本教導(dǎo)總體涉及電磁吸收器，并且更具體地涉及多層電磁吸收器。

電磁吸收器得到多種應(yīng)用如保護電子設(shè)備免受電磁干擾或在通過天線來發(fā)射和/或接收電磁信號時使旁瓣最小化。在許多應(yīng)用中，期望的是，電磁吸收器在所關(guān)注的一個或更多個頻率處不僅表現(xiàn)出低反射率而且表現(xiàn)出低透射系數(shù)。然而，許多常規(guī)的電磁吸收器不能表現(xiàn)出期望的反射率和透射系數(shù)。

因此，需要增強的電磁吸收器，并且特別地，需要表現(xiàn)出低反射率以及低透射系數(shù)的電磁吸收器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在一個方面，公開了一種多層電磁吸收器，其包括：近端層，該近端層具有適于接收電磁輻射的輻射接收表面；以及遠端層，該遠端層設(shè)置成鄰接近端層，以接收所接收到的輻射的透射通過所述近端層的至少一部分，如果有的話，其中，對于電磁輻射的約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個頻率，所述近端層表現(xiàn)出折射率的實部小于所述遠端層的折射率的實部。例如，近端層的折射率的實部與遠端層的折射率的實部之間的差可以在約3至約6的范圍中。

在一些實施方式中，對于約20GHz至約80GHz的范圍中的至少一個頻率，近端層的折射率的實部小于遠端層的折射率的實部。

在一些實施方式中，對于約1GHz至約110GHz的頻率范圍內(nèi)的至少一個頻帶之上的波長，近端層的折射率的實部小于遠端層的折射率的實部。在一些實施方式中，頻帶具有至少約5GHz、或至少約10GHz、或至少約20GHz或至少約50GHz的帶寬。

在一些實施方式中，在上述多層吸收器中，在24GHz和/或77GHz的頻率處，近端層表現(xiàn)出折射率的實部小于所述遠端層的折射率的實部。

在一些實施方式中，在上述多層吸收器中，在至少一個頻率處，近端層的折射率的實部與遠端層的折射率的實部滿足以下關(guān)系式：

其中，

表示遠端層的折射率的實部，

表示近端層的折射率的實部，以及

f(以GHz(千兆赫)為單位)表示以下頻率：在該頻率處，確定近端層的折射率的實部與遠端層的折射率的實部的差。換言之，在給定的頻率處，近端層的折射率的實部與遠端層的折射率的實部之間的差在乘以這個頻率的情況下在約1至約20的范圍中。

在一些實施方式中，近端層和遠端層包括聚合材料，例如，熱固性彈性體、熱塑性彈性體、液晶聚合物。通過示例的方式，聚合材料可以是聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚苯乙烯(例如，丙烯腈丁二烯苯乙烯)、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯、乙烯乙酸乙烯酯和硅氧烷等中的任一種。

在一些實施方式中，上述多層吸收器包括分布在其多個層中的至少一個層內(nèi)的多個輻射吸收添加劑，其中添加劑能夠吸收約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個頻率處的電磁能。通過示例的方式，輻射吸收添加劑可以包括介電材料，例如，它們可以是以平均尺寸小于約500微米的顆粒的形式。

在一些實施方式中，在其中分布有添加劑的多層吸收器的一個或更多個層內(nèi)的添加劑的體積分數(shù)可以等于或小于約50％。例如，添加劑的體積分數(shù)可以在約1％至約50％的范圍中。

盡管在一些實施方式中，添加劑僅分布在一個層內(nèi)，但是在其它實施方式中，添加劑可以分布在多層吸收器的多個層內(nèi)，例如，它們可以分布在多層吸收器的所有層中。

在一些實施方式中，添加劑包括多個碳顆粒。在一些實施方式中，碳顆?？梢员憩F(xiàn)出平均粒徑小于約500微米。

在多層吸收器的一些實施方式中，近端層中添加劑的含量大于遠端層中添加劑的含量。在一些其它的實施方式中，近端層中添加劑的含量與遠端層中添加劑的含量基本上相同，并且近端層的厚度大于遠端層的厚度。

在一些實施方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個入射輻射頻率，多層吸收器表現(xiàn)出反射系數(shù)等于或小于約0.3。例如，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個入射輻射頻率，反射系數(shù)可以在0至約0.3的范圍中。通過進一步示例的方式，在一些實施方式中，多層吸收器可以對于24GHz的入射輻射頻率和77GHz的入射輻射頻率兩者表現(xiàn)出這樣的反射系數(shù)。

