本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵極的形成方法。

背景技術(shù)：
MOS晶體管通過在柵極施加電壓，調(diào)節(jié)通過溝道區(qū)域的電流來產(chǎn)生開關(guān)信號。但當半導(dǎo)體技術(shù)進入30納米以下節(jié)點時，傳統(tǒng)的平面式MOS晶體管對溝道電流的控制能力變?nèi)?，造成嚴重的漏電流。鰭式場效?yīng)晶體管（FinFET）是一種新興的多柵器件，它一般包括凸出于半導(dǎo)體襯底表面的半導(dǎo)體鰭部，覆蓋部分所述鰭部的頂部和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)的源區(qū)和漏區(qū)。在鰭式場效應(yīng)晶體管的形成工藝中，由于鰭部凸出于半導(dǎo)體襯底表面，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成的柵材料層表面凹凸不平，影響了后續(xù)工藝的進行。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種鰭式場效應(yīng)晶體管的形成過程中柵材料層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括：半導(dǎo)體襯底100；位于所述半導(dǎo)體襯底100上的凸起的鰭部101；位于所述鰭部101之間，且覆蓋所述半導(dǎo)體襯底100表面和所述鰭部101部分側(cè)壁的隔離結(jié)構(gòu)102，所述隔離結(jié)構(gòu)102的頂表面低于所述鰭部101的頂表面；位于所述鰭部101和所述隔離結(jié)構(gòu)102上的柵材料層103。在后柵（Gate-last）工藝中，所述的柵材料層103用于形成偽柵，后續(xù)形成源區(qū)和漏區(qū)后，再去除所述偽柵，形成柵極結(jié)構(gòu)。由于所述隔離結(jié)構(gòu)102的頂表面低于所述鰭部101的頂表面，相鄰鰭部101之間具有凹槽，在形成柵材料層103后，柵材料層103填充所述相鄰鰭部101之間的凹槽，使位于所述隔離結(jié)構(gòu)102上的柵材料層表面低于位于所述鰭部101上的柵材料層的表面，所述柵材料層103表面凹凸不平，不利于光刻中對焦深的控制，影響后續(xù)制造工藝。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中通常會采用化學(xué)機械拋光（CMP）工藝拋光所述柵材料層103，使位于所述鰭部101和所述隔離結(jié)構(gòu)102上的柵材料層103的頂表面高度相同。但由于在化學(xué)機械拋光過程中，不存在拋光停止層，難以控制拋光后的柵材料層103的厚度，柵材料層103的厚度具有不確定性，后續(xù)通過刻蝕柵材料層103形成的偽柵的厚度也具有不確定性，造成后續(xù)偽柵的去除深度和金屬柵的填充深度具有不確定性。其他有關(guān)柵極的形成方法，還可以參考公開號為US2011/0147812A1的美國專利申請。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)形成柵極的厚度難以控制。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種柵極的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成鰭部，在所述鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；形成覆蓋所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)的第一柵材料層，所述第一柵材料層的厚度大于所述鰭部的高度；研磨所述第一柵材料層，使所述第一柵材料層表面平整；測量所述隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層的厚度，獲取所述第一柵材料層厚度的測量值；將所述第一柵材料層厚度的測量值與柵厚度目標值比較；若所述第一柵材料層厚度的測量值小于所述柵厚度目標值，則在所述第一柵材料層上形成第二柵材料層，使所述第一柵材料層與所述第二柵材料層的厚度和與所述柵厚度目標值相同，刻蝕所述第二柵材料層和所述第一柵材料層，形成柵極；若所述第一柵材料層厚度的測量值大于所述柵厚度目標值，刻蝕所述第一柵材料層，使刻蝕后剩余第一柵材料層的厚度與所述柵厚度目標值相同，刻蝕所述第一柵材料層，形成柵極?？