薄膜晶體管、顯示設(shè)備和有機發(fā)光顯示設(shè)備本申請要求于2012年3月15日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0026602號韓國專利申請的權(quán)益，上述申請的公開通過引用全部包含于此。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤├婕耙环N薄膜晶體管（TFT）、一種包括該TFT的顯示設(shè)備以及一種包括該TFT的有機發(fā)光顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：
TFT被用作液晶顯示設(shè)備或有機發(fā)光顯示設(shè)備的驅(qū)動器件或開關(guān)器件。TFT的特性受溝道層的材料和狀態(tài)的影響。因為非晶硅具有低的遷移率，所以具有高的遷移率且在低溫下進行處理的氧化物半導(dǎo)體已經(jīng)越來越多地被用作TFT的溝道層。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
實施例針對一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵電極，具有在第一方向上測量的第一長度和在第二方向上測量的第一寬度；活性層，具有在第一方向上測量的第二長度和在第二方向上測量的第二寬度，活性層的第二長度比柵電極的第一長度長，活性層的第二寬度比柵電極的第一寬度長；以及連接至活性層的源電極和漏電極，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的至少一個與活性層的沿第一方向延伸的對應(yīng)的相對側(cè)邊分隔開。柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊可以與活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊分隔開。柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊可以與活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊分隔開相同的間隔。柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊可以設(shè)置在活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊內(nèi)。柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的一個可以沿第二方向連接至布線，該布線在第一方向上具有比柵電極的第一長度短的寬度，并且布線與活性層的沿第一方向延伸的邊界疊置。柵電極的第一長度可以比柵電極的第一寬度長。源電極和漏電極可以沿第一方向延伸并彼此面對。活性層可以包括氧化物半導(dǎo)體?；钚詫涌梢园ㄑ跻约皬逆?、銦、鋅、鉿和錫中選擇的至少一種元素。源電極和漏電極可以通過相應(yīng)的接觸孔連接至活性層?；钚詫涌梢园x子雜質(zhì)摻雜在其中的區(qū)域。源電極和漏電極可以通過接觸孔連接至該區(qū)域。源電極和漏電極可以通過相應(yīng)的歐姆接觸層連接至活性層。柵電極可以設(shè)置在活性層下方。柵電極可以設(shè)置在活性層上方。實施例還針對一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括薄膜晶體管和由薄膜晶體管驅(qū)動的顯示設(shè)備，所述薄膜晶體管包括：柵電極，具有在第一方向上測量的第一長度和在第二方向上測量的第一寬度；活性層，具有在第一方向上測量的第二長度和在第二方向上測量的第二寬度，活性層的第二長度比柵電極的第一長度長，活性層的第二寬度比柵電極的第一寬度長；以及連接至活性層的源電極和漏電極，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的至少一個與活性層的沿第一方向延伸的對應(yīng)的相對側(cè)邊分隔開。實施例還針對一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、活性層以及連接至活性層的源電極和漏電極，柵電極具有在第一方向上測量的第一長度和在第二方向上測量的第一寬度，活性層具有在第一方向上測量的第二長度和在第二方向上測量的第二寬度，活性層的第二長度比柵電極的第一長度長，活性層的第二寬度比柵電極的第一寬度長，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的至少一個與活性層的沿第一方向延伸的對應(yīng)的相對側(cè)邊分隔開；像素電極，連接至薄膜晶體管的源電極和漏電極中的一個；對向電極，面對像素電極；以及有機發(fā)光層，設(shè)置在像素電極和對向電極之間。附圖說明通過參照附圖詳細地描述示例性實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，特征將變得清楚，其中：圖1示出了根據(jù)實施例的TFT，圖1中的（a）示出了根據(jù)實施例的TFT的剖視圖，圖1中的（b）示出了根據(jù)實施例的TFT的平面圖；圖2示出了根據(jù)圖1的實施例的TFT的柵極電壓（Vg）-漏電流（Id）關(guān)系的曲線圖；圖3示出根據(jù)對比示例的TFT的平面圖；圖4示出根據(jù)圖3的對比示例的TFT的Vg-Id關(guān)系的曲線圖；圖5示出根據(jù)另一個實施例的TFT的剖視圖；圖6示出根據(jù)另一個實施例的TFT的剖視圖；圖7示出根據(jù)另一個實施例的TFT的剖視圖；圖8示出根據(jù)另一個實施例的TFT的剖視圖；以及圖9示出根據(jù)實施例的包括圖1的TFT的有機發(fā)光顯示設(shè)備7的剖視圖。