在一些實施方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個入射輻射頻率，多層吸收器表現(xiàn)出透射系數(shù)等于或小于約0.3。例如，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個入射輻射頻率，透射系數(shù)可以在約0至約0.3的范圍中。通過進一步示例的方式，在一些實施方式中，多層吸收器可以對于24GHz的入射輻射頻率和77GHz的入射輻射頻率表現(xiàn)出這樣的透射系數(shù)。

在一些實施方式中，多層吸收器的每個層的厚度可以在約0.001英寸(0.0025mm)至約0.5英寸(12.7mm)的范圍中。在一些實施方式中，多層吸收器的總厚度(即，所有層的厚度的和)可以在約0.002英寸(0.05mm)至約10英寸(254mm)的范圍中。

在相關(guān)方面，公開了一種多層吸收器，其包括多個聚合物層，該多個聚合物層相對于彼此設(shè)置以形成具有輸入層和輸出層的聚合物堆疊，使得輸入層包括用于接收入射電磁輻射的輻射接收表面，并且輸出層包括出射表面，所接收到的輻射的至少一部分，如果有的話，通過出射表面射出堆疊，其中，所述聚合物層的實介電常數(shù)對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個頻率，并且在一些情況下對于所有的頻率，從輸入層向輸出層逐漸地增大。

在一些實施方式中，對于一個或更多個頻率，聚合物層的實介電常數(shù)對于約20GHz至約80GHz的范圍中的一個或更多個頻率從輸入層向輸出層逐漸地增大。

在一些實施方式中，多層吸收器的層中的每個層表現(xiàn)出對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個頻率，實介電常數(shù)在約0至約50的范圍中，例如，在約10至40或20至30的范圍中。

在相關(guān)方面，公開了一種多層吸收器，其包括：近端層，其包括聚合材料和第一載荷的輻射吸收添加劑，所述近端層具有用于接收電磁輻射的輻射接收表面；以及遠端層，其設(shè)置成鄰接所述近端層，以接收所接收到的輻射透射通過所述近端層的至少一部分，如果的話，所述遠端層包括第二載荷的輻射吸收添加劑，其中所述近端層和遠端層的介電常數(shù)的實部和虛部被配置成：使得所述吸收器表現(xiàn)出對于約1GHz至約100GHz的范圍中的一個或更多個輻射頻率(例如，對于約20GHz至約80GHz的范圍中的一個或更多個頻率)處的在近端層的所述輻射接收表面上的入射輻射，其反射系數(shù)等于或小于約0.3，并且其透射系數(shù)等于或小于約0.3。

在一些實施方式中，添加劑的第一載荷(例如，添加劑的體積分數(shù))大于所述添加劑的第二載荷。在一些其它的實施方式中，第一載荷和第二載荷基本上相同，并且近端層的厚度大于遠端層的厚度。

在一些實施方式中，近端層的介電常數(shù)的實部小于遠端層的介電常數(shù)的相應(yīng)的實部。在一些實施方式中，近端層的介電常數(shù)的實部與遠端層的介電常數(shù)的實部之間的差在約3至約6的范圍內(nèi)。

結(jié)合附圖通過參照以下詳細描述，可以獲得對下面簡要描述的本發(fā)明的各個方面的進一步理解。

附圖說明

圖1示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層電磁吸收器；

圖2示意性地描繪了設(shè)置在1GHz至110GHz之間的頻率范圍中的具有10GHz的帶寬的頻帶；

圖3示意性地描繪了根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器入射在其各個表面處的輻射的反射和透射的示例；

圖4示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的具有近端層、遠端層以及分布在這些層內(nèi)的多個輻射吸收添加劑的多層吸收器；