蛇x的，測量所述隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層的厚度的方法為橢偏儀測量?？蛇x的，所述第一柵材料層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積，所述第二柵材料層的形成工藝為原子層沉積?？蛇x的，在所述半導(dǎo)體襯底上形成鰭部的方法為自對準雙曝光技術(shù)?？蛇x的，還包括在形成所述鰭部的同時在所述鰭部頂表面上形成硬掩膜層?？蛇x的，所述硬掩膜層為氧化硅層和氮化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)，所述氮化硅層位于氧化硅層之上?？蛇x的，在所述鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)的工藝包括：形成覆蓋所述鰭部和所述硬掩膜層的隔離結(jié)構(gòu)材料層；研磨所述隔離結(jié)構(gòu)材料層，直至暴露出所述硬掩膜層表面，形成隔離介質(zhì)層；刻蝕所述隔離介質(zhì)層，使所述隔離介質(zhì)層的頂表面低于所述鰭部的頂表面，形成隔離結(jié)構(gòu)?？蛇x的，形成所述隔離結(jié)構(gòu)材料層的工藝為可流動性化學(xué)氣相沉積?？蛇x的，所述可流動性化學(xué)氣相沉積工藝采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)或者次大氣壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)?？蛇x的，還包括在刻蝕部分所述隔離結(jié)構(gòu)材料層后，去除所述硬掩膜層?？蛇x的，去除所述硬掩膜層的工藝為濕法刻蝕。可選的，還包括在去除所述硬掩膜層后氧化部分所述鰭部，形成氧化層，去除所述氧化層?？蛇x的，還包括在去除所述硬掩膜層后對所述鰭部進行氫氣退火?？蛇x的，所述第一柵材料層和所述第二柵材料層的材料為多晶硅。可選的，還包括在形成第一柵材料層之前，形成覆蓋所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層?？蛇x的，所述柵介質(zhì)層的材料為氧化硅?？蛇x的，所述柵極作為偽柵。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明實施例的柵極的形成方法中，首先形成第一柵材料層，再研磨所述第一柵材料層，使所述第一柵材料層表面平整；再測量隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層的厚度，獲取所述第一柵材料層厚度的測量值。通過將所述第一柵材料層厚度的測量值與柵厚度目標值比較，若測量值小于柵厚度目標值則在所述第一柵材料層上形成第二柵材料層，使所述第一柵材料層與所述第二柵材料層的厚度和與所述柵厚度目標值相同；若測量值大于柵厚度目標值則刻蝕所述第一柵材料層，使刻蝕后剩余第一柵材料層的厚度與所述柵厚度目標值相同。本發(fā)明實施例的柵極的形成方法中，柵材料層厚度并不完全取決于化學(xué)機械拋光工藝后剩余柵材料層的厚度，而是將化學(xué)機械拋光后剩余柵材料層厚度的測量值與柵厚度目標值比較，根據(jù)比較結(jié)果再對柵材料層進行補償沉積或者刻蝕，最終形成的柵材料層的厚度具有確定值，通過對柵材料層刻蝕形成的柵極的厚度也具有確定性。進一步的，本發(fā)明實施例的柵極的形成方法中，形成隔離結(jié)構(gòu)材料層的工藝為可流動性化學(xué)氣相沉積，如高密度等離子體化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積或者次大氣壓化學(xué)氣相沉積。由于鰭式場效應(yīng)晶體管的鰭部采用自對準雙重曝光技術(shù)形成，所述鰭部之間的溝槽具有較高的深寬比，因此，采用可流動性化學(xué)氣相沉積可以提高隔離結(jié)構(gòu)材料層的溝槽填充效果，避免填充過程中出現(xiàn)空隙和裂縫。