技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；第一導(dǎo)電層，位于所述襯底上并且包括：主圖案，和從所述主圖案的兩側(cè)延伸的對稱的副圖案，所述副圖案中的一個聯(lián)接至布線；絕緣層，位于所述襯底和所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，位于所述絕緣層上并且疊蓋所述主圖案和所述副圖案的至少一部分，其中所述副圖案的寬度等于所述布線的寬度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的至少一個包括半導(dǎo)體層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的至少一個包括金屬層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括薄膜晶體管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括電容器。6.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；第一導(dǎo)電層，位于所述襯底上并且包括，主圖案，從所述主圖案的兩側(cè)延伸的對稱的第一副圖案，和從所述主圖案的其它兩側(cè)延伸的對稱的第二副圖案；絕緣層，位于所述襯底和所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，位于所述絕緣層上并且疊蓋所述主圖案、所述第一副圖案和所述第二副圖案的至少一部分，其中所述第一副圖案和所述第二副圖案中的一個聯(lián)接至布線；其中所述第一副圖案和所述第二副圖案的寬度等于所述布線的寬度。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的至少一個包括半導(dǎo)體層。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的至少一個包括金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括薄膜晶體管。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件包括電容器。