本申請(qǐng)要求2013年10月14日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)系列第61/890524號(hào)的優(yōu)先權(quán)，本文以該申請(qǐng)為基礎(chǔ)并將其全文通過引用結(jié)合于此。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及與較薄的基材發(fā)生粘結(jié)并進(jìn)行去除的載體，從而實(shí)現(xiàn)較薄基材的加工。更具體地，本發(fā)明涉及用于將晶片與載體粘結(jié)進(jìn)行半導(dǎo)體和/或插入物加工，然后在此類加工之后將晶片從載體脫粘結(jié)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
：通過在半導(dǎo)體晶片上或者其中形成有源器件，來制造半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體晶片可包括例如，玻璃、硅、多晶硅、單晶硅、氧化硅、氧化鋁，它們的組合，和/或類似物質(zhì)。通常在單個(gè)晶片上制造成百上千的集成電路(IC)或模。通常來說，在晶片上依次沉積并圖案化多層絕緣、傳導(dǎo)和半導(dǎo)體材料層，以形成IC。最上形成的材料層中的一種通常包括用于粘結(jié)墊的層，其使得與下方有源區(qū)域和晶片內(nèi)的組件產(chǎn)生電連接。在IC形成之后，可以使得晶片經(jīng)受背側(cè)加工。背側(cè)加工可包括使得晶片變薄，從而制備用于封裝的晶片。例如，在一些技術(shù)中，背側(cè)加工可包括形成與貫穿基材的孔的電連接，所述貫穿基材的孔形成通過晶片來提供背側(cè)接觸。在該例子中，晶片的背側(cè)通過諸如研磨之類的工藝變薄，從而在晶片的背側(cè)上使得導(dǎo)電孔發(fā)生暴露。這種晶片的變薄工藝會(huì)對(duì)晶片的邊緣造成損壞，并且會(huì)使得晶片在后續(xù)穿的晶片傳輸和加工過程中甚至更為易碎和易于受損。為了幫助減輕這些類型的損壞，通常使得載體與晶片附連。采用粘合劑來對(duì)該載體進(jìn)行附連，并且旨在能夠通過對(duì)載體進(jìn)行操作從而對(duì)晶片進(jìn)行操作。此外，載體的強(qiáng)度增加對(duì)晶片進(jìn)行支撐，從而由于傳輸和/或加工引起的應(yīng)力不會(huì)損壞晶片。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：典型的載體可以是采用粘合劑與晶片附連的玻璃基材。但是，發(fā)現(xiàn)在加工過程中，晶片可能發(fā)生彎曲，并且典型的載體不能提供足夠的支撐來防止彎曲。由于晶片翹曲的結(jié)果，加工可能失敗和/或引起報(bào)警狀態(tài)。IC制造的第一部分(其中，有源晶體管、電阻器和RC電路，以及與晶體管互聯(lián)的局部配線在半導(dǎo)體中圖案化)是所謂的生產(chǎn)線前道(FEOL)工序。FEOL工序還可包括：井形成；柵模塊形成；源模塊和漏模塊形成；DRIE(干反應(yīng)性離子蝕刻)；PVD，Ti或Cu或者其他；CVDTiN或其他；PECVDSiO2或其他；電鍍Cu(或其他)；Cu(或其他)退火；度量衡法(metrology)(X射線或其他)；Cu(或其他)CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)；Cu(H2O2+H2SO4)+Ti(DHF)濕蝕刻；噴濺粘附層(Ti或其他)；噴濺晶種層(Cu或其他)；平版印刷(光刻膠、曝光、剝光(strip)、蝕刻Cu)。由于與FEOL工序相關(guān)的部分高溫(例如，≥500℃，在一些情況下500-650℃，以及在一些情況下高至700℃)工藝，無法使用許多基于粘合劑的解決方案，因?yàn)樗麄兛赡軣o法保持粘結(jié)和/或它們可能脫氣產(chǎn)生污染物。許多粘合劑甚至在低得多的溫度(例如約為300℃)就發(fā)生脫氣。IC制造中，在橫跨單個(gè)芯片的較長距離進(jìn)行連接并且到達(dá)離開芯片位置的粗配線與晶片上的配線互聯(lián)的制造線部分是所謂的生產(chǎn)線后道(BEOL)配線。BEOL加工還可包括以下一種或多種：形成接觸件、絕緣層、互聯(lián)配線、RF屏蔽、鈍化、ESD保護(hù)、粘結(jié)墊和其他用于芯片-封裝解決方案的粘結(jié)位點(diǎn)。雖然BEOL加工溫度通常低于FEOL加工溫度，但是電介質(zhì)沉積通常發(fā)生在350-450℃，并且大多數(shù)的粘合劑在這些較低溫度下發(fā)生脫氣。此外，大多數(shù)的臨時(shí)粘合劑具有高CTE，這與晶片和載體材料是失配的，并且難以在去除它們的同時(shí)將精巧微結(jié)構(gòu)留在晶片上保持完好。此外，粘合劑與晶片和/或載體材料之間的CTE錯(cuò)配可能導(dǎo)致晶片不合乎希望的彎曲。此外，當(dāng)與載體粘結(jié)時(shí)，粘合劑可能自身找到進(jìn)入插入物的孔中的道路，并且不合乎希望地防止至少部分孔的金屬化。因此，需要改進(jìn)的載體-基材解決方案，其能夠耐受加工條件，特別是FEOL加工的高溫要求。此外，能夠耐受FEOL的苛刻條件并且還在其后提供易于脫粘結(jié)的載體-基材解決方案會(huì)實(shí)現(xiàn)能夠從開始時(shí)就使用較薄的初始基材，從而減輕對(duì)于背端薄化的需求。也就是說，現(xiàn)有常規(guī)半導(dǎo)體工具設(shè)計(jì)成以大于或等于約500微米來加工晶片。但是，對(duì)于載體支撐晶片的情況，總厚度僅需要在工具的加工厚度范圍內(nèi)。因此，例如，可以使用厚度為400微米的載體來支撐100微米的晶片，將該組合在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工具中進(jìn)行加工。對(duì)于本發(fā)明的解決方案，歸因于甚至在高溫加工之后實(shí)現(xiàn)容易分離的受控粘結(jié)，可以將100微米的晶片用作基材，從而避免了浪費(fèi)和在晶片上形成器件之后的薄化的潛在產(chǎn)率下降。耐受FEOL加工的能力會(huì)實(shí)現(xiàn)從厚度≤200微米(例如，200、190、180、170、160、150、140、130、120、110、100、90、80、70、60、50、40、30或20微米)的晶片開始載體-基材解決方案。該厚度(例如≤200微米)的晶片能夠與載體附連，加工，然后從載體去除。例如，當(dāng)使用多晶硅或單晶硅晶片作為基材時(shí)，這會(huì)是主要優(yōu)勢(shì)，因?yàn)榭梢员苊夥浅０嘿F材料的去除和浪費(fèi)；可以以其剛形成的厚度來對(duì)材料進(jìn)行簡單加工。此外，3DIC技術(shù)已經(jīng)被半導(dǎo)體工業(yè)廣泛地接受作為主要的技術(shù)趨勢(shì)來改善半導(dǎo)體性能，而不需要甚至更為昂貴的先進(jìn)平版印刷解決方案或者不需要更大的芯片尺寸來容納更多的電路。用于3DIC的該技術(shù)依賴于薄化的硅IC，并且還依賴于插入物來對(duì)直接位于平面構(gòu)造(2.5DIC)和堆疊薄化IC(3DIC)中的單個(gè)插入物上的IC之間的電信號(hào)進(jìn)行再分布。這些插入物可以由多晶硅、單晶硅或者玻璃制造，通過將路徑長度從數(shù)毫米降低到數(shù)微米，實(shí)現(xiàn)了通訊速度的急劇改善。這種新技術(shù)的領(lǐng)先應(yīng)用是例如現(xiàn)場(chǎng)可編程?hào)抨嚵?FPGA)，賽靈思公司(Xilinx)(美國加利福尼亞州圣何塞(SanJose,CA,USA))制造的高端專用功能。插入物的特征是厚度約為50-100um，現(xiàn)今的尺度是200-300mmOD，長期來看，傾向于更大尺寸的面板?？?通過所述孔在金屬化之后對(duì)電信號(hào)進(jìn)行加工)是5-150umOD，密度通常為1-20個(gè)孔每平方毫米，這取決于設(shè)計(jì)和應(yīng)用。將插入物限定為是薄的，因?yàn)楹竦牟迦胛飳?dǎo)致不可接受的形狀因子(高度)和性能(熱)阻礙。薄通常指的是約為100微米，但是通常不超過200微米。另一方面，半導(dǎo)體的國際技術(shù)路線圖(ITRS)允許低至50um的厚度。再次，這些厚度的基材通常無法在現(xiàn)有工具中進(jìn)行加工。因而，本文預(yù)期了使用載體的優(yōu)勢(shì)，其甚至可以在高溫加工過程中與晶片保持附連，并且在此類加工之后仍然能夠容易地脫除晶片。雖然插入物技術(shù)是新的，但是主要的插入物基材是單晶硅，玻璃興起作為替代品。