圖5示意性地描繪了根據(jù)另一實施方式的具有并排設(shè)置以形成聚合物堆疊的四個聚合物層的多層吸收器；以及

圖6示意性地描繪了根據(jù)另一實施方式的具有并排設(shè)置以形成聚合物堆疊的四個聚合物層的多層吸收器，其中在每個層中均分布有多個輻射吸收添加劑。

具體實施方式

本教導(dǎo)總體涉及多層電磁吸收器，所述多層電磁吸收器包括具有不同折射率的兩個或更多個材料層，所述兩個或更多個材料層被配置成：使得多層吸收器對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個頻率表現(xiàn)出低反射系數(shù)和低透射系數(shù)。如以下更詳細地討論的，在一些實施方式中，形成多層吸收器的層的折射率的實部從配置成接收電磁輻射的近端層向所接收到的電磁輻射的一部分穿過其的(如果有的話)遠端層逐漸地增大，所接收到的電磁輻射的一部分通過層射出多層吸收器。本發(fā)明的各個方面將在以下更詳細地討論。提供了關(guān)于本文中使用的各個術(shù)語和短語的如下定義。

本文中使用的術(shù)語在頻率(f)處的介質(zhì)的“折射率”與其在本領(lǐng)域中的含義一致并且被定義為如下復(fù)數(shù)：實部(本文中也稱為折射率)是真空中電磁輻射的速度相對于介質(zhì)中在該頻率處的輻射的速度的比率，并且其虛部是隨著輻射穿過介質(zhì)由介質(zhì)對在該頻率處的輻射的吸收的指示。更具體地，介質(zhì)(例如，多層吸收器的層中的一個層)的折射率在頻率(f)處可以被定義如下：

n(f)＝n_r(f)+in_i(f) 等式(2)

其中，

n(f)表示在頻率(f)處的折射率，

n_r(f)表示在頻率(f)處的折射率的實部(本文中也稱為實折射率)，

n_i(f)表示在頻率(f)處的折射率的虛部(本文中也稱為虛折射率)，并且

$i=\sqrt{-1}.$

折射率n(f)的實部可以被定義為真空中的光速(c)相對于介質(zhì)中的光速(v)的比率：

介質(zhì)的折射率的虛部(n_i(f))可以根據(jù)以下關(guān)系式基于通過介質(zhì)的長度(z)的具有頻率(f)的電磁輻射的強度的衰減來定義：

其中，

I₀表示電磁輻射的初始強度，

I_z表示電磁輻射通過介質(zhì)的長度(z)之后的強度，以及

λ₀表示真空中具有頻率(f)的輻射的波長。

本文中使用的術(shù)語介質(zhì)的“介電常數(shù)”也與其在本領(lǐng)域中的通常含義一致，以指根據(jù)以下關(guān)系式的涉及介質(zhì)的復(fù)折射率的復(fù)數(shù)：

ε＝ε_r+iε_i＝(n_r+in_i)² 等式(5)

其中，

ε表示復(fù)介電常數(shù)，

ε_r表示介電常數(shù)的實部(本文中也被稱為實介電常數(shù))，

ε_i表示介電常數(shù)的虛部(本文中也被稱為虛介電常數(shù))，以及

n_r和n_i是如上所定義的折射率的實部和虛部。

本文中使用的術(shù)語“反射系數(shù)”(例如，當它涉及入射在形成具有不同折射率的兩個區(qū)域之間的邊界的表面上的輻射的反射時)與其在本領(lǐng)域中的含義一致，并且可以被定義為根據(jù)以下關(guān)系式在邊界表面處反射的光的強度相對于入射在這個表面上的輻射的強度的比率：

其中，

α表示反射系數(shù)，

I₀表示入射輻射的強度，以及

I_r表示入射輻射的反射部分的強度。

本文中使用的術(shù)語材料(例如，根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器)的“透射系數(shù)”與其在本領(lǐng)域中的含義一致，并且可以被定義為根據(jù)下列關(guān)系式的透射通過材料的光的強度相對于入射到材料的輻射接收表面上的光的強度的比率：

其中，

β表示透射系數(shù)，

I₀表示入射輻射的強度，以及

I_t表示入射輻射的透射部分的強度。

如在本領(lǐng)域中所理解的，材料的折射率一般是頻率相關(guān)的。另外，在一些情況下，折射率可以是張量，其值根據(jù)輻射在材料中的傳播方向而變化。在某種程度上，在一些實施方式中折射率可以是張量，以下討論的關(guān)系是指沿著輻射的傳播方向上的介電常數(shù)和折射率的值。

