技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于納米晶體薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種循環(huán)浸漬制備Cu2ZnSn(S1?x,Sex)4納米晶薄膜的方法，先配制陽離子前驅(qū)液和陰離子前驅(qū)液；再分別在兩個(gè)反應(yīng)容器中加入與陽離子前驅(qū)液液面持平的去離子水構(gòu)成循環(huán)浸漬反應(yīng)體系；用氨水和鹽酸分別調(diào)節(jié)陽、陰離子前驅(qū)液的pH值；然后將襯底以陽離子前驅(qū)液、去離子水、陰離子前驅(qū)液、去離子水為一周期的順序依次交替循環(huán)浸漬后得到前驅(qū)體薄膜；最后將制得的前驅(qū)體薄膜經(jīng)退火和冷卻后得到Cu2ZnSn(S1?x,Sex)4納米晶薄膜；其制備工藝簡(jiǎn)單，使用設(shè)備簡(jiǎn)單，所需原料儲(chǔ)量豐富，操作簡(jiǎn)便，成本低，所得產(chǎn)物的薄膜厚度可控性強(qiáng)，適合制備大面積薄膜，發(fā)展空間大。

技術(shù)研發(fā)人員：董立峰;馬帥;曹磊;隋靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：青島科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201410290542
技術(shù)研發(fā)日：2014.06.25
技術(shù)公布日：2017.11.17