玻璃的吸引力在于性能和成本，但是現(xiàn)在還不存在解決方案來實(shí)現(xiàn)玻璃的這些優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的理念將能夠?qū)崿F(xiàn)各種薄基材(包括硅和玻璃)以及在各種條件下(包括FEOL和BEOL)加工作為晶片，以提供各種器件(包括IC、RC電路和插入物)。本發(fā)明的粘結(jié)解決方案能夠通過所有現(xiàn)有要求的加工步驟，以高產(chǎn)率和低加工時(shí)間，以最終厚度玻璃以及薄化硅的薄形式來進(jìn)行加工。在薄晶片在通過金屬化、分布層放置進(jìn)行加工之后，其可發(fā)生脫粘結(jié)，留下薄化且經(jīng)過加工的插入物和/或IC完好。此外，使用已經(jīng)薄化(約為≤200微米)的硅晶片的載體，實(shí)現(xiàn)了在其上加工任意器件之前對(duì)晶片進(jìn)行印刷。因此，可以降低成本和/或改善產(chǎn)率。鑒于此，需要一種薄片-載體制品，其能夠耐受FEOL加工的嚴(yán)格條件，包括高溫加工(不發(fā)生會(huì)與其將要用于的半導(dǎo)體或顯示器制造工藝不相容的脫氣)，還實(shí)現(xiàn)從載體去除整個(gè)薄片面積(一次性全部去除，或者分區(qū)段去除)。本說明書描述了控制載體和薄片之間的粘附的方式，從而產(chǎn)生臨時(shí)粘結(jié)，其足夠強(qiáng)從而可以通過FEOL加工(包括高溫加工)，但是足夠弱從而可以實(shí)現(xiàn)片材與載體的去粘結(jié)，甚至在是高溫加工之后。更具體地，本文提供了表面改性層(包括各種材料和相關(guān)的表面熱處理)，其可以提供在薄片和/或載體上，以同時(shí)控制薄片和載體之間的室溫范德華和/或氫鍵合以及高溫共價(jià)粘合。甚至更具體地，可以控制室溫粘結(jié)，從而足以在真空加工、濕加工和/或超聲清潔加工期間，將薄片和載體保持在一起。與此同時(shí)，可以控制高溫共價(jià)鍵合，從而防止在高溫加工過程中薄片和載體之間的永久粘結(jié)，并且維持足夠的粘結(jié)以防止高溫加工過程期間的脫層。在替代實(shí)施方式中，表面改性層可用于產(chǎn)生各種受控粘結(jié)區(qū)域(其中，載體和片材在各個(gè)加工過程中(包括真空加工、濕加工和/或超聲清潔加工)保持足夠的粘結(jié))。此外，一些表面改性層提供了載體和片材之間的粘結(jié)控制，同時(shí)降低了FPD(例如LTPS)加工環(huán)境中的苛刻條件(包括例如高溫和/或真空加工)下的脫氣排放。在以下的詳細(xì)描述中給出了本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，其中的部分特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言由所述內(nèi)容而容易理解，或按文字描述和附圖實(shí)施各個(gè)方面而被認(rèn)識(shí)。應(yīng)理解，前面的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都只是各個(gè)方面的示例，用來提供理解要求保護(hù)的本發(fā)明的性質(zhì)和特性的總體評(píng)述或框架。所含附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明的原理，附圖被結(jié)合在本說明書中并構(gòu)成說明書的一部分。附圖圖示說明了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，并與說明書一起用來說明例如本發(fā)明的原理和操作。應(yīng)理解，在本說明書和附圖中揭示的各種特征可以以任意和所有的組合使用。作為非限制性的例子，可以按以下的方面中所述，將各種特征相互組合：根據(jù)第1個(gè)方面，提供了一種制品，該制品包括：具有載體粘結(jié)表面的載體；其中具有至少一個(gè)孔的片材，所述片材還包括片材粘結(jié)表面；表面改性層；所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有該特性：在使得制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后(所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到500℃，在500℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從室取出制品并使得制品冷卻至室溫)，載體和片材不發(fā)生相互分離，(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)，以及片材可以與載體發(fā)生分離(當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)，載體和片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊)。根據(jù)第2個(gè)方面，提供了一種制品，該制品包括：具有載體粘結(jié)表面的載體；其中具有至少一個(gè)孔的片材，所述片材還包括片材粘結(jié)表面；表面改性層；所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有該特性：在使得制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后(所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到400℃，在400℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從室取出制品并使得制品冷卻至室溫)，載體和片材不發(fā)生相互分離，(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)，根據(jù)測(cè)試#2沒有從表面改性層發(fā)生脫氣，以及片材可以與載體發(fā)生分離(當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)，載體和片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊)。根據(jù)第3個(gè)方面，提供了第1或第2個(gè)方面的制品，所述片材包括硅、石英、藍(lán)寶石、陶瓷或玻璃。根據(jù)第4個(gè)方面，提供了第1個(gè)方面的制品，片材厚度≤200微米。根據(jù)第5個(gè)方面，提供了一種制品，該制品包括：具有載體粘結(jié)表面的載體；晶片片材，其包括≤200微米的厚度，片材還包括片材粘結(jié)表面，片材包括硅、石英或藍(lán)寶石；表面改性層；所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有該特性：在使得制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后(所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到500℃，在500℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從室取出制品并使得制品冷卻至室溫)，載體和片材不發(fā)生相互分離，(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)，以及片材可以與載體發(fā)生分離(當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)，載體和片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊)。根據(jù)第6個(gè)方面，提供了一種制品，該制品包括：具有載體粘結(jié)表面的載體；晶片片材，其包括≤200微米的厚度，片材還包括片材粘結(jié)表面，片材包括硅、石英或藍(lán)寶石；表面改性層；所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有該特性：在使得制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后(所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到400℃，在400℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從室取出制品并使得制品冷卻至室溫)，載體和片材不發(fā)生相互分離，(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)，根據(jù)測(cè)試#2沒有從表面改性層發(fā)生脫氣，以及片材可以與載體發(fā)生分離(當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)，載體和片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊)。