技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有停止層，所述停止層表面具有柵極薄膜，所述柵極薄膜的部分表面具有第一掩膜層，所述第一掩膜層表面具有第二掩膜層，所述第二掩膜層的材料和停止層的材料相同，所述第一掩膜層和第二掩膜層的材料不同；在所述第一掩膜層的側(cè)壁表面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料與第二掩膜層和停止層的材料相同；在形成所述保護(hù)層之后，以第二掩膜層為掩膜刻蝕所述柵極薄膜，至暴露出停止層表面為止，形成柵極層。所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸精確易控，使所形成的半導(dǎo)體器件的性能穩(wěn)定。

技術(shù)研發(fā)人員：何其旸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201310063976
技術(shù)研發(fā)日：2013.02.28
技術(shù)公布日：2017.05.17