半導體器件相關申請的交叉引用本申請要求2012年5月7日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0048086的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本申請。技術領域本發(fā)明的實施例涉及半導體器件。

背景技術：
半導體器件包括薄膜晶體管、電容器和/或類似物，其可以包括至少兩個作為有源層或電極使用的導電層。導電層在制造過程中通過光刻工藝和蝕刻工藝來圖案化。在光刻工藝中，使用掩膜通過曝光工藝和顯影工藝形成光刻膠圖案，并且在蝕刻工藝中，導電層具有使用光刻膠圖案形成的圖案。薄膜晶體管和電容器的兩個導電層分別位于上面和下面，并且應當彼此疊蓋（至少部分疊蓋）。然而，由于在對上面的導電層圖形化的過程中未對準的原因，上面的導電層疊蓋下面導電層的面積可能縮小。當這兩個導電層疊蓋的面積縮小時，上面的導電層和下面的導電層之間的電容減小，并且與這些導電層有關的電氣特性改變。當像素電路中包含的存儲電容器的電容減小時（例如在液晶顯示設備中或者在有機發(fā)光顯示設備中），驅(qū)動該像素的電流改變，使得顏色的均勻度變差，并且可能產(chǎn)生低灰度級的斑點，從而使該設備的顯示面板的質(zhì)量下降。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的實施例的一方面是提供一種半導體器件，其具有盡管出現(xiàn)未對準仍相對來說未改變的電氣特性。本發(fā)明的實施例的另一方面是提供一種用于提高顯示面板的質(zhì)量的半導體器件。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供一種半導體器件，包括：襯底；第一導電層，位于所述襯底上并且包括主圖案和從所述主圖案的兩側(cè)延伸的大致上對稱的副圖案；絕緣層，位于所述襯底和所述第一導電層上；和第二導電層，位于所述絕緣層上并且疊蓋所述主圖案和所述副圖案的至少一部分。所述副圖案中的至少一個可以聯(lián)接至布線。所述第一導電層和所述第二導電層中的至少一個可以包括半導體層。所述第一導電層和所述第二導電層中的至少一個可以包括金屬層。所述半導體器件可以包括薄膜晶體管。所述半導體器件可以包括電容器。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例，提供一種半導體器件，包括：襯底；第一導電層，位于所述襯底上并且包括主圖案、從所述主圖案的兩側(cè)延伸的大致上對稱的第一副圖案和從所述主圖案的其它兩側(cè)延伸的大致上對稱的第二副圖案；絕緣層，位于所述襯底和所述第一導電層上；和第二導電層，位于所述絕緣層上并且疊蓋所述主圖案、所述第一副圖案和所述第二副圖案的至少一部分。所述第一導電層和所述第二導電層中的至少一個可以包括半導體層。所述第一導電層和所述第二導電層中的至少一個可以包括金屬層。所述半導體器件可以包括薄膜晶體管。所述半導體器件可以包括電容器。附圖說明附圖與說明書一起圖示本發(fā)明的示例性實施例，并且與描述一起用來說明本發(fā)明的實施例的各方面。圖1A是描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導體器件的平面圖；圖1B是沿圖1A的線I1-I2截取的剖面圖；圖2和圖3是描述圖1A和圖1B中示出的根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導體器件的效果的平面圖；圖4A是描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的半導體器件的平面圖；圖4B是沿圖4A的線I11-I12截取的剖面圖；以及圖5和圖6是描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的半導體器件的效果的平面圖。具體實施方式下文中，將對照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施例。本文中，當?shù)谝灰乇幻枋鰹榕c第二要素聯(lián)接時，第一要素可以與第二要素直接聯(lián)接，或者可以通過一個或多個其它要素與第二要素間接聯(lián)接。