已知的，可以采用釘扎這些層的任意方式。根據(jù)多種實(shí)施例，AFM釘扎層502可以包括純的IrMn或其合金、或者現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何其它合適的材料。
[0061]讀取傳感器500的側(cè)壁可以正交于跨越磁道方向512，或者它們可以是傾斜的、彎曲的和/或不同于筆直的。這些側(cè)壁可以通過用于形成各種層的制造工藝和/或由于在面對(duì)介質(zhì)的表面處的各個(gè)層的寬度的期望差異而形成和/或受到其影響。
[0062]在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)磁屏蔽件(未示出)可以設(shè)置得靠近自由層510的一側(cè)或多側(cè)，如對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將會(huì)知曉的。
[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，自由層510、APl 504以及AP2 506可以在面對(duì)介質(zhì)的表面處在跨越磁道方向512上具有在約20納米至約50納米的范圍內(nèi)的寬度，諸如約30納米至約35納米。
[0064]根據(jù)另一實(shí)施例，APl 504可以包括兩層，例如位于第二 APl層(APlb) 504b之下的第一 APl 層(APla) 504a。
[0065]圖6A-6D示出根據(jù)幾個(gè)實(shí)施例的磁頭的多個(gè)視圖?？蛇x地，磁頭可以與來自這里列出的任意其它實(shí)施例的特征(諸如參照其它附圖所描述的那些)結(jié)合地實(shí)施。當(dāng)然，但是這樣的磁頭以及這里給出的其它結(jié)構(gòu)可以用于各種應(yīng)用和/或變換地使用，該變換可以在或可以不在這里列出的說明性實(shí)施例中被特別描述。此外，這里出現(xiàn)的磁頭可以用于任意期望的環(huán)境中。
[0066]現(xiàn)在參照?qǐng)D6A-6D，不出根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的多種磁頭的部分的從其面對(duì)介質(zhì)的表面614的等距視圖。每個(gè)磁頭包括讀取傳感器，在一個(gè)實(shí)施例中，該讀取傳感器包括AFM釘扎層602、位于AFM釘扎層602之上的API 604、位于APl 604之上的AP2 606、在AP2 606之上位于面對(duì)介質(zhì)的表面處的自由層610、以及位于自由層610的全部范圍與AP2 606之間的間隔/阻擋層608。
[0067]此外，在這些實(shí)施例中，APl 604可以包括兩個(gè)層，APla 604a和APlb 604b。在各種途徑中，這些層可以為大致相同的形狀和尺寸，或者它們可以具有不同的形狀和尺寸。
[0068]此外，AFM釘扎層602在元件高度方向616上從面對(duì)介質(zhì)的表面614凹陷至第一高度618，AP1 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)和AP2 606可以延伸超過第一高度618至面對(duì)介質(zhì)的表面614，并且AP2 606可以延伸超過第一高度618至面對(duì)介質(zhì)的表面614。
[0069]此外，在一個(gè)實(shí)施例中，自由層610在AP2 606之上位于面對(duì)介質(zhì)的表面614處并在元件高度方向616上從面對(duì)介質(zhì)的表面614延伸至第二高度620。
[0070]在另一個(gè)實(shí)施例中，第一高度618可以大于或者大約等于第二高度620，如圖6A-6D所示。在一個(gè)可選的實(shí)施例中，第一高度618可以小于第二高度620，使得自由層610設(shè)置于其中AP2606、APl 604 (其可以包括APlb 604b和APla 604a)以及AFM釘扎層602中的至少一個(gè)在跨越磁道方向612上張開而變寬的位置處。
[0071]如圖6A 所示，AP2 606^API 604 (其可以包括 APlb 604b 和 APla 604a)、以及 AFM釘扎層602布置為條形，其中AFM釘扎層602從面對(duì)介質(zhì)的表面614凹陷，其它的層(AP2606^API 604)在面對(duì)介質(zhì)的表面614處位于自由層610之下。此外，AP2 606^API 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)、以及AFM釘扎層602在跨越磁道方向612上具有基本上等于自由層610在跨越磁道方向上的寬度和/或與自由層610在跨越磁道方向上的寬度一致的寬度。
[0072]現(xiàn)在參照?qǐng)D6B，AP2 606、API 604 (其可以包括 APlb 604b 和 APla 604a)、以及AFM釘扎層602布置為T形。再次地，AFM釘扎層602從面對(duì)介質(zhì)的表面614凹陷，并且其它層(AP2 606、APlb 604b、APla 604a)在面對(duì)介質(zhì)的表面614處位于自由層610之下。此夕卜，在面對(duì)介質(zhì)的表面614處，AP2 606^API 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)在跨越磁道方向612上具有基本上等于自由層610在跨越磁道方向上的寬度和/或與自由層610在跨越磁道方向上的寬度一致的寬度；而在第一高度618之上的位置，API 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)、AP2606以及AFM釘扎層602在跨越磁道方向612上延伸超過自由層610的兩側(cè)，諸如在每個(gè)方向上超過大約5納米以上。
[0073]在這種結(jié)構(gòu)中，在第一高度618之上的位置，AP2 606在跨越磁道方向612上延伸超過自由層610的兩側(cè)，在每個(gè)方向上超過大約5納米以上。此外，AFM釘扎層602僅沉積在較寬的部分上，并且自由層610 (以及間隔/阻擋層608，當(dāng)其存在時(shí))僅沉積在較窄的部分上。API 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)和AP2606沉積在較寬的部分和較窄的部分兩者上。
