技術(shù)總結(jié)
一種柵極的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成鰭部，在所述鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；形成覆蓋所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)的第一柵材料層；研磨所述第一柵材料層，使所述第一柵材料層表面平整；測量所述隔離結(jié)構(gòu)上第一柵材料層的厚度，獲取所述第一柵材料層厚度的測量值；將所述第一柵材料層厚度的測量值與柵厚度目標(biāo)值比較，并根據(jù)比較結(jié)果再對所述第一柵材料層進(jìn)行補(bǔ)償沉積或者刻蝕；刻蝕柵材料層，形成柵極。本發(fā)明的柵極的形成方法所形成柵極的厚度與柵厚度目標(biāo)值相同，且容易控制。

技術(shù)研發(fā)人員：卜偉海;康勁;王文博
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201310080498
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.13
技術(shù)公布日：2017.03.22