技術(shù)特征：

1.一種多層吸收器，包括：

近端層，其具有適于接收電磁輻射的輻射接收表面，以及

遠(yuǎn)端層，其設(shè)置成鄰接所述近端層，以接收所接收到的輻射的透射通過所述近端層的至少一部分，如果有的話，

其中，對于所述電磁輻射的在約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個(gè)頻率，所述近端層表現(xiàn)出折射率的實(shí)部小于所述遠(yuǎn)端層的折射率的實(shí)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，對于約20GHz至約80GHz的范圍中的至少一個(gè)頻率，所述近端層的折射率的實(shí)部小于所述遠(yuǎn)端層的折射率的實(shí)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，對于約20GHz至約110GHz的頻率范圍內(nèi)的至少一個(gè)頻帶之上的波長，所述近端層的折射率的實(shí)部小于所述遠(yuǎn)端層的折射率的實(shí)部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約5GHz的帶寬。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約10GHz的帶寬。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約20GHz的帶寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約50GHz的帶寬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述至少一個(gè)頻率是24GHz和77GHz中的任一頻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述層的折射率的實(shí)部在所述至少一個(gè)頻率處滿足以下關(guān)系式：

$1\≤(n_r^d-n_r^p)f\≤20,$

其中，

表示所述遠(yuǎn)端層的折射率的實(shí)部，

表示所述近端層的折射率的實(shí)部，以及

f(以GHz為單位)表示頻率，在該頻率處確定所述近端層的折射率的實(shí)部與所述遠(yuǎn)端層的折射率的實(shí)部之間的差。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述第一層和所述第二層包括聚合材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層吸收器，其中，所述聚合材料包括熱固性彈性體、熱塑性彈性體和液晶聚合物中的任一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層吸收器，其中，所述聚合材料包括聚酰胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、聚氨酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和硅氧烷中的任一種。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層吸收器，其中，所述聚合材料包括丙烯腈丁二烯苯乙烯和乙烯乙酸乙烯酯中的任一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，進(jìn)一步包括分布在所述層中的至少一個(gè)層內(nèi)的多個(gè)輻射吸收添加劑，其中，所述添加劑能夠吸收約1GHz至約110GHz的范圍中的一個(gè)或更多個(gè)頻率處的電磁能。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層吸收器，其中，所述輻射吸收添加劑包括介電材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層吸收器，其中，所述添加劑包括多個(gè)碳顆粒。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多層吸收器，其中，所述碳顆粒表現(xiàn)出平均粒徑小于約500微米。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層吸收器，其中，所述添加劑表現(xiàn)出等于或小于約50％的體積分?jǐn)?shù)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多層吸收器，其中，所述添加劑表現(xiàn)出約1％至約50％的范圍內(nèi)的體積分?jǐn)?shù)。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層吸收器，其中，所述添加劑分布在所述近端層和所述遠(yuǎn)端層兩者中。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多層吸收器，其中，所述近端層中的添加劑的含量大于所述遠(yuǎn)端層中的添加劑的含量。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多層吸收器，其中，所述近端層中的添加劑的含量與所述遠(yuǎn)端層中的添加劑的含量基本上相同，并且其中，所述近端層的厚度大于所述遠(yuǎn)端層的厚度。

23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述吸收器表現(xiàn)出在所述至少一個(gè)頻率處反射系數(shù)小于約0.3。

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的多層吸收器，其中，所述反射系數(shù)在約0至約0.3的范圍中。

25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層吸收器，其中，所述吸收器表現(xiàn)出在所述至少一個(gè)頻率處透射系數(shù)小于約0.3。

26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述透射系數(shù)在約0至約0.3的范圍內(nèi)。

27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層吸收器，其中，所述至少一個(gè)頻率是24GHz和77GHz中的任一頻率。

28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述第一層和所述第二層中的每一個(gè)的厚度在約0.001英寸至約0.2英寸的范圍中。

29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述第一層和所述第二層中的每一個(gè)的厚度在約0.01英寸至約0.2英寸的范圍中。

30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述第一層和所述第二層中的每一個(gè)的厚度在約0.1英寸至約0.2英寸的范圍中。

31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層吸收器，其中，所述兩個(gè)層的總厚度在約0.002英寸至約10英寸的范圍中。

32.一種多層吸收器，包括：

多個(gè)聚合物層，所述多個(gè)聚合物層相對于彼此設(shè)置以形成具有輸入層和輸出層的聚合物堆疊，使得所述輸入層包括用于接收入射電磁輻射的輻射接收表面并且所述輸出層包括出射表面，所接收到的輻射的至少一部分，如果有的話，通過所述出射表面射出所述堆疊，