進一步的，本發(fā)明實施例的柵極的形成方法中，測量所述隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層厚度的方法為橢偏儀測量。橢偏儀通過測量偏振光波通過介質(zhì)時與介質(zhì)發(fā)生相互作用所產(chǎn)生的光波的偏振態(tài)的變化，進行分析擬合，得出薄膜厚度。采用橢偏儀測量所獲取的第一柵材料層的厚度的測量值準確，且與樣品非接觸、對樣品沒有破壞。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)的鰭式場效應(yīng)晶體管形成過程中柵材料層的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2至圖10是本發(fā)明實施例的柵極的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成柵極的厚度難以控制。本發(fā)明的發(fā)明人通過研究現(xiàn)有技術(shù)鰭式場效應(yīng)晶體管柵極或者偽柵極的形成方法，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中采用化學(xué)機械拋光工藝平坦化柵材料層，但是由于柵材料層表面凹凸不平，化學(xué)機械拋光工藝的拋光速率不穩(wěn)定，且在不同圖形密度區(qū)域的拋光速率也不同，導(dǎo)致拋光后柵材料層的厚度具有不確定性，影響后續(xù)工藝?；谝陨涎芯?，本發(fā)明的發(fā)明人提出一種柵極的形成方法，首先形成第一柵材料層，對所述第一柵材料層平坦化后，測量隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層的厚度，獲取所述第一柵材料層厚度的測量值。通過將所述第一柵材料層厚度的測量值與柵厚度目標值比較，根據(jù)比較結(jié)果，若所述測量值小于柵厚度目標值，則對所述第一柵材料層進行補償沉積，形成第二柵材料層，若所述測量值大于柵厚度目標值，則刻蝕所述第一柵材料層，使最終形成的柵材料層的厚度具有確定值。下面結(jié)合附圖詳細地描述具體實施例，上述的目的和本發(fā)明的優(yōu)點將更加清楚。圖2至圖10是本發(fā)明實施例的柵極的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖2，提供半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成鰭部201。所述半導(dǎo)體襯底200可以是硅或者絕緣體上硅（SOI），所述半導(dǎo)體襯底200也可以是鍺、鍺硅、砷化鎵或者絕緣體上鍺。本實施例中，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成鰭部201的方法為自對準雙曝光技術(shù)（SADP：Self-alignedDoublePatterning），具體工藝包括：在所述半導(dǎo)體襯底200上形成硬掩膜材料層，在所述硬掩膜材料層上形成若干分立的犧牲層；在所述犧牲層周圍形成側(cè)墻；去除所述犧牲層；以所述側(cè)墻為掩膜刻蝕所述硬掩膜材料層和所述半導(dǎo)體襯底200，形成鰭部201和位于所述鰭部201頂表面上的硬掩膜層202。由于在自對準雙曝光工藝中，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底200的掩膜為側(cè)墻，而所述側(cè)墻的寬度通?？梢酝ㄟ^側(cè)墻材料的沉積厚度來調(diào)節(jié)，可以獲得小于現(xiàn)有光學(xué)光刻工藝的線寬，因此，采用自對準雙曝光工藝形成的所述鰭部201具有更小的線寬。所述硬掩膜層202在形成所述鰭部201的過程中通過對所述硬掩膜材料層刻蝕同時形成，用于在后續(xù)工藝中保護所述鰭部201和作為隔離結(jié)構(gòu)材料層平坦化過程中的化學(xué)機械拋光停止層。本實施例中，所述硬掩膜層202為氧化硅層和氮化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)，所述氮化硅層位于氧化硅層之上。在其他實施例中，也可以采用光學(xué)光刻，如193nm浸沒式光學(xué)光刻形成所述鰭部。