本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種檢測(cè)刻蝕殘留的方法。

背景技術(shù)：
在陣列基板和對(duì)盒基板的制備過(guò)程中，構(gòu)圖工藝是必不可少的步驟，一般構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、以及刻蝕，在刻蝕工序中如果刻蝕均勻性不好常會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)刻蝕殘留問(wèn)題；其中，所述刻蝕殘留是指在構(gòu)圖工藝結(jié)束后，需要全部去除的膜層沒(méi)有完全去除，即仍有部分殘留。例如，對(duì)于底柵型陣列基板，其形成過(guò)程可以包括:在基板上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、以及保護(hù)層和像素電極，其中所述有源層可以包括非晶硅層和n+非晶硅層，像素電極通過(guò)設(shè)置在保護(hù)層上的過(guò)孔與所述漏極連接。其中，在刻蝕形成n+非晶硅層時(shí)，與所述源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的n+非晶硅需要完全刻蝕掉，但刻蝕工序后經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)該處n+非晶硅刻蝕不完全的現(xiàn)象，這將會(huì)導(dǎo)致最終制備的陣列基板結(jié)構(gòu)改變，從而產(chǎn)生不良品。此外，在刻蝕形成位于保護(hù)層上的過(guò)孔時(shí)，所述過(guò)孔處的保護(hù)層物質(zhì)例如氮化硅也需要完全刻蝕掉，但刻蝕工序后也經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過(guò)孔刻蝕不完全現(xiàn)象，從而導(dǎo)致該過(guò)孔不能連接像素電極和漏極，產(chǎn)生不良品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種檢測(cè)刻蝕殘留的方法，可實(shí)現(xiàn)檢測(cè)刻蝕殘留，從而提高產(chǎn)品良率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:提供一種檢測(cè)刻蝕殘留的方法，包括:獲取待檢測(cè)處的圖案；對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試，得到紅外光譜圖；根據(jù)所述紅外光譜圖，判斷是否存在殘留物質(zhì)?？蛇x的，所述根據(jù)所述紅外光譜圖，判斷是否存在殘留物質(zhì)包括:判斷是否存在表征所述殘留物質(zhì)的官能團(tuán)或化學(xué)鍵的特征峰；若存在所述特征峰，則所述待檢測(cè)處存在所述殘留物質(zhì)；若不存在所述特征峰，則所述待檢測(cè)處不存在所述殘留物質(zhì)。進(jìn)一步可選的，所述獲取待檢測(cè)處的圖案包括:采用膜層色差擬合出所述待檢測(cè)處的圖案的邊界，并對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案形狀進(jìn)行定位?？蛇x的，所述對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試包括:采用傅里葉變換紅外光譜儀對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試。進(jìn)一步可選的，所述對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試，得到紅外光譜圖之前，獲取所述待檢測(cè)處的圖案之后，所述方法還包括:通過(guò)設(shè)置與所述待檢測(cè)處的圖案對(duì)應(yīng)的光闌，將所述傅里葉變換紅外光譜儀的入射光限定在所述待檢測(cè)處。進(jìn)一步地，所述光闌的透光部分的形狀與所述待檢測(cè)處的圖案的形狀相同，且面積小于等于所述待檢測(cè)處的圖案的面積。進(jìn)一步可選的，所述光闌設(shè)置在所述傅里葉變換紅外光譜儀中，或設(shè)置在所述傅里葉變換紅外光譜儀的出光一側(cè)?？蛇x的，在所述待檢測(cè)處正下方設(shè)置有金屬層的情況下，所述采用傅里葉變換紅外光譜儀對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試包括:采用傅里葉變換紅外光譜儀的反射模式對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種檢測(cè)刻蝕殘留的方法，該方法包括:獲取待檢測(cè)處的圖案；對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試，得到紅外光譜圖；根據(jù)所述紅外光譜圖，判斷是否存在殘留物質(zhì)；這樣，通過(guò)判斷所述紅外光譜圖中是否包括有表征所述殘留物質(zhì)的官能團(tuán)或化學(xué)鍵的特征峰，可以判斷出是否存在所述殘留物質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)檢測(cè)刻蝕殘留的目的，進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測(cè)刻蝕殘留的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的保護(hù)層上過(guò)孔處殘留氮化硅的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的與源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的有源層上殘留n+非晶硅的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a為本發(fā)明實(shí)施例一提供的與所述源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的圖案處沒(méi)有n+非晶硅殘留時(shí)陣列基板薄膜晶體管的俯視示意圖；圖4b為本發(fā)明實(shí)施例一提供的與所述源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的圖案處有n+非晶硅殘留時(shí)陣列基板薄膜晶體管的俯視示意圖；圖5a為本發(fā)明實(shí)施例一提供的與所述源