技術特征：
1.一種有機發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、蓋板和位于基板上的多個有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括紅光有機發(fā)光二極管、綠光有機發(fā)光二極管及藍光有機發(fā)光二極管，所述基板和蓋板通過位于基板邊緣的粘結材料粘結形成封裝結構，所述有機發(fā)光二極管包括設置于基板上表面的陽極和依次疊加在陽極上面的有機層和陰極，其特征在于：所述有機發(fā)光二極管中綠光有機發(fā)光二極管陽極表面還設有物理間隙柱，所述物理間隙柱的上表面高于有機發(fā)光二極管陰極的的上表面。2.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述物理間隙柱設置于基板的上表面。3.根據權利要求1或2所述的有機發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述物理間隙柱的底面積為有機二極管陽極表面積的20～70％。4.根據權利要求1或2所述的有機發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述物理間隙柱的材質為光敏感樹脂或無機絕緣材料。5.根據權利要求4所述的有機發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述物理間隙柱的材質為丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-環(huán)氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯單體的均聚物或共聚物、三氧化二鋁、氮化硅或二氧化硅。6.根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于：所述有機發(fā)光二極管的有機層包括至少一層發(fā)光層，還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層。7.一種根據權利要求1所述的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜法在基板上制備有機發(fā)光二極管的陽極；步驟2對于材質為光敏感樹脂的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟211在陽極表面均勻涂布光敏感樹脂，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟212曝光：固化光束經過掩模板照射至陽極表面的光敏感樹脂；步驟213顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱；步驟214對所述物理間隙柱進行烘烤使其進一步硬化；對于材質為無機材料的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟221采用濺射鍍膜法在陽極表面沉積無機膜；步驟222在無機膜表面均勻涂布光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板，如果所涂光刻膠為負性光刻膠，則掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；如果所涂光刻膠為正性光刻膠，則掩膜板上的遮蔽區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟223曝光：光束經過掩模板照射至無機膜表面的光刻膠，對于負性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射固化，對于正性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射而分解；步驟224顯影：即用顯影溶液將未固化或已分解的光刻膠除去，剩余光刻膠則覆蓋在無機膜上；步驟225刻蝕：將步驟224所得基板浸入刻蝕液，被除去光刻膠區(qū)域內的無機薄膜被刻蝕，光刻膠覆蓋區(qū)域的無機膜則被留下；步驟226剝離：即除去覆蓋在無機膜上的光刻膠，得到物理間隙柱；步驟3在步驟2所得基板的表面依次蒸鍍有機層和陰極，完成有機發(fā)光二極管的制備；步驟4用粘結材料將步驟3基板和蓋板粘結起來，完成有機發(fā)光二極管的封裝結構。8.一種根據權利要求2所述的有機發(fā)光二極管封裝結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟1采用濺射鍍膜法在基板上制備一層導電膜；步驟2在步驟1所述導電膜表面均勻涂布正性光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板，所述掩膜板上的遮蔽區(qū)域與基板上所設置陽極的大小、形狀和位置一一對應，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板上除陽極以外的區(qū)域一一對應，還包括所設置物理間隙柱的區(qū)域；步驟3曝光：用光束照射步驟2所得基板，光束經過掩模板的鏤空區(qū)域照射到正性光刻膠并使其分解；步驟4顯影：即用顯影液除去鏤空區(qū)域內分解了的光刻膠；步驟5刻蝕：用刻蝕液除去鏤空區(qū)域由于沒有光刻膠保護該區(qū)域內的導電層；步驟6剝離：用剝離液除去未刻蝕區(qū)域內導電層表面的正性光刻膠，剩余導電層即為陽極，同時得到在設置物理間隙柱處沒有陽極的基板；步驟7對于材質為光敏感樹脂的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟711在步驟6所得基板表面均勻涂布光敏感樹脂，并安裝掩膜板，所述掩膜板上的鏤空區(qū)域與基板表面所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟712曝光：用光束照射步驟711所得基板，光束經過掩模板照射至基板表面的光敏感樹脂并使其固化；步驟713顯影：即用顯影溶液將被掩膜板遮蔽的區(qū)域內的未固化光敏感樹脂除去，固化的光敏感樹脂則形成物理間隙柱；步驟714對步驟713所得物理間隙柱進行烘烤使其進一步硬化；對于材質為無機材料的物理間隙柱的制備，包括以下步驟：步驟721采用濺射鍍膜法在在步驟7所得基板表面沉積無機膜；步驟722在無機膜表面均勻涂布光刻膠并烘烤，然后，安裝掩膜板，如果所涂光刻膠為負性光刻膠，則掩膜板上的鏤空區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；如果所涂光刻膠為正性光刻膠，則掩膜板上的遮蔽區(qū)域與陽極上所設置物理間隙柱的位置、形狀一一對應；步驟723曝光：光束經過掩模板照射至無機膜表面的光刻膠，對于負性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射固化，對于正性光刻膠，鏤空區(qū)域光刻膠受照射而分解；步驟724顯影：即用顯影溶液將未固化或已分解的光刻膠除去，剩余光刻膠則覆蓋在無機膜上；步驟725刻蝕：將步驟724所得基板浸入刻蝕液，被除去光刻膠區(qū)域內的無機薄膜被刻蝕，光刻膠覆蓋區(qū)域的無機膜則被留下；步驟726剝離：即除去覆蓋在無機膜上的光刻膠，得到物理間隙柱，同時得到設置于物理間隙柱的基板；步驟8在步驟7所得基板的表面依次蒸鍍有機層和陰極，完成有機發(fā)光二極管的制備；步驟9用粘結材料將步驟8所得基板和蓋板粘結起來，完成有機發(fā)光二極管封裝結構的制備。