請參考圖3，形成覆蓋所述鰭部201和所述硬掩膜層202的隔離結(jié)構(gòu)材料層（未圖示），研磨所述隔離結(jié)構(gòu)材料層，直至暴露出所述硬掩膜層202表面，形成隔離介質(zhì)層213。本實施例中，形成所述隔離結(jié)構(gòu)材料層的工藝為可流動性化學(xué)氣相沉積（FCVD），所述隔離結(jié)構(gòu)材料層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅?？闪鲃有曰瘜W(xué)氣相沉積通過增進沉積材料的流動性，避免了在填充過程中形成的缺陷，避免在高深寬比溝槽的填充過程中形成空隙和裂縫。所述可流動性化學(xué)氣相沉積工藝可以采用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDP-CVD）系統(tǒng)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)或者次大氣壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）系統(tǒng)。在形成所述隔離結(jié)構(gòu)材料層后，由于所述鰭部201凸出于所述半導(dǎo)體襯底200的表面，因此覆蓋所述鰭部201和所述硬掩膜層202的隔離結(jié)構(gòu)材料層表面凹凸不平，需要平坦化。本實施例中，采用化學(xué)機械拋光工藝平坦化所述隔離結(jié)構(gòu)材料層，且以所述硬掩膜層202為停止層，使得化學(xué)機械拋光后所述隔離結(jié)構(gòu)材料層與所述硬掩膜層202的表面齊平，形成隔離介質(zhì)層213。請參考圖4和圖5，刻蝕所述隔離介質(zhì)層213（參考圖3），使所述隔離介質(zhì)層213的頂表面低于所述鰭部201的頂表面，形成隔離結(jié)構(gòu)203。其中圖5為立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖5沿AA1方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。刻蝕部分所述隔離介質(zhì)層213的工藝可以為干法刻蝕或者濕法刻蝕。本實施例中，采用反應(yīng)離子刻蝕工藝刻蝕所述隔離介質(zhì)層213。由于反應(yīng)離子刻蝕具有較好的選擇性和方向性，且所述鰭部201表面具有硬掩膜層202，刻蝕過程中對所述鰭部201的損傷較小?？涛g后，使所述隔離介質(zhì)層213的頂表面低于所述鰭部201的頂表面，形成隔離結(jié)構(gòu)203，所述鰭部201凸出于所述隔離結(jié)構(gòu)203頂表面的部分用于在后續(xù)工藝中形成鰭式場效應(yīng)晶體管的源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)域。請參考圖6，去除所述硬掩膜層202（參考圖5）；氧化部分所述鰭部201，形成氧化層204；去除所述氧化層204。本實施例中，所述硬掩膜層202為氮化硅層和氧化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)，氮化硅層位于氧化硅層之上。去除所述硬掩膜層202采用濕法刻蝕工藝，先使用熱磷酸溶液去除所述氮化硅層，再使用氫氟酸溶液去除所述氧化硅層。在去除所述硬掩膜層202后，氧化部分所述鰭部201，形成氧化層204。本實施例中，采用H2SO4和H2O2的混合溶液氧化工藝，所述H2SO4和H2O2的混合溶液中H2SO4的體積百分比為30%～70%，溶液溫度高于150攝氏度。氧化過程中，由于所述鰭部201的棱角和尖端部分具有更大的比表面積，暴露于所述H2SO4和H2O2混合溶液中的表面原子更多，更容易被氧化。后續(xù)去除所述氧化層204后，不僅所述鰭部201表面的缺陷層被去除，且所述鰭部201的棱角和尖端部分也被去除，使所述鰭部201的表面光滑，晶格質(zhì)量改善，有利于提高后續(xù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。進一步的，在去除所述氧化層204后，對所述鰭部201進行氫氣退火，氫氣退火可以進一步修復(fù)所述鰭部201表面的損傷，改善所述鰭部201表面晶格結(jié)構(gòu)。