本文所使用的術(shù)語“頻帶”是指下限頻率(f_lower)與上限頻率(f_upper)之間的連續(xù)的頻率范圍，并且其中，頻帶的帶寬被定義為：

通過進一步說明的方式，圖2示意性地描繪了范圍從20GHz至30GHz的具有10GHz的帶寬的頻帶(A)。

術(shù)語“約”和“大約”在本文中可互換地使用，并且旨在覆蓋所述的數(shù)值的+/-10％或+/-5％內(nèi)的變化。

圖1示意性地描繪了根據(jù)本教導(dǎo)的實施方式的多層吸收器10，其包括近端層12和遠端層14。近端層12包括配置成接收入射電磁能(輻射)的輸入表面12a和與遠端層的輸入表面14a接觸的輸出表面12b。遠端層14包括輸出表面14b，通過該輸出表面14b，入射電磁能的透射通過層12和層14的一部分(如果有的話)射出吸收器10。如以下更詳細地討論的，在本實施方式中，近端層和遠端層中的每個層都由聚合材料形成，但在其它實施方式中可以采用其它類型的材料。

如以下更詳細地討論的，在本實施方式中，多層吸收器10對于所選范圍內(nèi)(例如，在約1GHz至約110GHz的范圍中)的一個或更多個輻射頻率表現(xiàn)出低反射系數(shù)和低透射系數(shù)兩者。通過示例的方式，在一些實現(xiàn)方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中(例如，約20GHz至約80GHz的范圍中)的至少一個頻率，多層吸收器10表現(xiàn)出等于或小于約0.3的反射系數(shù)以及等于或小于約0.3的透射系數(shù)。在一些實施方式中，對于頻帶(例如，位于約1GHz至約110GHz的范圍的頻帶)內(nèi)的所有頻率，多層吸收器10表現(xiàn)出這樣的低反射率和透射系數(shù)。例如，在頻帶位于約1GHz至約110GHz的頻率范圍(例如，圖2中所示的頻帶A)中的具有約5GHz至約50GHz的范圍內(nèi)的帶寬的至少一個頻帶處，多層吸收器10可以表現(xiàn)出這樣的低反射率和透射系數(shù)。在一些情況下，在約20GHz至約110GHz的范圍內(nèi)的多個離散頻率處(例如，在26GHz的頻率和77GHz的頻率處)，多層吸收器10可以表現(xiàn)出這樣的低反射率和透射系數(shù)。

通過示例的方式，在本實施方式中，近端層12和遠端層14的折射率被配置成：對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個波長，實現(xiàn)反射系數(shù)等于或小于約0.3以及透射系數(shù)等于或小于約0.3。更具體地，在本實施方式中，近端層12表現(xiàn)出其折射率的實部小于遠端層14的折射率的實部。在一些這樣的實施方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中(例如，在約20GHz至約80GHz的范圍中)的一個或更多個頻率(f)，近端層的折射率的實部和遠端層的折射率的實部滿足上述等式(1)的關(guān)系。

另外，在本實施方式中，近端層的折射率的虛部和遠端層的折射率的虛部被配置成：使輻射的通過其輻射接收表面進入多層吸收器的透射最小化。換言之，兩個層的折射率的虛部被配置成：當入射的電磁能傳播通過吸收器時，增強入射的電磁能的經(jīng)由在輸入表面12a處折射進入吸收器的部分的吸收，從而使通過遠端層14的輸出表面14b射出吸收器的電磁能的量最小化。如以下更詳細地討論的，在一些實施方式中，為了當輻射傳播通過多層吸收器10時增強輻射吸收，多個輻射吸收顆粒分布在近端層和遠端層中的至少一者并且優(yōu)選兩者內(nèi)。

在一些實施方式中，近端層12的折射率的實部與遠端層14的折射率的實部之間的差，連同近端層的厚度可以被選擇成：確保多層吸收器表現(xiàn)出低反射系數(shù)，例如，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個頻率并且優(yōu)選地多個頻率，反射系數(shù)等于或小于約0.3。例如，在近端層的折射率的實部與遠端層的折射率的實部之間的差可以滿足上述等式(1)。另外，近端層的厚度可以選擇成滿足以下關(guān)系式：