根據(jù)第7個(gè)方面，提供了第5或第6個(gè)方面的制品，片材在其中還包括至少一個(gè)孔。根據(jù)第8個(gè)方面，提供了第1-4、7個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，所述至少一個(gè)孔的直徑≤150微米。根據(jù)第9個(gè)方面，提供了第1-4、7、8個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，所述至少一個(gè)孔在其中包括導(dǎo)電材料。根據(jù)第10個(gè)方面，提供了第1-9個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，片材包括與片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括選自下組的器件陣列：集成電路；MEMS；CPU；微傳感器；功率半導(dǎo)體；發(fā)光二極管；光子電路；插入物；嵌入式無源器件；以及制造在硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵上或者由硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵制造的微器件。根據(jù)第11個(gè)方面，提供了第1-9個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，片材包括與片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括選自下組的至少一種結(jié)構(gòu)：焊接凸起；金屬柱狀物；金屬柱；互聯(lián)路徑；互聯(lián)線；絕緣氧化物層；以及由選自下組的材料形成的結(jié)構(gòu)：硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金屬、低k電介質(zhì)、聚合物電介質(zhì)、金屬氮化物和金屬硅化物。根據(jù)第12個(gè)方面，提供了第1-11方面中任一項(xiàng)的制品，其中，在氮?dú)庵羞M(jìn)行加熱。根據(jù)第13個(gè)方面，提供了第1、3-5、7-12個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，其中，在加熱過程中，沒有來自表面改性層的脫氣，其中，來自表面改性層的脫氣定義為以下至少一種：(a)根據(jù)脫氣測(cè)試#1，在600℃的測(cè)試限溫度，覆蓋的表面能變化≥15mJ/m2；以及(b)根據(jù)脫氣測(cè)試#2，在600℃的測(cè)試限溫度，氣泡面積的％變化≥5。根據(jù)第14個(gè)方面，提供了第1-13個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，表面改性層包括以下一種：a)等離子體聚合化的含氟聚合物；以及b)芳族硅烷。根據(jù)第15個(gè)方面，提供了第1-14個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，表面改性層的厚度是0.1-100nm。根據(jù)第16個(gè)方面，提供了第1-15個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，載體包括玻璃。根據(jù)第17個(gè)方面，提供了第1-16個(gè)方面中任一項(xiàng)的制品，其中，載體和片材中的至少一個(gè)的粘結(jié)表面包括≥100平方厘米的面積。根據(jù)第18個(gè)方面，提供了制造插入物的方法，該方法包括：獲得具有載體粘結(jié)表面的載體；獲得其中具有至少一個(gè)孔的片材，片材還包括片材粘結(jié)表面，其中，載體粘結(jié)表面和片材粘結(jié)表面中的至少一個(gè)包括在其上的表面改性層；將具有粘結(jié)表面和表面改性層的載體和片材粘結(jié)，以形成制品；使得制品經(jīng)受生產(chǎn)線前道(FEOL)工序，其中，在FEOL加工之后，載體和片材沒有相互分離(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)；在沒有使得載體和片材中較薄的那個(gè)破裂成兩塊或更多塊的情況下，從載體去除片材。根據(jù)第19個(gè)方面，提供了第18個(gè)方面的方法，片材包括硅、石英、藍(lán)寶石、陶瓷或玻璃。根據(jù)第20個(gè)方面，提供了第18個(gè)方面的方法，片材厚度≤200微米。根據(jù)第21個(gè)方面，提供了一種對(duì)硅晶片片材進(jìn)行加工的方法，所述方法包括：獲得具有載體粘結(jié)表面的載體；獲得厚度≤200微米的晶片片材，片材包括硅、石英或藍(lán)寶石，片材還包括片材粘結(jié)表面，其中，載體粘結(jié)表面和片材粘結(jié)表面中的至少一個(gè)包括在其上的表面改性層；將具有粘結(jié)表面和表面改性層的載體和片材粘結(jié)，以形成制品；使得制品經(jīng)受生產(chǎn)線前道(FEOL)工序，其中，在FEOL工序之后，載體和片材沒有相互分離(如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況下)；在沒有使得載體和片材中較薄的那個(gè)破裂成兩塊或更多塊的情況下，從載體去除片材。根據(jù)第22個(gè)方面，提供了第21個(gè)方面的方法，片材在其中還包括至少一個(gè)孔。根據(jù)第23個(gè)方面，提供第18-22個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，其中，F(xiàn)EOL加工包括500-700℃的加工室溫度。根據(jù)第24個(gè)方面，提供了第18-22個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，其中，F(xiàn)EOL加工包括以下至少一種：DRIE(干反應(yīng)性離子蝕刻)；PVD；CVDTiN；PECVDSiO2；電鍍Cu；Cu退火；度量衡法；CuCMP；Cu(H2O2+H2SO4)+Ti(DHF)濕蝕刻；噴濺粘附層；噴濺晶種層；平版印刷(光刻膠、曝光、剝光(strip)、蝕刻Cu)。根據(jù)第25個(gè)方面，提供了第18-20、22-24個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，所述至少一個(gè)孔的直徑≤150微米。根據(jù)第26個(gè)方面，提供了第18-20、22-25個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，所述至少一個(gè)孔在其中包括導(dǎo)電材料。根據(jù)第27個(gè)方面，提供了第18-26個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，片材包括與片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括選自下組的器件陣列：集成電路；MEMS；CPU；微傳感器；功率半導(dǎo)體；發(fā)光二極管；光子電路；插入物；嵌入式無源器件；以及制造在硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵上或者由硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵制造的微器件。根據(jù)第28個(gè)方面，提供了第18-26個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，片材包括與片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括選自下組的至少一種結(jié)構(gòu)：焊接凸起；金屬柱狀物；金屬柱；互聯(lián)路徑；互聯(lián)線；絕緣氧化物層；以及由選自下組的材料形成的結(jié)構(gòu)：硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金屬、低k電介質(zhì)、聚合物電介質(zhì)、金屬氮化物和金屬硅化物。根據(jù)第29個(gè)方面，提供了第18-28方面中任一項(xiàng)的方法，其中，在氮?dú)庵羞M(jìn)行加熱。