具體實施方式現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以以不同的形式來實施，且不應(yīng)該解釋為局限于在這里所提出的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的，并且這些實施例將把本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如在此所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項的任意組合和所有組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個（種）”的表述在一系列元件（要素）之后時，修飾整個系列的元件（要素），而不是修飾系列中的個別元件（要素）。圖1示出了根據(jù)實施例的TFT1。圖1中的(a)示出TFT1的剖視圖，圖1中的(b)是TFT1的平面圖。參照圖1，TFT1具有底柵結(jié)構(gòu)，其中，柵電極110、活性層130以及源電極150a和漏電極150b順序地形成在基板100上?？梢杂砂ㄗ鳛橹饕煞值腟iO2的透明玻璃材料形成基板100。在其它實施方式中，基板100可以由不透明材料形成，并且可以是諸如塑料材料的其它材料?？梢詫⊿iO2和/或SiNx的緩沖層（未示出）形成在基板100上。緩沖層可以使基板100光滑并且可以防止雜質(zhì)滲入到基板100中。柵電極110具有在第一方向X上測量的第一長度Lg和在第二方向Y上測量的第一寬度Wg。通過具有在第一方向X上測量的第一長度Lg的相對的側(cè)邊和具有在第二方向Y上測量的第一寬度Wg的相對的側(cè)邊限定柵電極110。柵電極110的在第一方向X上測量的第一長度Lg可以比在第二方向Y上測量的第一寬度Wg大。柵電極110的沿第一方向X延伸的相對的側(cè)邊中的一個連接至用來向柵電極110施加掃描信號的布線111。根據(jù)本實施例，布線111在第一方向上具有比柵電極110的第一長度Lg小的第一寬度W1。布線111在柵電極110上沿第二方向Y延伸。在圖1中的(b)中，柵電極110和布線111被示出為連接成具有“T”形，但是在其它實施方式中，其它形狀是可能的?？梢杂蛇x自于銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、MoW和Al/Cu中的至少一種導(dǎo)電材料形成柵電極110和在柵電極110上延伸的布線111。第一絕緣層120可以設(shè)置在柵電極110上，以覆蓋柵電極110。第一絕緣層120可以用作柵極絕緣層。第一絕緣層120可以是由選自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZrO2中的至少一種形成的無機絕緣層。包括氧化物半導(dǎo)體的活性層130設(shè)置在第一絕緣層120上。氧化物半導(dǎo)體可以包括選自于鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)中的至少一種。例如，可以由選自于InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和鉿-銦-鋅氧化物(HIZO)中的材料形成活性層130。根據(jù)本實施例，活性層130具有在第一方向X上測量的第二長度La和在第二方向Y上測量的第二寬度Wa?；钚詫?30的在第一方向X上測量的第二長度La可以比在第二方向Y上測量的第二寬度Wa大。第二絕緣層140可以設(shè)置在活性層130上。第二絕緣層140可以是由選自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZrO2中的至少一種形成的無機絕緣層。源電極150a和漏電極150b可以設(shè)置在第二絕緣層140上，以分別通過形成在第二絕緣層140中的接觸孔C1和C2連接至活性層130。源電極150a和漏電極150b可以沿第一方向X延伸，并且相互面對。如圖1中的(b)中所示，源電極150a和漏電極150b中的每個的在第二方向Y上測量的寬度可以比柵電極110的在第二方向Y測量的寬度小?？梢栽诨钚詫?30的相應(yīng)邊上形成摻雜有n+型或p+型離子雜質(zhì)的區(qū)域。接觸孔C1和接觸孔C2可以連接至活性層130的其上摻雜有離子雜質(zhì)的區(qū)域。可以在活性層130、柵電極110和連接至柵電極110的布線111彼此疊置的區(qū)域上形成溝道。在一般的TFT中，在第一方向X上測量的柵電極110的第一長度Lg比活性層130的第二長度La小，而在第二方向Y上測量的柵電極110的第一寬度Wg比活性層130的第二寬度Wa大。然而，在根據(jù)本實施例的TFT1中，在第一方向X上測量的柵電極110的第一長度Lg比活性層130的第二長度La小，并且在第二方向Y上測量的柵電極110的第一寬度Wg也比活性層的第二寬度Wa短。更詳細地，柵電極110的沿第一方向X延伸的相對側(cè)邊中的至少一個可以與活性層130的沿第一方向X延伸的對應(yīng)的相對側(cè)邊分隔開。根據(jù)本實施例，柵電極110的沿第一方向X延伸的相對側(cè)邊與活性層130的沿第一方向X延伸的相對側(cè)邊分隔開距離ΔY，以在活性層130的沿第一方向X延伸的相對側(cè)邊之內(nèi)。柵電極110的沿第二方向Y延伸的相對側(cè)邊與活性層130的沿第二方向Y延伸的相對側(cè)邊分隔開距離ΔX，以在活性層130的沿第二方向Y延伸的相對側(cè)邊之內(nèi)。在第二方向Y上連接至柵電極110的布線111可以與活性層130的沿第一方向X延伸的相對的邊界中的一個邊界局部疊置。因此，布線111和活性層130與溝道的沿第一方向X延伸的邊界疊置了布線111的沿第一方向X的寬度W1。在這種情況下，布線111的在溝道的邊界處連接至柵電極110的部分的寬度W1使與溝道的邊界疊置的面積減小。因此，布線111的遠離溝道邊界的部分的寬度可以比布線111的與溝道邊界疊置的部分的寬度W1大。如圖1中的(b)中所示，當(dāng)在第一方向X測量時，布線111的遠離溝道邊界的部分的寬度可以與柵電極110的長度Lg相同。在其它實施方式中，當(dāng)在第一方向X測量時，布線111的遠離溝道邊界的部分的寬度可以與柵電極的長度Lg不同。如上所述，在根據(jù)本實施例的TFT1中，溝道的邊界的與柵電極110和/或布線111的第一方向X的邊界及活性層130疊置的部分小...