其中，

t指近端層的厚度，

p是整數(shù)，以及

λ是近端層內(nèi)的輻射的波長。

參考圖3并且在不限于任何具體的理論的情況下，在一些實施方式中，當入射的電磁輻射(如箭頭16示意性地描繪)撞擊輸入表面12a時，入射的電磁輻射的一部分在該表面處被反射(如箭頭18示意性地描繪)，并且另一部分進入近端層(如箭頭20示意性地描繪)以傳播到近端層與遠端層之間的界面，其中，由于近端層的折射率與遠端層的折射率之間的差，輻射的一部分在這個界面處朝向輸入表面12a被反射回(如箭頭22示意性地描繪)，而輻射的另一部分(如箭頭24示意性地描繪)在近端層與遠端層之間的界面處經(jīng)由折射進入遠端層14。然后輻射傳播通過遠端層14，并且其一部分(如果有的話)通過輸出表面14b射出多層吸收器10(如箭頭26示意性地描繪)。由于提供這個分析是用于說明的目的，因此忽略更高階的反射。

近端層的厚度可以(例如，根據(jù)上面的等式(9))被選擇成：使得反射回的輻射18或至少其大部分(例如，至少80％、或至少90％)將會破壞性地干擾在近端層12與遠端層14的界面處的反射的輻射22，以使多層吸收器10的反射系數(shù)最小化。例如，近端層的厚度可以選擇成：使得通過這個層的輻射的往返光程(即，從輸入表面12a向近端層與遠端層之間的界面以及從這個界面返回至輸入表面12a的路程)是通過這個層的輻射的半波長的整數(shù)倍。在一些實現(xiàn)方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個頻率，近端層的折射率與遠端層的折射率之間的差被選擇成增強這個破壞性干擾。例如，如上所述，兩個層的折射率可以滿足上述等式(1)。

此外，近端層和遠端層被配置成增強電磁輻射的經(jīng)由在近端層12的輸入表面12a處折射進入多層吸收器的部分的吸收。通過示例的方式，在一些實施方式中，近端層和遠端層中的一者或兩者可以包括分布在其中的輻射吸收添加劑，以便提高穿過該層的輻射的吸收。

在給定的頻率處的每個層的折射率的虛部表示在這個頻率處這個層提供的輻射吸收的水平。輻射吸收添加劑的含量可以選擇成：調(diào)節(jié)添加劑分布在其中的層的折射率的虛部，以便獲得虛折射率的期望值。例如，在一些實施方式中，分布在近端層和/或遠端層內(nèi)的輻射吸收添加劑的含量選擇成：使得多層吸收器表現(xiàn)出等于或小于約0.3的透射系數(shù)。一般地，當層內(nèi)的輻射吸收添加劑的含量增大時，這個層的虛折射率的量級也增大。

通過示例的方式，在一些實現(xiàn)方式中，分布在近端層和遠端層中的每個層中的輻射吸收添加劑的體積分數(shù)(即，添加劑相對于各自層的體積所占的體積的比率)可以小于約50％，例如，在約1％至約50％的范圍中。

例如，圖4示意性地描繪了根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器10’的一個這樣的實施方式，其包括近端層12’和遠端層14’。多個輻射吸收添加劑28以碳顆粒的形式分布在近端層12’和遠端層14’中的每個層內(nèi)。碳顆粒增強了穿過層10’和12’的約1GHz至約110GHz的范圍中的輻射的吸收。在一些實施方式中，碳顆?？梢员憩F(xiàn)出小于約500微米或小于約250微米的平均尺寸(例如，三個正交維數(shù)(X、Y和Z)上的顆粒的尺寸的平均值)。

例如，多層吸收器10’可以對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個頻率表現(xiàn)出小于約0.3的透射系數(shù)，例如，在約0至約0.3的范圍中。

盡管上述示例性多層吸收器10/10’中的每一個都包括兩個層(即，近端層12/12’和遠端層14/14’)，根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器還可以包括3個或更多個層。在一些實施方式中，多層吸收器的層的數(shù)目可以是，例如，在2至20的范圍中、或在2至15的范圍中、或在2至10的范圍中、或在5至10的范圍中。

通過示例的方式。圖5示意性地描繪了根據(jù)另一實施方式的多層吸收器30，其包括相對于彼此并排地設(shè)置以形成聚合物堆疊40的四個聚合物層32、34、36和38。在本實施方式中，層32起到用于經(jīng)由其輸入表面32a接收輻射的輸入層的作用，并且層38起到具有輸出表面38b的輸出層的作用：在入射到輸入表面32a的已穿過多層吸收器并且在傳播通過吸收器期間還沒有被吸收的輻射的至少一部分通過輸出表面38b射出聚合物堆疊40。