根據(jù)第30個(gè)方面，提供了第18-29個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，其中，在加熱過程中，沒有來自表面改性層的脫氣，其中，來自表面改性層的脫氣定義為以下至少一種：(a)根據(jù)脫氣測(cè)試#1，在600℃的測(cè)試限溫度，覆蓋的表面能變化≥15mJ/m2；以及(b)根據(jù)脫氣測(cè)試#2，在600℃的測(cè)試限溫度，氣泡面積的％變化≥5。根據(jù)第31個(gè)方面，提供了第18-30個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，表面改性層包括以下一種：a)等離子體聚合化的含氟聚合物；以及b)芳族硅烷。根據(jù)第32個(gè)方面，提供了第18-31個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，表面改性層的厚度是0.1-100nm。根據(jù)第33個(gè)方面，提供了第18-32個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，載體包括玻璃。根據(jù)第34個(gè)方面，提供了第18-33個(gè)方面中任一項(xiàng)的方法，其中，載體和片材中的至少一個(gè)的粘結(jié)表面包括≥100平方厘米的面積。附圖說明圖1是制品的側(cè)視示意圖，所述制品具有與薄片粘結(jié)的載體，它們之間具有表面改性層。圖2是圖1的制品的分解和部分剖視圖。圖3是二氧化硅上的表面羥基濃度與溫度的關(guān)系圖。圖4是SC1清潔的玻璃片的表面能與退火溫度的關(guān)系圖。圖5是沉積到玻璃片上的含氟聚合物薄膜的表面能與制造該膜的組分材料中的一種的百分比的關(guān)系圖。圖6是測(cè)試設(shè)定的示意圖。圖7是(圖6的測(cè)試設(shè)定的不同部分的)表面能與不同條件下各種材料的時(shí)間的總圖。圖8是對(duì)于各種材料，％氣泡區(qū)域變化與溫度的關(guān)系圖。圖9是對(duì)于各種材料，％氣泡區(qū)域變化與溫度的另一關(guān)系圖。圖10是具有插入物的薄片和載體的俯視圖。圖11是圖10中的薄片和載體沿線11-11的橫截面圖。圖12是類似于圖11的橫截面圖，但是在薄片上布置有額外的器件。具體實(shí)施方式在以下的詳述中，為了說明而非限制，給出了說明具體細(xì)節(jié)的示例性實(shí)施方式，以提供對(duì)本發(fā)明的各個(gè)原理的充分理解。但是，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的是，在從本說明書獲益后，可以以不同于本文詳述的其它實(shí)施方式實(shí)施本發(fā)明。此外，可能省略了對(duì)于眾所周知的器件、方法和材料的描述，以免混淆本發(fā)明的各個(gè)原理的描述。最后，在任何適用的情況下，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。本文中，范圍可以表示為從“約”一個(gè)具體值和/或到“約”另一個(gè)具體值的范圍。當(dāng)表示這樣一個(gè)范圍的時(shí)候，另一個(gè)實(shí)施方式包括從一個(gè)特定值和/或到另一個(gè)特定值。類似地，當(dāng)使用前綴“約”表示數(shù)值為近似值時(shí)，應(yīng)理解，具體數(shù)值形成另一個(gè)實(shí)施方式。還應(yīng)理解的是，每個(gè)范圍的端點(diǎn)值在與另一個(gè)端點(diǎn)值有關(guān)和與另一個(gè)端點(diǎn)值無關(guān)時(shí)，都是有意義的。本文所用的方向術(shù)語，例如上、下、左、右、前、后、頂、底，僅僅是參照繪制的附圖而言，并不用來表示絕對(duì)的取向。除非另有表述，否則都不旨在將本文所述的任意方法理解為需要使其步驟以具體順序進(jìn)行。因此，當(dāng)方法權(quán)利要求實(shí)際上沒有陳述為其步驟遵循一定的順序或者其沒有在權(quán)利要求書或說明書中以任意其他方式具體表示步驟限于具體的順序，都不旨在暗示該任意特定順序。這樣同樣適用于任何可能的未明確表述的解釋依據(jù)，包括：關(guān)于設(shè)置步驟或操作流程的邏輯；由語法結(jié)構(gòu)或標(biāo)點(diǎn)獲得的一般含義；說明書所述的實(shí)施方式的數(shù)量或種類。如本文中所用，單數(shù)形式的“一個(gè)”、“一種”和“該”包括復(fù)數(shù)指代形式，除非文中另有明確說明。因此，例如，提到的一種“組件”包括具有兩種或更多種這類組件的方面，除非文本中有另外的明確表示。希望能夠從載體去除薄片或其部分，從而對(duì)不止一塊薄片基材進(jìn)行加工。本文提供了制品和方法，其實(shí)現(xiàn)了使得薄片通過高溫加工來進(jìn)行加工，(其中，高溫加工是在≥400℃的溫度進(jìn)行加工，并且可以取決于制造的裝置類型發(fā)生變化，例如在無定形硅或無定形氧化銦鎵鋅(IGZO)背板加工中溫度高至約450℃，在晶體IGZO加工中高至約500-550℃，或者在典型LTPS加工過程中高至約600-650℃)，并且仍然能夠在不損壞薄片或載體(例如，載體和薄片之一破裂或碎裂成兩片或更多片)的情況下，容易地從載體去除薄片。雖然提到了具體工藝，但是它們僅僅是具有特定溫度要求的示例性工藝。當(dāng)然，如果薄片和載體可用于上述工藝中的任意一種，則它可用于具有相似溫度要求的不同工藝。如圖1和2所示，制品2具有厚度8，并且其包括具有厚度18的載體10，具有厚度28的薄片20(即，厚度≤300微米，包括但不限于如下厚度，例如10-50微米、50-100微米、100-150微米、150-300微米、300、250、200、190、180、170、160、150、140、130、120、110、100、90、80、70、60、50、40、30、20或者10微米)，以及具有厚度38的表面改性層30。制品2設(shè)計(jì)成雖然薄片20自身≤300微米，但是允許在設(shè)計(jì)用于更厚的片材(即，約為≥.4mm，例如.4mm、.5mm、.6mm、.7mm、.8mm、.9mm或者1.0mm)的裝置中加工薄片20。也就是說，(作為厚度18、28和38的總和的)厚度8設(shè)計(jì)成相當(dāng)于更厚片材的厚度，對(duì)于所述更厚片材，其設(shè)計(jì)成用例如設(shè)計(jì)成基材片上布置電子器件組件的設(shè)備的片設(shè)備進(jìn)行加工。例如，如果加工設(shè)備設(shè)計(jì)成用于700微米片材，并且薄片的厚度28為300微米，則選擇厚度18為400微米，假定厚度38是可忽略不計(jì)的。也就是說，表面改性層30沒有按比例顯示；相反地，僅僅是出于示意性目的，其被極大地放大了。此外，在剖視圖中顯示表面改性層。實(shí)際上，表面改性層會(huì)被均勻地布置在粘結(jié)表面14上。通常，厚度38會(huì)是納米級(jí)的，例如0.1-2.0或高至10nm，以及在一些情況下可高至100nm。可以通過偏振光橢圓率測(cè)量儀測(cè)量厚度38。此外，可以通過表面化學(xué)分析，例如通過西姆斯飛行時(shí)間質(zhì)譜(ToFSimsmassspectrometry)，來檢測(cè)表面改性層的存在。因此，厚度38對(duì)于制品厚度8的貢獻(xiàn)是可以忽略的，并且可以在計(jì)算確定用于加工具有厚度28的給定薄片20的載體10的合適厚度18時(shí)忽略掉。但是，對(duì)于表面改性層30具有任意明顯厚度38的程度的情況下，可以考慮其來確定對(duì)于薄片20的給定厚度28的載體10的厚度18，以及用于設(shè)計(jì)加工設(shè)備的給定厚度。載體10具有第一表面12、粘結(jié)表面14、周界16和厚度18。此外，載體10可以是任意合適材料，包括例如玻璃。載體不一定是玻璃，作為替代，可以是陶瓷、玻璃-陶瓷或者金屬(因?yàn)榭梢砸韵挛年P(guān)于玻璃載體所述的類似方式來控制表面能和/或粘結(jié))。如果是由玻璃制造的話，則載體10可以是任意合適的組成，包括鋁硅酸鹽、硼硅酸鹽、鋁硼硅酸鹽、鈉鈣硅酸鹽，并且取決于其最終用途，可以是含堿性或者不含堿性的。厚度18可以約為0.2-3mm或更大，例如0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.65、0.7、1.0、2.0或3mm，或者更大，并且會(huì)取決于厚度28和厚度38(當(dāng)如上文所述其是不可忽略的情況)。此外，可以由單層制造載體10(如所示)，或者由粘結(jié)在一起的多層(包括多片薄片)制造。此外，載體可以是Gen1尺寸或更大，例如Gen2、Gen3、Gen4、Gen5、Gen8或更大(例如片尺寸為100mmx100mm至3mx3m，或更大)。薄片20具有第一表面22、粘結(jié)表面24、周界26和厚度28。周界16和26可以是任意合適形狀，可以是相互相同或者可以是相互不同的。