技術(shù)特征：
1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵電極，具有在第一方向上測量的第一長度和在第二方向上測量的第一寬度；活性層，具有在第一方向上測量的第二長度和在第二方向上測量的第二寬度，活性層的第二長度比柵電極的第一長度長，活性層的第二寬度比柵電極的第一寬度長；以及源電極和漏電極，連接到活性層；其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的至少一個與活性層的沿第一方向延伸的對應的相對側(cè)邊分隔開,其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊中的一個沿第二方向連接到布線，所述布線在第一方向上具有比柵電極的第一長度短的寬度，并且布線與活性層的沿第一方向延伸的邊界疊置。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊與活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊分隔開。3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊與活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊分隔開相同的間隔。4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，柵電極的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊設(shè)置在活性層的沿第一方向延伸的相對側(cè)邊內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，柵電極的第一長度比柵電極的第一寬度長。6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，源電極和漏電極沿第一方向延伸并彼此面對。7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，活性層包括氧化物半導體。8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其中，活性層包括氧以及從鎵、銦、鋅、鉿和錫中選擇的至少一種元素。9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，源電極和漏電極通過相應的接觸孔連接到活性層。10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中：活性層包括摻雜有離子雜質(zhì)的區(qū)域，以及源電極和漏電極通過接觸孔連接到所述區(qū)域。11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，源電極和漏電極通...