在本實施方式中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個或更多個頻率，聚合物層32、34、36和38的實介電常數(shù)從輸入層32至輸出層38逐漸地增大。換言之，每個層的實介電常數(shù)均大于先前層的實介電常數(shù)。層的實介電常數(shù)的增大可以根據(jù)函數(shù)形式變化。例如，在一些實施方式中，層的實介電常數(shù)從輸入層32至輸出層38線性地增大，而在其它的實施方式中，增大可以是非線性的。在一些實施方式中，在約1GHz至約110GHz的范圍中的所選頻率處，任意兩個鄰接層的實介電常數(shù)滿足上述等式(1)的關(guān)系，其中近端層對應(yīng)于光輸入層或較靠近于光輸入層的層，而遠端層對應(yīng)于光輸出層或較靠近于光輸出層的層。

通過示例的方式，在一些實施方式中，層由具有不同的實介電常數(shù)的不同的聚合材料形成，使得實介電常數(shù)從輸入層向輸出層逐漸地增大。類似于前述實施方式，可以采用多種聚合材料來形成層32、34、36和38，如上述所列出的那些聚合材料。

在一些實施方式中，層32、34、36和38中的一個或更多個層可以包括分布在其中的多個輻射吸收添加劑。通過示例的方式，圖6示意性地示出了根據(jù)本教導(dǎo)的實施方式的類似于上述多層吸收器30的多層吸收器30’，所述多層吸收器30’包括并排地設(shè)置以形成聚合物堆疊40’的四個聚合物層32’、34’、36’和38’，其中所述層表現(xiàn)出從輸入層32’向輸出層38’增大的實介電常數(shù)。

多個輻射吸收添加劑28(例如，碳顆粒)分布在層32’、34’、36’和38’中的每個層內(nèi)。如前述實施方式中，添加劑28可以具有小于約500微米的平均尺寸以及約1％至約50％的范圍中(例如，約10％至約40％的范圍中，或在約15％至約30％的范圍中)的體積分數(shù)。

盡管在一些實現(xiàn)方式中，聚合物層32’、34’、36’和38’中的每個層中的輻射吸收添加劑的含量(例如，體積分數(shù))可以與分布在其它層中的任一層中的輻射吸收添加劑的含量相同，在其它的實現(xiàn)方式中，層32’、34’、36’和38’中的至少兩個層還可以具有不同含量(例如，體積分數(shù))的添加劑28。

在一些實施方式中，多層吸收器30’可以表現(xiàn)出等于或小于約0.3(例如約0至約0.3的范圍中)的反射系數(shù)以及等于或小于約0.3(例如在約0至約0.3的范圍中)的透射系數(shù)。

根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器可以通過采用各種制造技術(shù)來形成。例如，在一些實施方式中，可以使用公知的混合方法和設(shè)備將填充劑添加到聚合物中。通過示例的方式，連續(xù)混合器、內(nèi)部混合器、行星式混合器和雙螺桿擠出機可以用于這個目的。一旦將填充劑與聚合物混合，那么可以通過各種方法包括擠出、壓延、鑄造或擠壓來形成聚合物片。然后可以通過使用任何適當?shù)恼澈蟿为毱瑢舆M行結(jié)合來形成根據(jù)上述教導(dǎo)的多層片。在一些實施方式中，根據(jù)上述教導(dǎo)的多層片可以以單個工藝來形成，例如多個聚合物片的共擠出和共固化。

發(fā)現(xiàn)根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器可以具有多種應(yīng)用。例如，這種多層吸收器具體地適合于用于電磁屏蔽應(yīng)用中，其中所需要的不僅是電磁輻射的高吸收而且是在屏蔽物上的入射輻射的低反射率。例如，根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器可以用于汽車應(yīng)用中以吸收雜散輻射，例如，在防碰雷達系統(tǒng)中。在其它的應(yīng)用中，根據(jù)本教導(dǎo)的多層吸收器可以用于使電子設(shè)備(如服務(wù)器)免受來自外部電磁輻射的干擾?？梢圆捎酶鶕?jù)本教導(dǎo)的多層吸收器的其它應(yīng)用的示例包括：減少來自電子外殼的電磁輻射和/或消除與電子外殼內(nèi)的電磁干擾相關(guān)聯(lián)的問題，減少與測試設(shè)施中和測試設(shè)施附近的不希望的物體的雷達標記，以及提高天線的性能。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會理解的是，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以針對上述實施方式做出各種變化。