此外，為了清楚，省略對完全理解本發(fā)明不重要的一些要素。另外，在全文中相同的附圖標記表示相同要素。下文中，將對照附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。本發(fā)明的下面的示例性實施例可以以多種不同形式修改，使得本領域的技術人員可以容易地實現(xiàn)本發(fā)明的精神，并且本發(fā)明的范圍不應局限于下面描述的實施例。圖1A是描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導體器件的平面圖，并且圖1B是沿圖1A的線I1-I2截取的剖面圖。參考圖1A和圖1B，該半導體器件包括第一導電層12、絕緣層14和第二導電層16。第一導電層12形成在襯底10上并且包括主圖案12a和副圖案12b，副圖案12b從主圖案12a的至少兩側(cè)延伸并且以對稱結構互相面對（例如，第一導電層12或副圖案12b關于圖1A中的水平軸線對稱）。主圖案12a可以以例如矩形形狀形成，并且副圖案12b可以以矩形對稱結構形成，在該矩形對稱結構中副圖案12b從主圖案12a的兩側(cè)中的每一側(cè)向外延伸。副圖案12b中的至少一個可以通過布線12c與另一器件（例如薄膜晶體管或電容器）電聯(lián)接。副圖案12b的寬度W2不受限制，但是可以小于主圖案12a的寬度W1，或者可以考慮到布線12c的寬度而等于布線12c的寬度。此外，副圖案12b的位置不受限制，而是可以考慮到與布線12c的連接關系而確定。絕緣層14形成在襯底10和第一導電層12上，并且第二導電層16形成在絕緣層14上，以便疊蓋第一導電層12的主圖案12a和副圖案12b的至少一部分。第一導電層12和第二導電層16中的一個可以由用摻雜的多晶硅和氧化物半導體制成的半導體層構成，另一個由金屬層構成。例如，第一導電層12可以由半導體層構成并且第二導電層16可以由金屬層構成，或者第一導電層12可以由金屬層構成并且第二導電層16可以由半導體層構成。絕緣層14可以由電介質(zhì)膜，例如氧化硅膜和氮化硅膜構成。當半導體器件可以作為薄膜晶體管使用時，例如第一導電層12可以作為提供源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層使用，絕緣層14可以作為柵絕緣膜使用，并且第二導電層16可以作為柵電極使用?？商娲?，當半導體器件可以作為電容器使用時，第一導電層12可以作為下電極使用，絕緣層14可以作為電介質(zhì)膜使用，并且第二導電層16可以作為上電極使用。在如上所述配置的半導體器件中，即便在形成第二導電層16時可能出現(xiàn)未對準，電氣特性相對來說不變。第一導電層12和第二導電層16在其制造過程中通過光刻工藝和蝕刻工藝來圖案化。光刻工藝包括使用掩膜的曝光工藝，其中掩膜可以在豎直方向（例如沿Y軸）不對準。圖2示出第二導電層16由于掩膜未對準的原因沿Y軸（例如朝上的方向）移位+Δy的狀態(tài)，并且圖3示出第二導電層16由于掩膜未對準的原因沿Y軸（例如朝下的方向）移位-Δy的狀態(tài)。在省略副圖案12b的結構中，即在主圖案12a通過布線12c與另一器件電聯(lián)接的結構中，當未對準出現(xiàn)時（如圖2或圖3中所示），由于布線12c疊蓋第二導電層16的面積增大或減小，所以第一導電層12和第二導電層16之間的電容改變。然而，根據(jù)本示例性實施例，盡管出現(xiàn)未對準，但是由于第一導電層12疊蓋第二導電層16的面積幾乎未被以對稱結構從主圖案12a兩側(cè)延伸的副圖案12b改變，所以電容相對來說未改變。為了提高或最大化根據(jù)本實施例的方面的效果，考慮到未對準的可預見的范圍，可以確定副圖案12b的尺寸和形狀，其中副圖案12b的尺寸可以設置成具有充分大的尺寸。圖4A是描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的半導體器件的平面圖，并且圖4B是沿圖4A的線I11-I12截取的剖面圖。參考圖4A和圖4B，半導體器件包括第一導電層22、絕緣層24和第二導電層26。