[0074]現(xiàn)在參照?qǐng)D6C，AP2 606布置為條形，而API 604 (其可以包括APlb 604b和APla604a)和AFM釘扎層602布置為T形。再次地，AFM釘扎層602從面對(duì)介質(zhì)的表面614凹陷，并且其它的層(AP2 606、APlb 604b、APla 604a)在面對(duì)介質(zhì)的表面614處位于自由層610之下。此外，在面對(duì)介質(zhì)的表面614處，AP2 606和APl 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)在跨越磁道方向612上具有基本上等于自由層610在跨越磁道方向上的寬度和/或與自由層610在跨越磁道方向上的寬度一致的寬度；而在第一高度618之上的位置，API 604(其可以包括APlb 604b和APla 604a)和AFM釘扎層602在跨越磁道方向612上延伸超過自由層610的兩側(cè)，諸如在每個(gè)方向上超過大約5納米以上。另外，在面對(duì)介質(zhì)的表面614處，AP2606在跨越磁道方向612上具有大致等于自由層610在跨越磁道方向上的寬度。
[0075]在這種結(jié)構(gòu)中，在第一高度618之上的位置，APlb 604b在跨越磁道方向612上延伸超過自由層610的兩側(cè)，在每個(gè)方向上超過大約5納米以上。
[0076]參照?qǐng)D6D，AP2 606和APlb 604b布置為條形，而APla 604a和AFM釘扎層602布置為T形。再次地，AFM釘扎層602從面對(duì)介質(zhì)的表面614凹陷，并且其它的層(AP2 606、APlb 604b、APla 604a)在面對(duì)介質(zhì)的表面614處位于自由層610之下。此外，在面對(duì)介質(zhì)的表面614處，AP2 606、APl 604 (其可以包括APlb 604b和APla 604a)在跨越磁道方向612上具有基本上等于自由層610在跨越磁道方向上的寬度和/或與自由層610在跨越磁道方向上的寬度一致的寬度；而在第一高度618之上的位置，APla 604a和AFM釘扎層602在跨越磁道方向612上延伸超過自由層610的兩側(cè)，諸如在每個(gè)方向上超過大約5納米以上。
[0077]在這種結(jié)構(gòu)中，APl604 被分為 APla 604a 和 APlb 604b，APlb 604b 具有與 AP2606相同的形狀，而APla 604a沉積在較寬的部分和較窄的部分兩者上。APla 604a和APlb604b可以包括相同的材料或不同的材料。
[0078]在圖6A-6D所示的實(shí)施例的任一個(gè)中，較寬的部分可以具有筆直的邊緣、彎曲的邊緣，形成為T形、Y形，或者以一些其他的方式從附圖明確示出的結(jié)構(gòu)變形，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的。
[0079]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的，與條形結(jié)構(gòu)相比，對(duì)于至少APla 604a和AFM釘扎層602采用T形的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是觀察到可靠性的提高。
[0080]圖7示出根據(jù)圖6A的讀取傳感器結(jié)構(gòu)以及圖6A-6D的讀取傳感器結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比的測(cè)量。圖7示出這里描述的根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的讀取傳感器結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比提供了改善的可靠性，特別地在較大的凹陷長度處。
[0081]在一些方案中，一種采用這里描述的根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的讀取傳感器和/或讀頭的磁頭可以用于磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。該磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)可以類似于圖1所示的那樣。例如，磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)100可以包括:至少一個(gè)磁頭121，具有根據(jù)這里的任一實(shí)施例描述的傳感器疊層；磁介質(zhì)112 ;驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)118，用于使磁介質(zhì)112經(jīng)過至少一個(gè)磁頭121 ;以及控制器129，電聯(lián)接到至少一個(gè)磁頭121用于控制至少一個(gè)磁頭121的操作。
[0082]圖8示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于形成讀取傳感器(其可以是磁頭或一些其它裝置或設(shè)備的一部分)的方法800?？蛇x地，本方法800可以被實(shí)施以構(gòu)造結(jié)構(gòu)諸如圖1-6D所示的那些。當(dāng)然，然而此方法800以及這里出現(xiàn)的其它方式也可以用于形成可與磁記錄相關(guān)或不相關(guān)的多種設(shè)備和/或用途的磁結(jié)構(gòu)。此外，這里給出的方法可以在任意期望的環(huán)境中執(zhí)行。還應(yīng)當(dāng)指出的是，任意前述的特征可以用于根據(jù)多種方法描述的任一實(shí)施例中。當(dāng)然，比圖8中具體描述的那些更多或更少的操作可以被包括在方法800中，如本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本說明書時(shí)將理解的。
[0083]任何形成技術(shù)可以用于形成這里描述