本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光顯示技術領域，具體涉及一種有機發(fā)光二極管的封裝結構及其制備方法。

背景技術：
有機電致發(fā)光二極管（OLED），也叫有機發(fā)光二極管，其發(fā)光原理是給特定的有機材料施加電流，使電能轉(zhuǎn)化為光能，從而發(fā)光，有機發(fā)光二極管具有全固態(tài)、主動發(fā)光、高亮度、高對比度、超薄超輕、低功耗、無視角限制、工作溫度范圍廣等特性，被認為是下一代的平面顯示的主力軍。然而，OLED顯示器，尤其是位于其中的電極和有機材料對于諸如氧氣和濕氣的外部環(huán)境因素極敏感，隨著使用時間的增加，環(huán)境中的水氣與氧氣很容易滲入器件內(nèi)部，使得金屬電極與有機材料之間剝離、材料裂解和電極氧化，進而產(chǎn)生暗點，并且黑點隨時間的增加會迅速擴大，這會大幅降低顯示器件的發(fā)光強度和發(fā)光均勻度等發(fā)光品質(zhì)，最終會導致整個器件損壞，大大縮短器件的壽命。因此，對OLED器件良好的封裝是延長OLED器件壽命的最重要方式。傳統(tǒng)的OLED封裝工藝采用粘結劑粘結基板和封裝玻璃蓋板構成一氣密空間形成對OLED器件保護的方法，此方法工藝成熟、簡單并且堅固，但對于大尺寸器件的封裝，由于玻璃蓋板容易受重力等外力因素而變形，使蓋板碰觸到器件而使器件受到損壞；同時針對柔性器件，在采用柔性高分子薄膜作為蓋板封裝的時候，在器件彎曲、折疊的時候很容易造成封裝薄膜于器件發(fā)光區(qū)域碰觸而損壞器件。針對蓋板封裝的缺陷，人們開始把目光轉(zhuǎn)向薄膜封裝，薄膜封裝是在OLED器件陰極表面沉積多層薄膜，其中以VitexSystem的Barix封裝技術為代表，這事一種基于復合物的途徑來密封OLED的方法，在器件陰極表面制備有機、無機交替的多層薄膜，但是薄膜封裝還是會有針孔產(chǎn)生，設備投資高，生產(chǎn)效率低，目前工藝不成熟，不能很好的解決器件因擠壓而被破壞的問題。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中的上述問題，提供一種在變形情況下仍能保證有機發(fā)光二極管器件不被破壞的有機發(fā)光二極管封裝結構。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案：一種有機發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、蓋板和位于基板上的有機發(fā)光二極管，所述基板和蓋板通過位于基板邊緣的粘結材料粘結形成封裝結構，所述有機發(fā)光二極管包括設置于基板上表面的陽極和依次疊加在陽極上面的有機層和陰極，其特征在于：所述有機發(fā)光二極管的陽極表面還設有物理間隙柱，所述物理間隙柱的上表面高于有機發(fā)光二極管陰極的上表面。進一步地，所述物理間隙柱也可以直接設置在基板的上表面，即上述方案中與物理間隙柱重疊的陽極部分被物理間隙柱取代。進一步地，所述物理間隙柱的底面積為有機二極管陽極表面積的20～70%。進一步地，所述物理間隙柱的材質(zhì)為光敏感樹脂、無機絕緣材料或其他類的絕緣材料。進一步地，所述物理間隙柱的材質(zhì)為丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等單體的均聚物或共聚物、三氧化二鋁、氮化硅或二氧化硅。進一步地，全部或部分有機發(fā)光二極管的陽極上設置有物理間隙柱。進一步地，全部或部分有機發(fā)光二極管陽極處的基板上設置有物理間隙柱。進一步地，所述有機發(fā)光二極管的有機層包括至少一層發(fā)光層。進一步地，所述有機發(fā)光二極管除了發(fā)光層外還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層。進一步地，一種陽極表面設置有物理間隙的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法，具體包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜法在基板上制備有機發(fā)光二極管的陽極；步驟2對于材質(zhì)為光敏感樹脂的物理間隙柱的制備，包括分步驟211-214：步驟211在陽極表面均勻涂布光敏感樹脂，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟212曝光：固化光束經(jīng)過掩模板照射至陽極表面的光敏感樹脂；步驟213顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內(nèi)的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱；步驟214對所述物理間隙柱進行烘烤使其進一步硬化；對于材質(zhì)為無機材料的物理間隙柱的制備，包括分步驟221-226：步驟221采用濺射鍍膜法在陽極表面沉積無機膜；步驟222在無機膜表面均勻涂布光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板，如果所涂光刻膠為負性光刻膠，則掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