此外，薄片20可以是任意合適的材料，包括：例如，硅、多晶硅、單晶硅、藍(lán)寶石、石英、玻璃、陶瓷或者玻璃-陶瓷。當(dāng)由玻璃制造時(shí)，則載體20可以是任意合適的組成，包括鋁硅酸鹽、硼硅酸鹽、鋁硼硅酸鹽、鈉鈣硅酸鹽，并且取決于其最終用途，可以是含堿性或者不含堿性的。薄片的熱膨脹系數(shù)可以與載體的熱膨脹系數(shù)較為緊密匹配，以防止在提升溫度下的加工過程中制品的翹曲。薄片20的厚度28可以小于或等于300微米，如上文所述。此外，薄片可以是Gen1尺寸或更大，例如Gen2、Gen3、Gen4、Gen5、Gen8或更大(例如片尺寸為100mmx100mm至3mx3m，或更大)。制品2不僅需要具有在現(xiàn)有設(shè)備中進(jìn)行加工的正確厚度，其還會(huì)需要能夠經(jīng)受住進(jìn)行加工所處的苛刻環(huán)境。例如，加工可以包括濕超聲、真空和高溫(例如，≥400℃)加工。如上文所述，對(duì)于一些加工，溫度可能≥500℃，或者≥600℃，以及高至650℃。為了能夠經(jīng)受住制品2將要進(jìn)行加工的苛刻環(huán)境，粘結(jié)表面14應(yīng)該與粘結(jié)表面24粘結(jié)，該粘結(jié)具有足夠的強(qiáng)度從而使得薄片20不與載體10發(fā)生分離。并且該強(qiáng)度應(yīng)該維持通過加工，使得在加工過程中，薄片20不與載體10發(fā)生分離。此外，為了能夠從載體10去除薄片20(從而可以重新使用載體10)，粘結(jié)表面14與粘結(jié)表面24的粘結(jié)不應(yīng)該過于牢固，其方式如下：通過初始設(shè)計(jì)的粘結(jié)作用力，和/或通過由于例如當(dāng)制品經(jīng)受高溫(例如≥400℃的溫度)下的加工時(shí)可能發(fā)生的由于初始設(shè)計(jì)的粘結(jié)作用力發(fā)生改性而產(chǎn)生的粘結(jié)作用力。表面改性層30可用于控制粘結(jié)表面14和粘結(jié)表面24之間的粘結(jié)強(qiáng)度，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn)這些目的。通過如下方式實(shí)現(xiàn)受控的粘結(jié)作用力：控制范德華(和/或氫鍵)鍵合以及共價(jià)吸引能對(duì)于總粘附能的貢獻(xiàn)，其是通過調(diào)節(jié)薄片20和載體10的極性和非極性表面能分量得以控制。該受控的粘結(jié)足夠強(qiáng)，能夠經(jīng)受住加工(包括濕加工、超聲加工、真空加工和熱加工(包括溫度≥400℃，在一些情況下，加工溫度≥500℃或≥600℃以及高至650℃))，并且通過施加足夠的分離作用力以及不會(huì)引起薄片20和/或載體10的災(zāi)難性的損壞的作用力仍是可去粘結(jié)的。此類去粘結(jié)實(shí)現(xiàn)了去除薄片20以及其上制造的器件，并且還實(shí)現(xiàn)了載體10的再次使用。雖然表面改性層30顯示為薄片20和載體10之間的固體層，但是不一定是這種情況。例如，層30可以約為0.1-2nm厚，并且可能沒有完全覆蓋粘結(jié)表面14的每一處。例如，覆蓋率可以≤100％，1-100％，10-100％，20-90％，或者50-90％。在其他實(shí)施方式中，層30可以高至10nm厚，或者在其他實(shí)施方式中，甚至高至100nm厚。表面改性層30可以被認(rèn)為是布置在載體10和薄片20之間，即使它可能不與載體10和薄片20中的一個(gè)或另一個(gè)發(fā)生接觸。在任意情況下，表面改性層30的一個(gè)重要方面在于，其改變了粘結(jié)表面14與粘結(jié)表面24發(fā)生粘結(jié)的能力，從而控制了載體10和薄片20之間的粘結(jié)強(qiáng)度。表面改性層30的材料和厚度以及粘結(jié)表面14、24在粘結(jié)之前的處理，可以被用于控制載體10和薄片20之間的粘結(jié)強(qiáng)度(粘合能)。通常來說，根據(jù)“Atheoryfortheestimationofsurfaceandinterfacialenergies.I.derivationandapplicationtointerfacialtension(表面和界面能的評(píng)估理論I，界面張力的推導(dǎo)和應(yīng)用)”，L.A.Girifalco和R.J.Good，J.Phys.Chem.,第61期，第904頁，兩個(gè)表面之間的粘合能如下：W＝γ1+γ2-γ12(1)其中γ1、γ2和γ12分別是表面1、表面2的表面能以及表面1和2的界面能。單個(gè)表面能通常是如下兩者的組合：色散分量γd和極性分量γp。γ＝γd+γp(2)當(dāng)粘合主要是由于倫敦色散力(γd)和極性作用力(例如氫鍵，γp)時(shí)，可以通過上文所述的Girifalco和R.J.Good，以如下方式給出界面能：γ12=γ1+γ2-2γ1dγ2d-2γ1pγ2p---(3)]]>在將(3)代入(1)之后，粘合能可以近似計(jì)算如下：W~2[γ1dγ2d+γ1pγ2p]---(4)]]>在上式(4)中，僅僅考慮了粘合能的范德華(和/或氫鍵)鍵合分量。它們包括極性-極性相互作用(基桑力(Keesom))、極性-非極性相互作用(德拜力(Debye))以及非極性-非極性相互作用(倫敦力(London))。但是，也可能存在其他引力能，例如共價(jià)鍵和靜電結(jié)合。因此，作為更一般化形式，上式寫作：W~2[γ1dγ2d+γ1pγ2p]+wc+we---(5)]]>其中wc和we是共價(jià)粘合能和靜電粘合能。共價(jià)粘合能是相當(dāng)普遍的，在硅晶片粘合中，晶片的初始?xì)滏I對(duì)被加熱到較高溫度，將許多或全部的硅烷醇-硅烷醇?xì)滏I轉(zhuǎn)化成Si-O-Si共價(jià)鍵。雖然初始、室溫氫鍵產(chǎn)生約為100-200mJ/m2的粘合能(其允許粘結(jié)表面的分離)，在高溫(約為400-800℃)加工過程中實(shí)現(xiàn)的完全共價(jià)鍵合晶片對(duì)具有約為1000-3000mJ/m2的粘合能(其不允許粘結(jié)表面的分離)；相反地，兩塊晶片是作為整體的。另一方面，如果兩個(gè)表面都完美涂覆有低表面能材料(例如含氟聚合物)，厚度足夠大從而屏蔽下方基材的影響，則粘合能會(huì)是涂覆材料的粘合能，并且會(huì)是非常低的，導(dǎo)致粘結(jié)表面14、24之間的低粘附或者沒有粘附，從而無法在載體10上加工薄片20。考慮兩種極端情況：(a)兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)清潔1(本領(lǐng)域已知為SC1)清潔的、充滿硅烷醇基團(tuán)的玻璃表面在室溫下通過氫鍵合結(jié)合在一起(粘合能約為100-200mJ/m2)，之后通過加熱至高溫，其將硅烷醇轉(zhuǎn)化為共價(jià)Si-O-Si鍵(粘合能變成1000-3000mJ/m2)。后者的這種粘合能對(duì)于待分離的玻璃表面對(duì)過高；以及(b)完美地涂覆具有低表面能(約為12mJ/m2每個(gè)表面)的含氟聚合物的兩個(gè)玻璃表面在室溫粘結(jié)，并加熱至高溫。在后者(b)的情況下，不僅表面沒有粘結(jié)(因?yàn)楫?dāng)表面放置在一起的時(shí)候，約為24mJ/m2的總粘合能過低)，它們?cè)诟邷叵乱矝]有粘結(jié)，因?yàn)椴淮嬖诨蛘叽嬖谶^少的極性反應(yīng)基團(tuán)。在這兩種極端情況之間，存在例如50-1000mJ/m2的粘合能范圍，其可以產(chǎn)生所需程度的受控粘結(jié)。因此，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了提供產(chǎn)生處于這兩種極端情況之間的粘合能的表面改性層30的各種方式，從而可以產(chǎn)生受控粘結(jié)，其足以維持相互粘結(jié)的基材對(duì)(例如，載體10和薄片20)通過FPD加工的苛刻條件，但是其程度(即使是在例如≥400℃的高溫加工之后)也能夠允許在完成加工之后分離薄片20與載體10。此外，可以通過機(jī)械作用力，以至少不使得薄片20發(fā)生災(zāi)難性損壞(優(yōu)選還使得載體10也不發(fā)生災(zāi)難性損壞)的方式，進(jìn)行從載體10分離薄片20。等式(5)描述了粘合能是四個(gè)表面能參數(shù)加上共價(jià)能和靜電能(如果存在的話)的函數(shù)?？梢酝ㄟ^表面改性劑(即，表面改性層30和/或粘結(jié)之前的表面熱處理)的明智選擇來實(shí)現(xiàn)合適的粘合能?？梢酝ㄟ^如下方式獲得合適的粘合能：選擇粘結(jié)表面14和/或粘結(jié)表面24的化學(xué)改性劑，其進(jìn)而同時(shí)控制范德華(和/或氫鍵，這些術(shù)語在本說明書全文可互換使用)粘合能以及由于高溫加工(例如，約為≥400℃)產(chǎn)生的可能的共價(jià)鍵合粘合能。