技術(shù)特征：
1.一種SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟：步驟S01，提供形成有柵極的N型晶片硅襯底，并在該硅襯底上刻蝕出將要形成源/漏區(qū)的凹槽；步驟S02，在該凹槽中外延生長SiGe緩沖層；步驟S03，在該緩沖層上外延生長SiGe主體層，該主體層中的含Ge濃度高于緩沖層；步驟S04，重復至少一次步驟S02至步驟S03，形成具有緩沖層和主體層交替層疊的多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)中最上層主體層含Ge濃度不低于其下方的其他主體層；步驟S05，在步驟S04形成的多層結(jié)構(gòu)上外延生長Si蓋帽層，形成具有SiGe的PMOS源/漏區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：步驟S04形成的多層結(jié)構(gòu)包括間隔的多層緩沖層和多層主體層，該多層主體層中最上層主體層的厚度不小于其下方的其他主體層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：該多層緩沖層中最下層緩沖層的厚度不小于其上方的其他緩沖層，并且其含Ge濃度不大于其上方的其他緩沖層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：該多層緩沖層中最下層緩沖層的厚度不小于5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：該緩沖層中的含Ge濃度為10-25％，該主體層中的含Ge濃度為25-60％。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：該緩沖層的厚度為SiGe源/漏區(qū)高度的1/10-1/4，該主體層的厚度為SiGe源/漏區(qū)高度的1/8-1/3，并且所有主體層的厚度總和不小于所有緩沖層的厚度總和。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：步驟S04中重復次數(shù)為1-4次。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：該緩沖層中的摻雜B濃度為0－1×1019cm-3，該主體層中的摻雜B濃度為1×1019－5×1021cm-3。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SiGe源/漏區(qū)的制造方法，其特征在于：步驟S02和步驟S03中外延生長的工藝溫度為400－750℃。