在另一實施例中，氧化部分所述半導(dǎo)體鰭部的工藝為氧等離子體氧化，也可以去除所述鰭部表面的缺陷層和尖角部分。請參考圖7，形成覆蓋所述鰭部201和所述隔離結(jié)構(gòu)203的第一柵材料層206，所述第一柵材料層206的厚度大于所述鰭部201的高度。本實施例中，在形成第一柵材料層206之前，形成覆蓋所述鰭部201和所述隔離結(jié)構(gòu)203的柵介質(zhì)層205，后續(xù)形成的第一柵材料層206位于所述柵介質(zhì)層205上。本實施例中，所述柵介質(zhì)層205的材料為氧化硅，所述柵介質(zhì)層205通過化學(xué)氣相沉積工藝或者高溫氧化工藝形成，所述柵介質(zhì)層205作為后續(xù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的柵氧化層。本實施例中，形成所述第一柵材料層206的工藝為化學(xué)氣相沉積，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體包括SiH4，所述第一柵材料層206的材料為多晶硅?；瘜W(xué)氣相沉積工藝的臺階覆蓋能力較佳，可以填充滿不同鰭部201之間的凹槽，避免形成孔洞；另外，化學(xué)氣相沉積工藝的沉積速率較高，可以達到20納米～50納米每分鐘，提高了第一柵材料層206的形成效率。所述第一柵材料層206的厚度大于所述鰭部201的高度，所述鰭部201的高度指所述鰭部201凸出于所述隔離結(jié)構(gòu)203頂表面部分的高度。所述第一柵材料層206用于構(gòu)成后續(xù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的柵極。在另一實施例中，采用后柵（Gate-Last）工藝形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵介質(zhì)層和所述第一柵材料層用于形成偽柵。請參考圖8，研磨所述第一柵材料層206，使所述第一柵材料層206表面平整；測量所述隔離結(jié)構(gòu)203上第一柵材料層206的厚度，獲取所述第一柵材料層206厚度的測量值H。由于所述鰭部201凸出于所述半導(dǎo)體襯底200表面，在形成所述第一柵材料層206后，所述第一柵材料層206填充所述鰭部201之間的凹槽，所述第一柵材料層206表面凹凸不平，影響后續(xù)的工藝進行。因此需要平坦化所述第一柵材料層206表面。本實施例中，采用化學(xué)機械拋光工藝研磨所述第一柵材料層206，使所述第一柵材料層206表面平整。在采用化學(xué)機械拋光工藝研磨所述第一柵材料層206的過程中，由于不存在拋光停止層，且拋光速率隨第一柵材料層206表面形貌的變化而變化，導(dǎo)致拋光所述第一柵材料層206后，第一柵材料層206的厚度具有不確定性，影響后續(xù)工藝。因此需要對位于所述隔離結(jié)構(gòu)上的第一柵材料層206的厚度進行測量，以避免工藝漂移。本實施例中，測量所述隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層206厚度的方法為橢偏儀測量。橢偏儀通過測量偏振光波通過介質(zhì)時與介質(zhì)發(fā)生相互作用所產(chǎn)生的光波的偏振態(tài)的變化，進行分析擬合，得出薄膜厚度，具有與樣品非接觸、測量速度快和測量精度高的特點。因此，采用橢偏儀測量所獲取的第一柵材料層206的厚度的測量值H準確，且對樣品沒有破壞。在獲取所述第一柵材料層206厚度的測量值H后，再將所述第一柵材料層206厚度的測量值H與柵厚度目標值比較：若所述第一柵材料層206厚度的測量值H小于所述柵厚度目標值，則在所述第一柵材料層206上形成第二柵材料層，使所述第一柵材料層206與所述第二柵材料層的厚度和與所述柵厚度目標值相同；若所述第一柵材料層206厚度的測量值H大于所述柵厚度目標值，刻蝕所述第一柵材料層206，使刻蝕后剩余第一柵材料層206的厚度與所述柵厚度目標值相同。需要說明的是，本實施例中，將所述第一柵材料層206厚度的測量值H與柵厚度目標值比較時，當所述第一柵材料層206厚度的測量值H大于所述柵厚度目標值20埃時，認為所述第一柵材料層206厚度的測量值H大于所述柵厚度目標值；同理，當所述第一柵材料層206厚度的測量值H小于所述柵厚度目標值20埃時，認為所述第一柵材料層206厚度的測量值H小于所述柵厚度目標值；若所述第一柵材料層206厚度的測量值H與所述柵厚度目標值的差值的絕對值小于等于20埃時，則直接刻蝕所述第一柵材料層206形成柵極。