技術特征：
1.一種LED光源的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)將LED芯片粘接在表面有UV膠的PET膜或PTFE膜上，紫外線照射初步固化；(2)在LED芯片上制備隔離膠層，包括：先在LED芯片的表面噴涂一層折射率大于1.5的有機硅膠水，然后進行隔離膠層的固化，得到隔離膠層；所述的有機硅膠水中添加平均粒徑10±5nm的SiO2顆粒，該SiO2顆粒的質量占有機硅膠水和SiO2顆粒總質量的7.5％±5％；(3)在制備隔離膠層的LED芯片上制備熒光膠體層，包括：LED芯片上制備完隔離膠層后，再噴涂一層折射率大于1.4混有熒光粉的有機硅膠水，再進行熒光膠體層的固化，完成熒光膠體層的制備；所述的混有熒光粉的有機硅膠水由熒光粉和有機硅膠水組成，熒光粉的質量百分含量為25％±15％；所述的混有熒光粉的有機硅膠水中添加平均粒徑10±5nm的SiO2顆粒，該SiO2顆粒的質量占混有熒光粉的有機硅膠水和SiO2顆?？傎|量的7.5％±5％；(4)用紫外光對PET膜或PTFE膜照射，使其表面的UV膠失去粘性，取下封裝后的LED芯片，獲得LED光源。2.根據(jù)權利要求1所述的LED光源的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述的紫外線照射初步固化的時間為1～20s；所述的PET膜或PTFE膜的厚度為0.75±0.65mm。3.根據(jù)權利要求1所述的LED光源的制備方法，其特征在于，所述的隔離膠層的固化的條件為：在95～105℃烘箱中進行25±10min的固化，或者，用波長350～380nm的紫外光線燈照射30±15s進行固化；所述的有機硅膠水的噴涂的厚度為0.5±0.25mm。4.根據(jù)權利要求1所述的LED光源的制備方法，其特征在于，所述的混有熒光粉的有機硅膠水的噴涂的厚度為0.5±0.25mm。5.根據(jù)權利要求1所述的LED光源的制備方法，其特征在于，所述的熒光膠體層的固化的條件為：放入150±20℃的烘箱中固化2±1h。6.一種LED發(fā)光模組的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)將LED芯片粘接在表面有UV膠的PET膜或PTFE膜上；(2)在LED芯片上制備隔離膠層，包括：先在LED芯片的表面噴涂一層折射率大于1.5的有機硅膠水，然后進行隔離膠層的固化，得到隔離膠層；所述的有機硅膠水中添加平均粒徑10±5nm的SiO2顆粒，該SiO2顆粒的質量占有機硅膠水和SiO2顆?？傎|量的7.5％±5％；(3)在制備隔離膠層的LED芯片上制備熒光膠體層，包括：LED芯片上制備完隔離膠層后，再噴涂一層折射率大于1.4混有熒光粉的有機硅膠水，再進行熒光膠體層的固化，完成熒光膠體層的制備；所述的混有熒光粉的有機硅膠水由熒光粉和有機硅膠水組成，熒光粉的質量百分含量為25％±15％；所述的混有熒光粉的有機硅膠水中添加平均粒徑10±5nm的SiO2顆粒，該SiO2顆粒的質量占混有熒光粉的有機硅膠水和SiO2顆?？傎|量的7.5％±5％；(4)用紫外光對PET膜或PTFE膜照射，使其表面的UV膠失去粘性，取下封裝后的LED芯片，獲得LED光源；(5)將LED光源以串并聯(lián)方式排列，焊接在基板上，得到LED發(fā)光模組。