其中，對于約1GHz至約110GHz的范圍中的一個(gè)或更多個(gè)頻率，所述聚合物層的實(shí)介電常數(shù)從所述輸入層向所述輸出層逐漸地增大。

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層吸收器，其中，對于約20GHz至約80GHz的范圍中的一個(gè)或更多個(gè)頻率，所述聚合物層的對于一個(gè)或更多個(gè)頻率的實(shí)介電常數(shù)從所述輸入層向所述輸出層逐漸地增大。

34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層吸收器，其中，對于所述約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個(gè)頻率，所述層中的每一個(gè)表現(xiàn)出實(shí)介電常數(shù)在約0至約50的范圍中。

35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的多層吸收器，其中，在所述頻率中的一個(gè)或更多個(gè)頻率處，任意兩個(gè)鄰接層的實(shí)折射率的差當(dāng)乘以所述頻率時(shí)在約1至約20的范圍中。

36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層吸收器，其中，對于入射在所述輸入層的輸入表面上的具有在約1GHz至約110GHz的范圍中的至少一個(gè)頻率的輻射，所述吸收器表現(xiàn)出小于約0.3的反射系數(shù)。

37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的多層吸收器，其中，對于具有所述至少一個(gè)頻率的所述入射輻射，所述吸收器表現(xiàn)出小于約0.3的透射系數(shù)。

38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的多層吸收器，其中，所述至少一個(gè)頻率是24GHz和77GHz中的任一頻率。

39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層吸收器，其中，對于約20GHz至約100GHz的頻率范圍內(nèi)的頻帶中的入射輻射，所述吸收器表現(xiàn)出小于約0.3的反射系數(shù)和小于約0.3的透射系數(shù)。

40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約20GHz的帶寬。

41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的多層吸收器，其中，所述頻帶具有至少約50GHz的帶寬。

42.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層吸收器，進(jìn)一步包括分布在所述聚合物層中的至少一個(gè)內(nèi)的多個(gè)輻射吸收添加劑，其中，所述添加劑能夠吸收約20GHz至約100GHz的范圍中的一個(gè)或更多個(gè)頻率處的電磁能。

43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層吸收器，其中，所述吸收添加劑由對于約20GHz至約100GHz的范圍中的至少一個(gè)頻率表現(xiàn)出大于約0.5的吸收系數(shù)的材料形成。

44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層吸收器，其中，所述添加劑包括多個(gè)碳顆粒。

45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層吸收器，其中，所述輻射吸收添加劑分布在所述聚合物層中的每一個(gè)內(nèi)。

46.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層吸收器，其中，在所述至少一個(gè)層中的所述輻射吸收添加劑的體積分?jǐn)?shù)在約1％至約50％的范圍內(nèi)。

47.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層吸收器，其中，在所述層中的所述添加劑的含量從所述輸入層向所述輸出層逐漸地增大。

48.一種多層吸收器，包括：

近端層，其包括聚合材料和第一載荷的輻射吸收添加劑，所述近端層具有用于接收電磁輻射的輻射接收表面，

遠(yuǎn)端層，其設(shè)置成鄰接所述近端層，以接收所接收到的輻射的透射通過所述近端層的至少一部分，如果有的話，所述遠(yuǎn)端層包括第二載荷的輻射吸收添加劑，

其中，所述層的介電常數(shù)的實(shí)部和虛部被配置成：使得對于所述近端層的所述輻射接收表面上的在約20GHz至約100GHz的范圍中的一個(gè)或更多個(gè)輻射頻率處的入射輻射，所述吸收器表現(xiàn)出小于0.3的反射系數(shù)和小于約0.3的透射系數(shù)。

49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的多層吸收器，其中，所述添加劑的所述第一載荷大于所述添加劑的所述第二載荷。

50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的多層吸收器，其中，所述第一載荷和所述第二載荷基本上相同，并且與所述遠(yuǎn)端層相比所述近端層具有更大的厚度。

51.根據(jù)權(quán)利要求48所述的多層吸收器，其中，所述近端層的介電常數(shù)的實(shí)部小于所述遠(yuǎn)端層的相應(yīng)的介電常數(shù)的實(shí)部。

52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的多層吸收器，其中，所述近端層的介電常數(shù)的實(shí)部與所述遠(yuǎn)端層的介電常數(shù)的實(shí)部之間的差在約3至約6的范圍中。