；如果所涂光刻膠為正性光刻膠，則掩膜板上的遮蔽區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟223曝光：光束經(jīng)過掩模板照射至無機膜表面的光刻膠，對于負性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射固化，對于正性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射而分解；步驟224顯影：即用顯影溶液將未固化或已分解的光刻膠除去，剩余光刻膠則覆蓋在無機膜上；步驟225刻蝕：將步驟224所得基板浸入刻蝕液，被除去光刻膠區(qū)域內(nèi)的無機薄膜被刻蝕，光刻膠覆蓋區(qū)域的無機膜則被留下；步驟226剝離：即除去覆蓋在無機膜上的光刻膠，得到物理間隙柱；步驟3在步驟2所得基板的表面依次蒸鍍有機層和陰極，完成有機發(fā)光二極管的制備；步驟4用粘結材料將步驟3基板和蓋板粘結起來，完成有機發(fā)光二極管的封裝結構。進一步地，一種基板表面設置有物理間隙柱的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法，包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜法在基板上制備一層導電膜；步驟2在步驟1所述導電膜表面均勻涂布正性光刻膠并烘烤，然后，安裝掩模板，所述掩膜板上的遮蔽區(qū)域與基板上所設置陽極的大小、形狀和位置一一對應，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板上除陽極以外的區(qū)域一一對應，還包括所設置物理間隙柱的區(qū)域；步驟3曝光：用光束照射步驟2所得基板，光束經(jīng)過掩模板的鏤空區(qū)域照射到正性光刻膠并使其分解；步驟4顯影：即用顯影液除去鏤空區(qū)域內(nèi)分解了的光刻膠；步驟5刻蝕：用刻蝕液除去鏤空區(qū)域由于沒有光刻膠保護該區(qū)域內(nèi)的導電層；步驟6剝離：用剝離液除去未刻蝕區(qū)域內(nèi)導電層表面的正性光刻膠，剩余導電層即為陽極，同時得到在設置物理間隙柱處沒有陽極的基板；步驟7對于材質(zhì)為光敏感樹脂的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟711在步驟6所得基板表面均勻涂布光敏感樹脂，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板表面所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟712曝光：用光束照射步驟711所得基板，光束經(jīng)過掩模板照射至基板表面的光敏感樹脂并使其固化；步驟713顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內(nèi)的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱；步驟714對步驟713所得物理間隙柱進行烘烤使其進一步硬化；對于材質(zhì)為無機材料的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟721采用濺射鍍膜法在在步驟6所得基板表面沉積無機膜；步驟722在無機膜表面均勻涂布光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板，如果所涂光刻膠為負性光刻膠，則掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；如果所涂光刻膠為正性光刻膠，則掩膜板上的遮蔽區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟723曝光：光束經(jīng)過掩模板照射至無機膜表面的光刻膠，對于負性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射固化，對于正性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射而分解；步驟724顯影：即用顯影溶液將未固化或已分解的光刻膠除去，剩余光刻膠則覆蓋在無機膜上；步驟725刻蝕：將步驟724所得基板浸入刻蝕液，被除去光刻膠區(qū)域內(nèi)的無機薄膜被刻蝕，光刻膠覆蓋區(qū)域的無機膜則被留下；步驟726剝離：即除去覆蓋在無機膜上的光刻膠，得到物理間隙柱，同時得到設置于物理間隙柱的基板；步驟8在步驟7所得基板的表面依次蒸鍍有機層和陰極，完成有機發(fā)光二極管的制備；步驟9用粘結材料將步驟8所得基板和蓋板粘結起來，完成有機發(fā)光二極管封裝結構的制備。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：首先，本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管封裝結構通過在二極管陽極部分表面上設置高于二極管陰極的物理間隙柱，當封裝結構的蓋板受外力作用發(fā)生變形時，首先接觸的是物理間隙柱，避免了有機發(fā)光二極管的陰極和其余層的損壞，提高有機發(fā)光二極管的使用壽命；其次，本發(fā)明所述的有機發(fā)光二極管封裝結構尤其適用于大尺寸有機發(fā)光二極管面板和柔性有機發(fā)光二極管面板；最后，本發(fā)明所述有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法，僅需在二極管陽極上設置物理間隙柱，通用性好。