例如，選取SC1清潔過的玻璃的粘結(jié)表面(其初始充滿具有表面能的高極性分量的硅烷醇基團(tuán))并對(duì)其涂覆低能含氟聚合物，通過極性和非極性基團(tuán)，控制了表面的部分覆蓋。這不僅提供了對(duì)于室溫下的初始范德華(和/或氫鍵)鍵合的控制，還提供了較高溫下的共價(jià)鍵合的程度/度的控制。進(jìn)行室溫下的初始范德華(和/或氫鍵)鍵合的控制，從而提供一個(gè)表面與另一個(gè)表面的粘結(jié)，以實(shí)現(xiàn)真空和或旋轉(zhuǎn)-沖洗-干燥(SRD)型加工，在一些情況下，還提供了一個(gè)表面與另一個(gè)表面的易于形成的結(jié)合，其中，所述易于形成的結(jié)合可以在室溫下進(jìn)行，而不用像用刮板或者用減壓環(huán)境來壓制薄片20至載體10那樣，在薄片20的整個(gè)面積上施加外部施加的作用力。也就是說，初始范德華鍵合至少提供了將薄片和載體保持在一起的最小的粘結(jié)程度，從而使得如果當(dāng)舉著其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力時(shí)，他們不會(huì)分離。在大多數(shù)情況下，初始范德華(和/或氫鍵)鍵合的程度會(huì)是如下：制品還可通過真空、SRD和超聲加工，而不使得薄片與載體分離。通過表面改性層30(包括其制造材料和/或向其施加的表面的表面處理)和/或通過粘結(jié)表面在它們粘結(jié)在一起之前的熱處理，將范德華(和/或氫鍵)鍵合以及共價(jià)相互作用都保持在合適水平的這種精密控制，實(shí)現(xiàn)了所需的粘合能，其允許薄片20與載體10在整個(gè)FPD型加工中是粘結(jié)的，與此同時(shí)，在FPD型加工之后，(通過避免損壞薄片20和/或載體的合適的作用力)實(shí)現(xiàn)薄片20與載體10的分離。此外，在合適的情況下，可以向一個(gè)或兩個(gè)玻璃表面施加靜電荷，以提供另一水平的粘合能的控制。高溫加工，(FPD加工，例如p-Si和氧化物TFT制造)通常涉及高于400℃、高于500℃以及一些情況下大于或等于600℃、高至650℃的溫度下的熱加工，這會(huì)導(dǎo)致薄片20與載體10在不存在表面改性層30的情況下發(fā)生玻璃與玻璃的粘結(jié)。因此，控制Si-O-Si鍵合的形成產(chǎn)生了可再次使用的載體?？刂芐i-O-Si鍵合在提升的溫度下的形成的一種方法是降低待結(jié)合的表面上的表面羥基的濃度。如圖3所示，其是二氧化硅上的表面羥基濃度與溫度關(guān)系的厄爾曲線(R.K.Iller，“二氧化硅化學(xué)”，威利國際科學(xué)，紐約，1979(Wiley-Interscience,NewYork,1979))，每平米納米上羥基(OH基團(tuán))的數(shù)量隨著表面溫度的增加而減少。因此，加熱二氧化硅表面(類似于玻璃表面，例如粘結(jié)表面14和/或粘結(jié)表面24)降低了表面羥基的濃度，降低了兩個(gè)玻璃表面上的羥基會(huì)發(fā)生相互作用的可能性。這種表面羥基濃度的下降進(jìn)而降低了每單位面積形成的Si-O-Si鍵，降低了粘合力。但是，消除表面羥基需要高溫下(高于750℃以完全消除表面羥基)的長退火時(shí)間。如此長的退火時(shí)間和高的退火溫度導(dǎo)致昂貴工藝，并且其是不現(xiàn)實(shí)的，因?yàn)檫@可能高于通常顯示器玻璃的應(yīng)變點(diǎn)。通過如上分析，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過平衡以下三個(gè)概念，來制造適用于高溫加工(例如，F(xiàn)PD加工，包括LTPS加工)的包含薄片和載體的制品：(1)通過控制初始室溫粘結(jié)來改性載體和/或薄片粘結(jié)表面，其可以通過控制范德華(和/或氫鍵)鍵合來完成，從而產(chǎn)生中等粘合能(例如，在表面粘結(jié)之前每個(gè)表面>40mJ/m2的表面能)以促進(jìn)初始室溫粘結(jié)，并且足以經(jīng)受住非高溫FPD加工，例如真空加工、SRD加工和/或超聲加工；(2)以如下方式進(jìn)行載體和/或薄片的表面改性：其對(duì)于經(jīng)受高溫加工是熱穩(wěn)定的，不發(fā)生會(huì)導(dǎo)致分層和/或裝置制造中不可接受的污染(例如，對(duì)于可能使用制品的半導(dǎo)體和/或顯示器制造工藝是不可接受的污染物)的脫氣；以及(3)可以通過控制載體表面羥基濃度、以及在提升溫度下(例如≥400℃的溫度)下能夠形成強(qiáng)共價(jià)鍵的其他物質(zhì)的濃度，來控制高溫粘結(jié)，從而可以將載體和薄片的粘結(jié)表面之間的粘結(jié)能控制成使得即使是在高溫加工(特別是通過500-650℃的熱加工)之后，載體和薄片之間的粘合力保持在允許以至少不會(huì)損壞薄片(優(yōu)選不會(huì)損壞薄片或載體)的分離作用力，將薄片與載體去粘結(jié)，并且仍足以維持載體和薄片之間的粘結(jié)使得它們?cè)诩庸み^程中不發(fā)生分層。此外，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用表面改性層30，連同合適的粘結(jié)表面準(zhǔn)備，可以平衡上述概念，從而容易地實(shí)現(xiàn)受控的粘結(jié)區(qū)域，即這樣的粘結(jié)區(qū)域，其提供薄片20和載體10之間充分的室溫粘結(jié)，以允許在FPD型加工(包括真空加工和濕加工)中加工制品2，并且還控制了薄片20和載體10(甚至是在≥400℃的升高的溫度下)的共價(jià)鍵合，從而允許在制品2完成了高溫加工(例如FPD型加工或LTPS加工)之后，從載體10去除薄片20(至少不會(huì)損壞薄片，優(yōu)選也不會(huì)損壞載體)。為了評(píng)估可能的粘結(jié)表面準(zhǔn)備和表面改性層(其會(huì)提供適用于高溫加工的從載體完全分離薄片)，使用一系列測(cè)試來對(duì)它們的適用性分別進(jìn)行評(píng)估。不同的FPD應(yīng)用具有不同的要求，但是LTPS和氧化物TFT加工看上去是目前為止最為嚴(yán)格的，因此，選擇這些工藝中代表性步驟的測(cè)試，因?yàn)樗鼈儗?duì)于制品2是所希望的應(yīng)用。真空加工、濕清潔(包括SRD和超聲類型加工)以及濕蝕刻對(duì)于許多FPD應(yīng)用是常見的。通常，SiTFT制造要求高至320℃的加工。在氧化物TFT工藝中，使用400℃的退火，而在LTPS加工中，使用超過600℃的結(jié)晶和摻雜劑活化步驟。因此，使用如下5種測(cè)試來評(píng)估特定的粘結(jié)表面準(zhǔn)備和表面改性層30會(huì)允許薄片20與載體10在整個(gè)FPD加工中保持粘結(jié)，同時(shí)在此類加工(包括≥400℃的溫度下的加工)之后，允許從載體10去除薄片20(而不損壞薄片20和/或載體10)的可能性。依次進(jìn)行測(cè)試，將樣品從一個(gè)測(cè)試前進(jìn)到下一個(gè)測(cè)試，除非存在會(huì)不允許后續(xù)測(cè)試的失效類型。(1)真空測(cè)試。在(購自英國紐波特的SPTS公司(SPTS,Newport,UK))的STS多路PECVD負(fù)載閉鎖裝置(STSMultiplexPECVDloadlock)中，進(jìn)行真空相容性測(cè)試，通過軟泵閥，用EbaraA10S干泵(購自加利福尼亞州薩克拉門托市荏原技術(shù)有限公司(EbaraTechnologiesInc.,Sacramento,CA))對(duì)負(fù)載閉鎖裝置進(jìn)行泵送。將樣品放在負(fù)載閉鎖裝置中，然后在45秒內(nèi)，將負(fù)載閉鎖裝置從大氣壓泵送下降到70毫托。失效，在下表的“真空”列中表示為符號(hào)“F”，如果符合以下情況的話則視作失效：(a)載體和薄片之間的粘合發(fā)生損耗(通過裸眼視覺觀察，如果薄片離開載體或者薄片與載體部分脫粘結(jié)，則視為發(fā)生失效)；(b)在載體和薄片之間存在氣泡(通過裸眼視覺觀察確定，在加工之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，然后進(jìn)行對(duì)比，如果對(duì)于裸眼看得到的尺度，缺陷的尺寸增加，則確定發(fā)生失效)；或者(c)薄片相對(duì)于載體發(fā)生移動(dòng)(通過裸眼視覺觀察確定，在測(cè)試之前和之后進(jìn)行拍照，如果存在粘結(jié)缺陷(例如氣泡)的移動(dòng)、或者如果邊緣脫粘結(jié)或者存在薄片在載體上的移動(dòng)，則視為發(fā)生失效)。在下表中，“真空”列中的符號(hào)“P”表示樣品通過前述標(biāo)準(zhǔn)，沒有失效。