技術(shù)特征：
1.一種半導體器件，其特征在于，具有：第1布線，其形成于第1布線層，第2布線，其在所述第1布線層上沿著所述第1布線而形成，第3布線，其在所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區(qū)域，沿著所述第1布線及所述第2布線而形成，突出部，其在所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區(qū)域與所述第1布線一體形成，第4布線，其在第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述突出部交叉而形成，第5布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述第3布線交叉而形成，第1過孔群，其形成于所述第1布線與所述第4布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第4布線，第2過孔群，其形成于所述第2布線與所述第5布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第5布線，第3過孔群，其形成于所述突出部與所述第4布線的交叉部，且連接所述突出部和所述第4布線。2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述突出部為第1突出部，所述半導體器件還具有：第2突出部，其形成于所述第1布線層的所述第1布線與第2布線之間的區(qū)域，且與所述第2布線一體形成，第6布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線及所述第2突出部交叉而形成，第4過孔群，其形成于所述第2布線與所述第6布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第6布線，第5過孔群，其形成于所述第2突出部與所述第6布線的交叉部，且連接所述第2突出部和所述第6布線。3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述突出部也與所述第2布線一體形成，所述半導體器件還具有：第4過孔群，其形成于所述第1布線與所述第5布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第5布線，第5過孔群，其形成于所述第2布線與所述第4布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第4布線。4.如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第1突出部和所述第2突出部交互配置在所述第1布線與所述第2布線之間區(qū)域。5.如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還具有：第7布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第6布線之間的區(qū)域，沿著所述第6布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，第8布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第7布線之間的區(qū)域，沿著所述第4布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，第6過孔群，其形成于所述第1布線與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第7布線，第7過孔群，其形成于所述第1突出部與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1突出部和所述第7布線，第8過孔群，其形成于所述第2布線與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第8布線，第9過孔群，其形成于所述第2突出部與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2突出部和所述第8布線，其中，所述第1突出部包括：與所述第4布線交叉的第1交叉部、與所述第7布線交叉的第2交叉部、以及形成于所述第1交叉部與所述第2交叉部之間的凸緣，所述第2突出部包括：與所述第6布線交叉的第1交叉部、與所述第8布線交叉的第2交叉部、以及形成于所述第1交叉部與所述第2交叉部之間的凸緣。6.如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還具有：第3突出部，其形成于所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區(qū)域，且與所述第2布線一體形成，第7布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第6布線之間的區(qū)域，沿著所述第6布線且與所述第1布線、所述第2布線以及所述第1突出部交叉而形成，第8布線，其在所述第2布線層的所述第4布線及所述第6布線的外側(cè)的區(qū)域，沿著所述第4布線且與所述第1布線、所述第2布線以及所述第3突出部交叉而形成，第6過孔群，其形成于所述第1布線與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第7布線，第7過孔群，其形成于所述第1突出部與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1突出部和所述第7布線，第8過孔群，其形成于所述第2布線與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第8布線，第9過孔群，其形成于所述第3突出部與所述第8布線的交叉部，且連接所述第3突出部和所述第8布線，其中，所述第1突出部包括：與所述第4布線交叉的第1交叉部、與所述第7布線交叉的第2交叉部、以及形成于所述第1交叉部與所述第2交叉部之間的凸緣。7.如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還具有：第3突出部，其形成于所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區(qū)域，且與所述第1布線一體形成，第4突出部，其形成于所述第1布線層的所述第1布線與所述第2布線之間的區(qū)域，且與所述第2布線一體形成，第7布線，其形成于所述第2布線層的所述第4布線與所述第6布線之間的區(qū)域，沿著所述第6布線且與所述第1布線、所述第2布線、以及所述第3突出部交叉而形成，第8布線，其形成于所述第2布線層的所述第4布線及所述第6布線的外側(cè)的區(qū)域，沿著所述第4布線且與所述第1布線、所述第2布線、以及所述第4突出部交叉而形成，第6過孔群，其形成于所述第1布線與所述第7布線的交叉部，且連接所述第1布線和所述第7布線，第7過孔群，其形成于所述第3突出部與所述第7布線的交叉部，且連接所述第3突出部和所述第7布線，第8過孔群，其形成于所述第2布線與所述第8布線的交叉部，且連接所述第2布線和所述第8布線，第9過孔群，其形成于所述第4突出部與所述第8布線的交叉部，且連接所述第4突出部和所述第8布線，其中，所述第3突出部包括形成于所述第1布線層的所述第7布線與所述第8布線之間的區(qū)域的凸緣，所述第4突出部包括形成于所述第1布線層的所述第7布線與所述第8布線之間的區(qū)域的凸緣。8.如權(quán)利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述突出部為第1突出部，所述半導體器件還具有：第6布線，其在所述第1布線層上與所述第4布線及所述第5布線交叉而形成，第7布線，其在所述第1布線層上沿著所述第6布線而形成，第8布線，其在所述第1布線層的所述第6布線與所述第7布線之間的區(qū)域，沿著所述第6布線及所述第7布線而形成，第2突出部，其在所述第1布線層的所述第6布線與及所述第7布線之間的區(qū)域與所述第6布線及所述第7布線一體形成，第9布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線、所述第2布線、所述第4布線、所述第5布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，第10布線，其在所述第2布線層上與所述第1布線至所述第6布線交叉而形成，第6過孔群，其形成于所述第6布線與所述第9布線的交叉部，且連接所述第6布線和所述第9布線，第7過孔群，其形成于所述第7布線與所述第9布線的交叉部，且連接所述第7布線和所述第9布線，第8過孔群，其形成于所述第2突出部與所述第9布線的交叉部，且連接所述第2突出部和所述第9布線，第9過孔群，其形成于所述第6布線與所述第10布線的交叉部，且連接所述第6布線和所述第10布線，第10過孔群，其形成于所述第7布線與所述第10布線的交叉部，且連接所述第7布線和所述第10布線。9.如權(quán)利要求8所述的半導體器件，其特征在于，還具有：第11布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第9布線之間的區(qū)域，沿著所述第9布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第6布線、所述第7布線、所述第1突出部以及所述第2突出部交叉而形成，第12布線，其在所述第2布線層的所述第4布線與所述第11布線之間的區(qū)域，沿著所述第4布線且與所述第1布線、所述第2布線、所述第6布線、所述第7布線、所述第1突出部以及第2突出部交叉而形成，第11過孔群，其形成于所述第11布線與所述第1布線、所述第2布線以及所述第1突出部的交叉部，且將所述第11布線、所述第1布線、所述第2布線以及所述第1突出部連接起來，第12過孔群，其形成于所述第12布線與所述第6布線、所述第7布線以及所述第2突出部的交叉部，且將所述第12布線、所述第6布線、所述第7布線以及所述第2突出部連接起來。10.如權(quán)利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第1布線、所述第2布線、所述第4布線以及所述第5布線的寬度大于所述第3布線及所述第6布線的寬度。11.如權(quán)利要求2、4～7中任一項所述的半導體器件，其特征在于，還具有與所述第1布線、所述第2布線及所述第3布線連接的存儲單元，而且，所述第1布線與第1電壓源連接，所述第2布線與第2電壓源連接，所述第3布線與第3電壓源連接。12.如權(quán)利要求8～10中任一項所述的半導體器件，其特征在于，還具有與所述第1布線、所述第3布線及所述第4布線連接的存儲單元，而且，所述第1布線與第1電壓源連接，所述第6布線與第2電壓源連接，所述第3布線與第3電壓源連接。