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例1中的有機發(fā)光二極管封裝結構的側剖視圖；圖2為本發(fā)明實施例2中的有機發(fā)光二極管封裝結構的側剖視圖。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。實施例1如圖1所示，本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構，包括基板1、蓋板3和位于基板上的有機發(fā)光二極管2，基板1和蓋板3通過位于基板邊緣的粘結材料4粘結形成封裝結構；有機發(fā)光二極管2包括設置于基板上表面的陽極21和依次疊加在陽極21上面的有機層22和陰極23，所述陽極21上還設有物理間隙柱5，且物理間隙柱5的上表面高于有機發(fā)光二極管陰極23的的上表面，這樣當封裝結構受外力作用而變形時，變形的蓋板3首先接觸到的是物理間隙柱5的上表面，而不會接觸和破壞有機發(fā)光二極管2的陰極23及有機層22。為了保證封裝結構的發(fā)光度和視角，本實施例中物理間隙柱5占有機二極管陽極21表面積的20%。本實施例中的物理間隙柱5的材質(zhì)為丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等單體的均聚物或共聚物。本實施例中全部有機發(fā)光二極管2的陽極21上均設置有物理間隙柱5。本實施例中的有機發(fā)光二極管的有機層22可以只包括至少一層發(fā)光層，也可以包括至少一層發(fā)光層和空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層，即該有機發(fā)光二極管封裝結構適用于各種有機發(fā)光二極管。本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜工藝在基板1上制備有機發(fā)光二極管2的陽極21；步驟2在陽極21表面均勻涂布光敏感樹脂，如丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯或甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等單體的均聚物或共聚物，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟3曝光：固化光束經(jīng)過掩模板照射至陽極21表面的光敏感樹脂；步驟4顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內(nèi)的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱5；步驟5對所述物理間隙柱5進行烘烤使其進一步硬化；步驟6在步驟5所得的基板1上依次蒸鍍有機層22、和陰極23，完成有機發(fā)光二極管2的制備；步驟7用粘結材料4將步驟6所得基板1和柔性薄膜蓋板3粘結起來，完成有機發(fā)光二極管的封裝。實施例2如圖1所示，本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構包括基板1、蓋板3和位于基板上的有機發(fā)光二極管2，基板1和蓋板3通過位于基板邊緣的粘結材料4粘結形成封裝結構；有機發(fā)光二極管2包括設置于基板上表面的陽極21和依次疊加在陽極21上面的有機層22和陰極23；所述陽極21上還設有物理間隙柱5，且物理間隙柱5的上表面高于有機發(fā)光二極管陰極23的的上表面，這樣當封裝結構受外力作用而變形時，變形的蓋板3首先接觸到的是物理間隙柱5的上表面，而不會接觸到有機發(fā)光二極管2的陰極23及有機層22。為了保證封裝結構的發(fā)光度和視角，物理間隙柱5占有機二極管陽極21表面積的40%。本實施例中的物理間隙柱5的材質(zhì)為三氧化二鋁、氮化硅或二氧化硅。本實施例中只在部分有機發(fā)光二極管2的陽極21上設置有物理間隙柱5，因為相比紅光和藍光，綠光的發(fā)光效率較高，所以將物理間隙柱5設置于發(fā)綠光的有機發(fā)光二極管2的陽極21表面，代替?zhèn)鹘y(tǒng)調(diào)整不同發(fā)光顏色二極管像素尺寸來調(diào)整不同顏色發(fā)光亮度比例的做法。本實施例中的有機發(fā)光二極管的有機層22可以只包括至少一層發(fā)光層，也可以包括至少一層發(fā)光層和空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層，即該有機發(fā)光二極管封裝結構適用于各種有機發(fā)光二極管。