(2)濕加工測(cè)試。采用(購自加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials,SantaClara,CA))的Semitool型SRD-470S，進(jìn)行濕加工相容性測(cè)試。測(cè)試由如下構(gòu)成：60秒的500rpm沖洗，以500rpm進(jìn)行Q-清洗至15莫姆，500rpm的10秒吹掃，1800rpm的90秒干燥，以及暖流氮?dú)庀碌?400rpm的180秒干燥。失效，在下表的“SRD”列中表示為符號(hào)“F”，如果符合以下情況的話則視作失效：(a)載體和薄片之間的粘合發(fā)生損耗(通過裸眼視覺觀察，如果薄片離開載體或者薄片與載體部分脫粘結(jié)，則視為發(fā)生失效)；(b)在載體和薄片之間存在氣泡(通過裸眼視覺觀察確定，在加工之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，然后進(jìn)行對(duì)比，如果對(duì)于裸眼看得到的尺度，缺陷的尺寸增加，則確定發(fā)生失效)；或者(c)薄片相對(duì)于載體發(fā)生移動(dòng)(通過裸眼視覺觀察確定，在測(cè)試之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，如果存在粘結(jié)缺陷(例如氣泡)的移動(dòng)、或者如果邊緣脫粘結(jié)或者存在薄片在載體上的移動(dòng)，則視為發(fā)生失效)；或者(d)薄片下方的水滲透(50倍光學(xué)顯微鏡的視覺觀察確定，如果可以觀察到液體或殘留，則確定發(fā)生失效)。在下表中，“SRD”列中的符號(hào)“P”表示樣品通過前述標(biāo)準(zhǔn)，沒有失效。(3)至400℃溫度的測(cè)試。采用(購自加利福尼亞州圣克拉拉市的Alwin21公司(Alwin21,SantaClara,CA))的Alwin21Accuthermo610RTP，進(jìn)行400℃加工相容性測(cè)試。將粘結(jié)有薄片的載體在室內(nèi)進(jìn)行如下循環(huán)加熱：以6.2℃/分鐘從室溫到400℃，在400℃保持600秒，以及以1℃/分鐘冷卻到300℃。然后將載體和薄片冷卻至室溫。失效，在下表的“400℃”列中表示為符號(hào)“F”，如果符合以下情況的話則視作失效：(a)載體和薄片之間的粘合發(fā)生損耗(通過裸眼視覺觀察，如果薄片離開載體或者薄片與載體部分脫粘結(jié)，則視為發(fā)生失效)；(b)在載體和薄片之間存在氣泡(通過裸眼視覺觀察確定，在加工之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，然后進(jìn)行對(duì)比，如果對(duì)于裸眼看得到的尺度，缺陷的尺寸增加，則確定發(fā)生失效)；或者(c)載體和薄片之間粘合的增加，該粘合的增加阻礙了在不損壞薄片或載體的情況下使得薄片與載體發(fā)生去粘結(jié)(通過在薄片和載體之間插入剃刀片，和/或?qū)?-3”附著到100平方毫米薄玻璃的一片KaptonTM條(1”寬x6”長，(購自紐約州湖沙克的圣戈班性能塑料公司(SaintGobainPerformancePlastic,HoosikNY)的K102系列)粘到薄片并拉動(dòng)條)，如果在嘗試分離薄片和載體的時(shí)候薄片或載體發(fā)生損壞，或者通過任一去粘結(jié)方法無法使得薄片和載體去粘結(jié)，則視為發(fā)生失效。此外，在薄片與載體粘結(jié)之后以及在熱循環(huán)之前，在代表性樣品上進(jìn)行去粘結(jié)測(cè)試，以確定特定的材料(包括任意相關(guān)表面處理)不允許薄片與載體在溫度循環(huán)之前發(fā)生去粘結(jié)。在下表中，“400℃”列中的符號(hào)“P”表示樣品通過前述標(biāo)準(zhǔn)，沒有失效。(4)至600℃溫度的測(cè)試。采用Alwin21Accuthermo610RTP進(jìn)行600℃加工相容性測(cè)試。將薄片和載體在室內(nèi)進(jìn)行如下循環(huán)加熱：以9.5℃/分鐘從室溫到600℃，在600℃保持600秒，然后以1℃/分鐘冷卻到300℃。然后將載體和薄片冷卻至室溫。失效，在下表的“600℃”列中表示為符號(hào)“F”，如果符合以下情況的話則視作失效：(a)載體和薄片之間的粘合發(fā)生損耗(通過裸眼視覺觀察，如果薄片離開載體或者薄片與載體部分脫粘結(jié)，則視為發(fā)生失效)；(b)在載體和薄片之間存在氣泡(通過裸眼視覺觀察確定，在加工之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，然后進(jìn)行對(duì)比，如果對(duì)于裸眼看得到的尺度，缺陷的尺寸增加，則確定發(fā)生失效)；或者(c)載體和薄片之間粘合的增加，該粘合的增加阻礙了在不損壞薄片或載體的情況下使得薄片與載體發(fā)生去粘結(jié)(通過在薄片和載體之間插入剃刀片，和/或?qū)⑷缟纤龅腒aptonTM條粘到薄片并拉動(dòng)條)，如果在嘗試分離薄片和載體的時(shí)候薄片或載體發(fā)生損壞，或者通過任一去粘結(jié)方法無法使得薄片和載體去粘結(jié)，則視為發(fā)生失效。此外，在薄片與載體粘結(jié)之后以及在熱循環(huán)之前，在代表性樣品上進(jìn)行去粘結(jié)測(cè)試，以確定特定的材料(以及任意相關(guān)表面處理)確實(shí)允許薄片與載體在溫度循環(huán)之前發(fā)生去粘結(jié)。在下表中，“600℃”列中的符號(hào)“P”表示樣品通過前述標(biāo)準(zhǔn)，沒有失效。(5)超聲測(cè)試。通過在四罐線中清潔制品來進(jìn)行超聲相容性測(cè)試，其中使得制品從罐#1至罐#4依次在每個(gè)罐中進(jìn)行處理。4個(gè)罐每個(gè)的罐尺寸為18.4”Lx10”Wx15”D。兩個(gè)清潔罐(#1和#2)含有50℃的DI水中的1％的半清潔KG(SemicleanKG)(購自日本橫濱的橫濱油脂工業(yè)有限公司(YokohamaOilsandFatsIndustryCo.,Ltd.,Japan))。用NEYprosonik2104kHz超聲產(chǎn)生器(購自紐約州詹姆斯敦黑石-NEY超聲公司(Blackstone-NEYUltrasonics,Jamestown,NY))振動(dòng)清潔罐#1，用NEYprosonik2104kHz超聲產(chǎn)生器振動(dòng)清潔罐#2。兩個(gè)清洗罐(罐#3和罐#4)含有50℃的DI水。用NEYsweepsonik2D72kHz超聲產(chǎn)生器振動(dòng)清洗罐#3，用NEYsweepsonik2D104kHz超聲產(chǎn)生器振動(dòng)清洗罐#4。罐#1-4每個(gè)進(jìn)行10分鐘的過程，之后將樣品從罐#4取出之后進(jìn)行旋轉(zhuǎn)清潔干燥(SRD)。失效，在下表的“超聲”列中表示為符號(hào)“F”，如果符合以下情況的話則視作失效：(a)載體和薄片之間的粘合發(fā)生損耗(通過裸眼視覺觀察，如果薄片離開載體或者薄片與載體部分脫粘結(jié)，則視為發(fā)生失效)；(b)在載體和薄片之間存在氣泡(通過裸眼視覺觀察確定，在加工之前和之后對(duì)樣品進(jìn)行拍照，然后進(jìn)行對(duì)比，如果對(duì)于裸眼看得到的尺度，缺陷的尺寸增加，則確定發(fā)生失效)；或者(c)形成其他粗缺陷(50倍光學(xué)顯微鏡的視覺觀察確定，如果在薄片和載體之間俘獲了之前未觀察到的顆粒，則視為發(fā)生失效)；或者(d)薄片下方的水滲透(50倍光學(xué)顯微鏡的視覺觀察確定，如果可以觀察到液體或殘留，則確定發(fā)生失效)。在下表中，“超聲”列中的符號(hào)“P”表示樣品通過前述標(biāo)準(zhǔn)，沒有失效。此外，在下表中，“超聲”列中的空白表示沒有對(duì)樣品以這種方式進(jìn)行測(cè)試。通過加熱經(jīng)由羥基減少來準(zhǔn)備粘結(jié)表面通過對(duì)具有載體10和薄片20但是其間沒有表面改性層30的制品2進(jìn)行加工，來證實(shí)用表面改性層30對(duì)粘結(jié)表面14、24的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行改性從而使得制品2能夠成功地經(jīng)受FPD加工(即，在加工過程中，薄片20與載體10保持粘結(jié)，并且在包括高溫加工的加工之后，還可以與載體10分離)的益處。具體來說，首先嘗試通過加熱來減少羥基基團(tuán)，但是沒有使用表面改性層30，來制備粘結(jié)表面14、24。清潔載體10和薄片20，將粘結(jié)表面14和24相互粘結(jié)，然后對(duì)制品2進(jìn)行測(cè)試。