技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例為一種半導(dǎo)體器件、一種FinFET器件以及一種形成FinFET器件的方法。一種實(shí)施例為一種半導(dǎo)體器件，包括在襯底上方延伸的第一半導(dǎo)體鰭、在第一半導(dǎo)體鰭上的第一源極區(qū)以及在第一半導(dǎo)體鰭上的第一漏極區(qū)。第一源極區(qū)具有第一寬度并且第一漏極區(qū)具有與第一寬度不同的第二寬度。本發(fā)明還公開(kāi)了一種具有非對(duì)稱(chēng)源極/漏極結(jié)構(gòu)的FinFET及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：曾祥仁;江庭瑋;陳威宇;楊國(guó)男;宋明相;郭大鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201310236958
技術(shù)研發(fā)日：2013.06.14
技術(shù)公布日：2017.06.06