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的圖案處沒(méi)有n+非晶硅殘留時(shí)的俯視示意圖；圖5b為本發(fā)明實(shí)施例一提供的與所述源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的圖案處有n+非晶硅殘留時(shí)的俯視示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種包括U型透光部分的光闌的示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的采用包括U型透光部分的光闌的傅里葉變換紅外光譜儀進(jìn)行紅外光譜測(cè)試的示意圖；圖8a為本發(fā)明實(shí)施例二提供的過(guò)孔下方的圖案處沒(méi)有氮化硅殘留時(shí)的俯視示意圖；圖8b為本發(fā)明實(shí)施例二提供的過(guò)孔下方的圖案處有氮化硅殘留時(shí)的俯視示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種包括O型透光部分的光闌的示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例二提供的采用包括O型透光部分的光闌的傅里葉變換紅外光譜儀進(jìn)行紅外光譜測(cè)試的示意圖。附圖標(biāo)記；10-基板；20-柵極；30-柵絕緣層；40-有源層，401-非晶硅層，402-n+非晶硅層，402a-n+非晶硅殘留；501-源極，502-漏極；60-保護(hù)層，601-過(guò)孔，601a-氮化硅殘留；100-光闌，100a-U型透光部分，100b-O型透光部分；200-傅里葉變換紅外光譜儀。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種檢測(cè)刻蝕殘留的方法，如圖1所示，該方法包括以下步驟:S101、獲取待檢測(cè)處的圖案。本步驟具體可以為:采用膜層色差擬合出所述待檢測(cè)處的圖案的邊界，并對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行定位，從而獲取待檢測(cè)處的圖案。其中，本發(fā)明所有實(shí)施例中所指的待檢測(cè)處即為經(jīng)刻蝕后可能殘留有應(yīng)該被刻蝕掉的殘留物質(zhì)處，刻蝕殘留例如如圖2所示，可以是在制作底柵型陣列基板時(shí)在保護(hù)層60上刻蝕形成連接漏極502和像素電極(圖中未標(biāo)識(shí)出)的過(guò)孔601時(shí)，保護(hù)層材料例如氮化硅殘留601a；又或例如如圖3所示，可以是在制作底柵型陣列基板時(shí)形成源極501和漏極502后，與源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的有源層40上n+非晶硅殘留402a等，其中所述有源層40包括非晶硅層401和n+非晶硅層402。此處需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所有實(shí)施例中及附圖中所述的底柵型陣列基板，從下到上依次包括:基板10、設(shè)置在基板上的柵極20、柵絕緣層30、半導(dǎo)體有源層40、包括源極501和漏極502的源漏金屬層、以及保護(hù)層。其中，有源層40包括非晶硅層401和n+非晶硅層402；所述柵極20、柵絕緣層30、半導(dǎo)體有源層40、源極501和漏極502構(gòu)成所述陣列基板的薄膜晶體管。對(duì)于像素電極，在附圖中沒(méi)有繪示出。相應(yīng)的，獲取待檢測(cè)處的圖案例如可以是獲取過(guò)孔下方的圖案；又或是獲取與源極和漏極之間間隙對(duì)應(yīng)的下方的圖案。S102、對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試，得到紅外光譜圖。本步驟具體可以為:采用傅里葉變換紅外光譜儀對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試，得到紅外光譜圖。所述傅里葉變換紅外光譜儀(FourierTransformInfraredSpectrometer，簡(jiǎn)寫(xiě)為FTIRSpectrometer)是利用物質(zhì)對(duì)不同波長(zhǎng)的紅外輻射的吸收特性，對(duì)物質(zhì)進(jìn)行分子結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成分析的儀器。其原理是:當(dāng)物質(zhì)受到頻率連續(xù)變化的紅外光照射時(shí)，組成物質(zhì)的分子吸收某些頻率的輻射，并由其振動(dòng)運(yùn)動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)引起偶極矩的變化，產(chǎn)生的分子振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)從基態(tài)到激發(fā)態(tài)的躍遷，在從而形成的分子吸收光譜稱(chēng)為紅外光譜。為了使所述傅里葉變換紅外光譜儀的入射光只照射到待檢測(cè)處，優(yōu)選的，在S102之前，S101之后，所述方法還包括:通過(guò)設(shè)置與所述待檢測(cè)處的圖案對(duì)應(yīng)的光闌，將所述傅里葉變換紅外光譜儀的入射光限定在所述待檢測(cè)處。這樣，可保證入射光只照射到所述待檢測(cè)的圖案處，避免入射光照射到非檢測(cè)處而導(dǎo)致測(cè)試不準(zhǔn)確。在實(shí)際檢測(cè)中，為了避免所述傅里葉變換紅外光譜儀的入射光照射到所述待檢測(cè)刻處的圖案周?chē)钠渌?，干擾紅外測(cè)試結(jié)果，優(yōu)選的，所述光闌的透光部分的形狀與所述待檢測(cè)處的圖案的形狀相同，且面積小于等于所述待檢測(cè)處的圖案的面積。其中，對(duì)于所述面積優(yōu)選的為，所述光闌的透光部分的面積略小于所述待檢測(cè)處的圖案的面積。此處需要說(shuō)明的是，在進(jìn)行紅外光譜測(cè)試時(shí)，所述光闌的透光部分的位置須與所述待檢測(cè)處的圖案完全對(duì)應(yīng)。且所述光闌可以是包括在所述傅里葉變換紅外光譜儀中，也可以是單獨(dú)設(shè)置的，在此不做限定。此外，對(duì)于陣列基板，考慮到陣列基板包括柵金屬層，以及源漏金屬層，而金屬層是不透光的，因此，可選的，在所述待檢測(cè)處正下方設(shè)置有柵極金屬層和漏極金屬的情況下，可采用傅里葉變換紅外光譜儀的反射模式對(duì)所述待檢測(cè)處的圖案進(jìn)行紅外光譜測(cè)試...