本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜工藝在基板1上制備有機發(fā)光二極管2的陽極21；步驟2采用濺射鍍膜法在陽極21表面沉積無機膜；步驟3在無機膜表面均勻涂布光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板；如果所涂光刻膠為負性光刻膠，則掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；如果所涂光刻膠為正性光刻膠，則掩膜板上的遮蔽區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟4曝光：光束經(jīng)過掩模板照射至無機膜表面的光刻膠，對于負性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射固化，對于正性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射而分解；步驟5顯影：即用顯影溶液將未固化或已分解的光刻膠除去，剩余光刻膠則覆蓋在無機膜上；步驟6刻蝕：將步驟5所得基板浸入刻蝕液，被除去光刻膠區(qū)域內(nèi)的無機薄膜被刻蝕，光刻膠覆蓋區(qū)域的無機膜則被留下；步驟7剝離：即除去覆蓋在無機膜上的光刻膠，得到物理間隙柱5；步驟8在步驟7所得基板1上依次蒸鍍有機層22、和陰極23，完成有機發(fā)光二極管2的制備；步驟9用粘結材料4將步驟8所得基板1和蓋板3粘結起來，完成有機發(fā)光二極管的封裝。實施例3如圖2所示，本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構包括基板1、蓋板3和位于基板上的有機發(fā)光二極管2，基板1和蓋板3通過位于基板邊緣的粘結材料4粘結形成封裝結構；有機發(fā)光二極管2包括設置于基板上表面的陽極21和依次疊加在陽極21上面的有機層22和陰極23；所述基板1上還設置有物理間隙柱5，即實施例1中與物理間隙柱5重疊的陽極部分被物理間隙柱取代，物理間隙貫穿陽極、有機層和陰極，所述物理間隙柱5的上表面高于有機發(fā)光二極管2陰極23的上表面，即物理間隙柱5的上表面突出于有機發(fā)光二極管2的陰極23上表面，這樣當封裝結構受外力作用而變形時，變形的蓋板3首先接觸到的是物理間隙柱5的上表面，而不會接觸到有機發(fā)光二極管2的陰極23及有機層22。為了保證封裝結構的發(fā)光度和視角，物理間隙柱5占有機二極管陽極21表面積的60%。所述物理間隙柱5的材質(zhì)為丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等單體的均聚物或共聚物。本實施例中部分有機發(fā)光二極管2的陽極21上均設置有物理間隙柱5。本實施例中的有機發(fā)光二極管的有機層21可以只包括至少一層發(fā)光層，也可以包括至少一層發(fā)光層和空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層，即該有機發(fā)光二極管封裝結構適用于各種有機發(fā)光二極管。本實施例中的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜工藝在基板1表面制備一層導電層；步驟2步驟1所述導電層表面均勻涂布正性光刻膠并烘烤，然后，安裝掩模板，所述掩膜板上的遮蔽區(qū)域與基板1上所設置陽極21的大小、形狀和位置一一對應，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板1上除陽極21以外的區(qū)域一一對應，鏤空區(qū)域還包括所設置物理間隙柱的區(qū)域；步驟3曝光：用光束照射步驟2所得基板1，光束經(jīng)過掩模板的鏤空區(qū)域照射至正性光刻膠并使被照射的正性光刻膠分解；步驟4顯影：即用顯影液除去鏤空區(qū)域內(nèi)分解了的光刻膠；步驟5刻蝕：將步驟4所得基板1浸入刻蝕液中，鏤空區(qū)域由于沒有光刻膠保護，該區(qū)域內(nèi)的導電層被蝕刻掉；步驟6剝離：用剝離液除去未刻蝕區(qū)域內(nèi)導電層的正性光刻膠，剩余導電層則為陽極21；步驟7在步驟6所得基板1的表面均勻涂布光敏感樹脂，如丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯或甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等單體的均聚物或共聚物等光敏感樹脂，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板1上所設置物理間隙柱5的位置、形狀一一對應；步驟8曝光：固化光束經(jīng)過掩模板鏤空區(qū)域照射至基板1表面的光敏感樹脂并使被照射的光敏感樹脂固化；步驟9顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內(nèi)的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱5；步驟10對所述物理間隙柱5進行烘烤使其進一步硬化；步驟11在步驟10所得基板表面依次蒸鍍有機層22、和陰極23，完成有機發(fā)光二極管2的制備；步驟12用粘結材料4將步驟11所得基板1和蓋板3粘結起來，完成有機發(fā)光二極管的封裝。所述有機發(fā)光二極管的蓋板并不局限于實施例中所述的幾種，也可以是金屬蓋板。盡管這里參照本發(fā)明的多個解釋性實施例對本發(fā)明進行了描述，但是，應該理解，本領域技術人員可以設計出很多其他的修改和實施方式，這些修改和實施方式將落在本申請公開的原則范圍和精神之內(nèi)。