在其他實施例中，也可以根據(jù)工藝誤差的要求調(diào)整判斷所述第一柵材料層206厚度的測量值H與柵厚度目標值的比較標準。請參考圖9，本實施例中以所述第一柵材料層206厚度的測量值H小于所述柵厚度目標值為例，說明柵極的形成過程。如圖9所示，若所述第一柵材料層206厚度的測量值H小于所述柵厚度目標值，則在所述第一柵材料層206上形成第二柵材料層207，使所述第一柵材料層206與所述第二柵材料層207的厚度和與所述柵厚度目標值相同。本實施例中，形成所述第二柵材料層207的工藝為原子層沉積工藝，原子層沉積工藝通過將氣相前驅(qū)物脈沖交替地通入反應(yīng)腔室，在沉積基底上化學(xué)吸附并反應(yīng)，單層生長形成沉積薄膜，厚度可控性好。由于原子層沉積工藝的單原子層沉積機制，通過控制沉積速率和沉積時間，容易精確控制第二柵材料層207的沉積厚度，使第一柵材料層206與所述第二柵材料層207的厚度和與所述柵厚度目標值相同。所述原子層沉積工藝的反應(yīng)氣體包括SiH4或者Si2H6，所述第二柵材料層207的材料為多晶硅，與所述第一柵材料層206的材料形同。在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一柵材料層厚度的測量值可能大于所述柵厚度目標值，此時，刻蝕所述第一柵材料層，使刻蝕后剩余第一柵材料層的厚度與所述柵厚度目標值相同?？涛g所述第一柵材料層的工藝可以為干法刻蝕或者濕法刻蝕。所述干法刻蝕可以采用反應(yīng)離子刻蝕，所述反應(yīng)離子刻蝕采用SF6和Ar的混合氣體。所述濕法刻蝕可以采用TMAH（四甲基氫氧化銨：(CH3)4NOH）溶液，其中TMAH的濃度為1%～5%。由于刻蝕速率通常小于化學(xué)機械拋光的速率，且可以通過刻蝕時間、刻蝕氣體和刻蝕功率等對刻蝕速率進行調(diào)控，因此，采用刻蝕工藝進一步去除部分第一柵材料層，可以準確控制刻蝕深度使刻蝕后剩余第一柵材料層的厚度與所述柵厚度目標值相同。通過上述的對化學(xué)機械拋光后第一柵材料層的測量和與柵厚度目標值比較，根據(jù)比較結(jié)果對柵材料層進行補償沉積或者刻蝕，使最終形成的柵材料層的厚度具有確定性，后續(xù)刻蝕柵材料層形成的柵極的厚度也具有確定性。請參考圖10，圖10為在圖9的基礎(chǔ)上形成柵極的過程中沿圖5中BB1方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖?？涛g所述第二柵材料層207和所述第一柵材料層206，形成柵極208。具體的，在所述第二柵材料層207上形成圖形化的光刻膠層（未圖示），所述圖形化的光刻膠層的位置與后續(xù)形成的柵極208的位置相對應(yīng)。以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第二偽柵材料層207和第一偽柵材料層206，暴露出所述鰭部201表面，位于所述圖形化的光刻膠層下的第二偽柵材料層207和第一偽柵材料層206構(gòu)成柵極208。去除所述圖形化的光刻膠層。本實施例中，所述鰭部201和所述隔離結(jié)構(gòu)203表面形成有柵介質(zhì)層205，在刻蝕所述第二柵材料層207和所述第一柵材料層206形成柵極208的同時，對所述柵介質(zhì)層205進行刻蝕，剩余柵介質(zhì)層205和柵極208共同構(gòu)成后續(xù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的柵極結(jié)構(gòu)。在另一實施例中，柵極結(jié)構(gòu)采用后柵工藝形成，所述柵介質(zhì)層和柵極作為偽柵，后續(xù)形成鰭式場效應(yīng)晶體管的源區(qū)和漏區(qū)后，去除所述偽柵，再形成高介電常數(shù)的柵介質(zhì)層和金屬柵極。在本發(fā)明的其他實施例中，若所述第一柵材料層厚度的測量值小于所述柵厚度的目標值，通過對所述第一柵材料層刻蝕，使刻蝕后剩余第一柵材料層的厚度與所述柵厚度目標值相同，刻蝕所述第一柵材料層，形成柵極。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。