膨脹系數(shù)等而變化。
[0051]圖5示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的讀取傳感器500?？蛇x地，本讀取傳感器500可以與來自這里列出的任何其它實(shí)施例中的特征(諸如參照其它附圖描述的那些特征)結(jié)合地實(shí)施。當(dāng)然，但是這樣的讀取傳感器500以及這里給出的其它結(jié)構(gòu)也可以用于各種應(yīng)用和/或變換地使用，該變換可以在或者可以不在這里列出的說明性的實(shí)施例中被特別地描述。此夕卜，這里給出的讀取傳感器500可以用于任何期望的環(huán)境中。
[0052]圖5示出如從讀取傳感器500的面對(duì)介質(zhì)的表面或空氣軸承表面(ABS)觀看的讀取傳感器500。在一個(gè)實(shí)施例中，讀取傳感器500包括AFM釘扎層502、位于AFM釘扎層502之上的第一反平行被釘扎多層(API) 504、位于APl 504之上的第二反平行被釘扎層(AP2) 506、以及在AP2 506之上的位于面對(duì)介質(zhì)的表面處的自由層510。
[0053]在另一個(gè)實(shí)施例中，讀取傳感器500還可以包括位于自由層510的全部范圍與AP2506之間的間隔層或阻擋層508。也就是，間隔/阻擋層508存在于自由層510之下并在元件高度方向和跨越磁道方向(cross-track direct1n) 512上跨越整個(gè)自由層510。這樣，間隔/阻擋層508使自由層510與其下的任何其它層諸如AP2 506完全地分隔開。
[0054]當(dāng)間隔層/阻擋層508被用作間隔物時(shí)，其可以包括現(xiàn)有技術(shù)中已知的任意合適的材料，諸如非磁性材料像銅(Cu)、鋁(Al)等。當(dāng)間隔/阻擋層508被用作阻擋物時(shí)，其可以包括現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何合適的材料，諸如A1203、Ru、MgO等。
[0055]自由層510配置為以可識(shí)別的方式響應(yīng)于存儲(chǔ)到磁介質(zhì)的磁信息。對(duì)存儲(chǔ)到磁介質(zhì)的磁信息的任何類型的響應(yīng)可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中已知的感測(cè)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)，諸如增大或減小的電阻、增大或減小的磁性、升高或降低的溫度等。
[0056]在一個(gè)實(shí)施例中，自由層510在AP2 506之上位于面對(duì)介質(zhì)的表面處并在元件高度方向上從面對(duì)介質(zhì)的表面延伸到第二高度。元件高度方向垂直于面對(duì)介質(zhì)的表面。
[0057]在另一實(shí)施例中，AFM釘扎層502在元件高度方向上從面對(duì)介質(zhì)的表面凹陷至第一高度，APl 504和AP2 506延伸超過第一高度到面對(duì)介質(zhì)的表面，并且AP2506延伸超過第一高度至面對(duì)介質(zhì)的表面。
[0058]此外，在一種方案中，APl 504和AP2 506不從面對(duì)介質(zhì)的表面凹陷。在一種可選的方案中，這些層可以從面對(duì)介質(zhì)的表面凹陷等于或小于約I至5納米的距離。
[0059]此外，根據(jù)一種方案，AFM釘扎層502、AP1 504以及AP2 506在元件高度方向上延伸超過自由層510在第二高度之外。
[0060]AFM釘扎層502配置為以預(yù)定方式釘扎位于其上的一個(gè)或多個(gè)被釘扎層的磁取向。如現(xiàn)有技術(shù)中