第一導電層22形成在襯底20上并且包括主圖案22a、第一副圖案22b和第二副圖案22d，第一副圖案22b以對稱結構從主圖案22a的兩個相對側(cè)延伸，第二副圖案22d以對稱結構從主圖案22a的另一對相對側(cè)延伸。第一主圖案22a可以是例如矩形的，第一副圖案22b和第二副圖案22d可以是矩形的并且以對稱結構形成，在該對稱結構中第一副圖案22b和第二副圖案22d從主圖案22a的分別成對的側(cè)向外延伸。第一副圖案22b和第二副圖案22d中的至少一個可以通過布線22c與另一器件（例如薄膜晶體管或電容器）電聯(lián)接。第一副圖案22b的寬度可以設置成與圖1A中示出的實施例的副圖案12b的寬度相同。此外，第二副圖案22d的寬度W12不受限制，而是可以小于主圖案22a的寬度W11或者可以等于布線22c的寬度。另外，第二副圖案22d的位置不受限制。絕緣層24形成在襯底20和第一導電層22上，并且第二導電層26形成在絕緣層24上來疊蓋第一導電層22的主圖案22a、第一副圖案22b和第二副圖案22d的至少一部分。第一導電層22或第二導電層26可以由用摻雜的多晶硅和氧化物半導體制成的半導體層構成，而另一個可以由金屬層構成。例如，第一導電層22可以由半導體層構成，并且第二導電層26可以由金屬層構成?？商娲?，第一導電層22可以由金屬層構成，并且第二導電層26可以由半導體層構成。絕緣層24可以由電介質(zhì)膜構成，例如氧化硅膜和氮化硅膜。當半導體器件作為薄膜晶體管使用時，例如第一導電層22可以作為提供源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)的有源層使用，則絕緣層24可以作為柵絕緣膜使用，并且第二導電層26可以作為柵電極使用?？商娲?，當半導體器件作為電容器使用時，例如第一導電層22可以作為下電極使用，絕緣層24可以作為電介質(zhì)膜使用，并且第二導電層26可以作為上電極使用。在如上所述配置的半導體器件中，即便在形成第二導電層26的過程中在水平方向（例如沿X軸的方向）上掩膜可能未對準，電氣特性也不變。圖5示出第二導電層26由于掩膜未對準的原因沿X軸（例如向左）移位-Δx的狀態(tài)，并且圖6示出第二導電層26由于掩膜未對準的原因沿X軸（例如向右）移位+Δx的狀態(tài)。盡管出現(xiàn)未對準，但是由于第一導電層22疊蓋第二導電層26的面積幾乎未被以對稱結構從主圖案22a兩側(cè)延伸的第一副圖案22b改變，所以電容相對來說未改變。雖然未詳細地描述，但是在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導體器件中，即便在豎直方向上可能出現(xiàn)未對準（如圖2和圖3中所示），第一導電層22疊蓋第二導電層26的面積幾乎未被以對稱結構從主圖案22a的兩側(cè)延伸的第一副圖案22b改變。也就是說，僅當掩膜在豎直方向上（例如相對于水平方向的方向）未對準時，圖1A的半導體器件的電氣特性可能相對未改變。然而，即便在掩膜在豎直方向和/或水平方向上未對準的情況下，圖4A的半導體器件也可以獲得效果。為利用本實施例的方面，考慮到可能產(chǎn)生未對準的范圍，可以確定第一副圖案22b和第二副圖案22d的尺寸和形狀。優(yōu)選地，第一副圖案22b和第二副圖案22d的尺寸被設置成具有足夠大的尺寸。通過根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的半導體器件，即便在形成上面的第二導電層的過程中產(chǎn)生未對準，由于上面的第二導電層疊蓋第一導電層22的下面部分的面積未變化，所以電氣特性也不改變。當將根據(jù)本示例性實施例的半導體器件應用于液晶顯示設備或有機發(fā)光顯示設備的像素電路時，即便在形成薄膜晶體管或存儲電容器的過程中產(chǎn)生未對準，電容也相對來說未改變，使得像素電路可以被電流（例如預定量的電流）穩(wěn)定地驅(qū)動。因此，提高了顏色的均勻度并且避免了由低灰度級導致的點，從而使提高顯示面板的質(zhì)量成為可能。盡管已關于某些示例性實施例描述了本發(fā)明的實施例，但是應明白本發(fā)明不局限于所公開的實施例，而是相反旨在涵蓋在所附權利要求的精神和范圍內(nèi)包括的多種修改和等同構造及其等同物。