用于制備進(jìn)行粘結(jié)的玻璃的典型清潔過程是SC1清潔過程，其中，將玻璃在稀過氧化氫和堿(通常是氫氧化銨，但是也可使用氫氧化四甲基銨溶液，例如JTBakerJTB-100或JTB-111)中進(jìn)行清潔。清潔從粘結(jié)表面去除了顆粒，使得表面能是已知的，即它提供了表面能的基線。清潔方式不一定是SC1，也可使用其他類型的清潔，如可能對(duì)于表面上的硅烷醇基團(tuán)僅僅具有非常小影響的清潔類型。各個(gè)測(cè)試結(jié)果如下表1所示。通過對(duì)薄玻璃片和玻璃載體進(jìn)行簡單清潔來產(chǎn)生牢固、但是可分離的初始室溫或范德華和/或氫鍵，所述薄玻璃片為100平方毫米x100微米厚，所述玻璃載體是150mm直徑的單平均平坦(SMF)晶片，厚度為0.50或0.63mm，它們分別包括Eagle顯示器玻璃(購自紐約州康寧市康寧有限公司(CorningIncorporated,Corning,NY)的平均表面粗糙度Ra約為0.2nm的無堿性鋁硼硅酸鹽玻璃)。在該例子中，玻璃在40:1:2的DI水：JTB-111：過氧化氫的65℃浴中清潔10分鐘。薄玻璃或者玻璃載體可以在400℃的氮?dú)庵型嘶?0分鐘或者不在其中進(jìn)行退火，以去除殘留水，下表1的“載體”列或者“薄玻璃”列中的符號(hào)“400℃”表示樣品在400℃的氮?dú)庵型嘶?0分鐘。FPD加工相容性測(cè)試證實(shí)，該SC1-SC1初始、室溫粘結(jié)是機(jī)械牢固的，足以通過真空、SRD和超聲測(cè)試。但是，在大于或等于400℃進(jìn)行加熱在薄玻璃和載體之間產(chǎn)生了永久粘結(jié)，即無法在不損傷薄玻璃片和/或載體的情況下從載體去除薄玻璃片。甚至對(duì)于實(shí)施例1c也是這種情況，其中載體和薄玻璃分別具有退火步驟來降低表面羥基濃度。因此，上文所述的僅通過加熱來準(zhǔn)備粘結(jié)表面14、24，然后使得載體10和薄片12在沒有表面改性層30的情況下粘結(jié)，對(duì)于(溫度會(huì)≥400℃的)加工不是合適的受控粘結(jié)。表1：SC1處理的玻璃粘結(jié)表面的加工相容性測(cè)試實(shí)施例載體薄玻璃真空SRD400C600C超聲1aSC1SC1PPFFP1bSC1，400CSC1PPFFP1cSC1，400CSC1，400CPPFFP通過減少羥基和表面改性層來準(zhǔn)備粘結(jié)表面可以將通過例如熱處理進(jìn)行的羥基減少和表面改性層30一起使用，來控制粘結(jié)表面14、24的相互作用。例如，可以控制粘結(jié)表面14、24的粘結(jié)能(同時(shí)有由于極性/色散能分量所導(dǎo)致的室溫下的范德華和/或氫鍵合，以及由于共價(jià)能分量的高溫下的共價(jià)鍵合)，從而提供不同的粘結(jié)強(qiáng)度，從室溫粘結(jié)(其難以實(shí)現(xiàn)簡單的室溫粘結(jié)并在高溫加工之后分離粘結(jié)表面)到在高溫加工之后防止表面在不發(fā)生損壞的情況下分離的情況。在一些應(yīng)用中，可能希望沒有粘結(jié)或者具有非常弱的粘結(jié)。在其他應(yīng)用中，例如為高溫工藝提供載體(其中，可能實(shí)現(xiàn)≥500℃或者≥600℃，以及高至650℃的加工溫度)，希望在室溫下具有充分的范德華和/或氫鍵合，以初始地使得薄片和載體置于一起，并且還防止或限制高溫共價(jià)鍵合。對(duì)于其他應(yīng)用，可能希望具有充分的室溫粘結(jié)，以初始地使得薄片和載體置于一起，并且還在高溫下建立強(qiáng)共價(jià)鍵合。雖然不希望受到理論的限制，但是相信，在一些情況下，表面改性層可用于控制當(dāng)薄片和載體初始放置在一起時(shí)的室溫粘結(jié)，而表面上的羥基基團(tuán)的減少(例如，通過對(duì)表面進(jìn)行加熱或者通過羥基基團(tuán)與表面改性層的反應(yīng))，可用于控制共價(jià)鍵合，特別是處于高溫時(shí)。用于表面改性層30的材料可以為粘結(jié)表面14、24提供表面僅產(chǎn)生弱粘結(jié)的能量(例如，能量<40mJ/m2，從一個(gè)表面測(cè)得，包括極性和色散分量)。在一個(gè)例子中，六甲基二硅氮烷(HMDS)可用于通過與表面羥基反應(yīng)留下三甲基甲硅烷基(TMS)封端的表面，來產(chǎn)生該低能量表面。HMDS作為表面改性層可以與表面加熱一起使用，來減少羥基濃度，以控制室溫和高溫粘結(jié)。通過分別為粘結(jié)表面14、24選擇合適的粘結(jié)表面制備，可以實(shí)現(xiàn)具有一定能力范圍的制品。更具體地，出于高溫加工的興趣，可以在薄片20和載體10之間實(shí)現(xiàn)合適的粘結(jié)，從而經(jīng)受(或通過)真空SRD、400℃(部分a和c)和600℃(部分a和c)加工測(cè)試中的每一項(xiàng)。在一個(gè)例子中，在對(duì)薄玻璃和載體都進(jìn)行SC1清潔然后是HMDS處理之后，產(chǎn)生了弱粘結(jié)表面，其在室溫下以范德華(和/或氫鍵合)粘結(jié)是具有挑戰(zhàn)性的。施加機(jī)械作用力，以使得薄玻璃與載體粘結(jié)。如表2的實(shí)施例2a所示，該粘結(jié)足夠弱到在真空測(cè)試和SRD加工中觀察到載體的偏折，在400℃和600℃熱加工中觀察到(可能是由于脫氣導(dǎo)致的)氣泡，以及在超聲加工之后觀察到顆粒缺陷。在另一個(gè)例子中，僅僅一個(gè)表面(在所引述實(shí)施例中是載體)的HMDS處理產(chǎn)生強(qiáng)室溫粘合，其經(jīng)受住了真空和SRD加工。但是，400℃以及更高的熱加工使得薄玻璃與載體發(fā)生永久粘結(jié)。這并非是出乎意料的，因?yàn)橥ㄟ^Sindorf和Maciel的J.Phys.Chem.1982,86,5208-5219，已經(jīng)計(jì)算出二氧化硅上的三甲基甲硅烷基基團(tuán)的最大表面覆蓋是2.8/nm2，并且通過Suratwala等人在JournalofNon-CrystallineSolids(非晶固體期刊)316(2003)349–363測(cè)出為2.7/nm2，相比較對(duì)于完全羥基化二氧化硅的羥基濃度為4.6-4.9/nm2。也就是說，雖然三甲基甲硅烷基基團(tuán)確實(shí)與一些表面羥基結(jié)合，但是仍然會(huì)留下一些未結(jié)合的羥基。因此，會(huì)預(yù)期給予足夠的時(shí)間和溫度，表面硅烷醇基團(tuán)的縮合使得薄玻璃與載體永久粘結(jié)。通過在HMDS暴露之前加熱玻璃表面來減少表面羥基濃度，可以產(chǎn)生不同的表面能，導(dǎo)致表面能的極性分量的增加。這同時(shí)降低了在高溫下形成共價(jià)Si-O-Si鍵合的驅(qū)動(dòng)力并且導(dǎo)致更為牢固的室溫粘結(jié)，例如范德華(和/或氫)鍵合。圖4顯示在退火之后以及在HMDS處理之后的Eagle顯示器玻璃載體的表面能。在HMDS暴露之前，退火溫度的增加通過增加極性貢獻(xiàn)(線404)，增加了HMDS暴露之后總的(極性和色散)表面能(線402)。還看出，通過熱處理，色散貢獻(xiàn)(線406)對(duì)于總表面能而言，很大程度上保持不變。雖然不希望受到理論的限制，但是增加極性分量，從而增加HMDS處理之后的表面中的總能量，看上去是由于因?yàn)楸籋MDS覆蓋的子單層TMS，使得甚至在HMDS處理之后仍有一些暴露的玻璃表面區(qū)域。在實(shí)施例2b中，在真空中，將薄玻璃片在150℃的溫度加熱一小時(shí)，之后與具有HMDS涂層的未經(jīng)熱處理的載體粘結(jié)。薄玻璃片的該熱處理不足以阻礙薄玻璃片與載體在≥400℃的溫度下發(fā)生永久粘結(jié)。如表2的實(shí)施例2c-2e所示，改變HMDS暴露之前的玻璃表面的退火溫度，可以改變玻璃表面的粘結(jié)能，從而控制玻璃載體和薄玻璃片之間的粘結(jié)。在實(shí)施例2c中，載體在溫度為190℃的真空中退火一小時(shí)，之后進(jìn)行HMDS暴露，以提供表面改性層30。此外，薄玻璃片在450℃的真空中退火一小時(shí)，之后與載體粘結(jié)。所得到的制品經(jīng)受住了真空、SRD和400℃測(cè)試(部分a和c，但是沒有通過部分b，因?yàn)闅馀菰黾?，但是未通過600℃測(cè)試。因此，雖然相比于實(shí)施例2b增加了對(duì)于高溫粘結(jié)的抗性，但是這不足以產(chǎn)生用于≥600℃溫度下的加工(其中，可以從載體去除所有薄片)的制品。在實(shí)施例2d中，載體在溫度為340℃的真空中退火一小時(shí)，之后進(jìn)行HMDS暴露，以提供表面改性層30。再次，薄玻璃片在450℃的真空中退火一小時(shí)，之后與載體粘結(jié)。結(jié)果類似于實(shí)施例2c那樣，制品經(jīng)受住了真空、SRD和400℃測(cè)試(部分a和c，但是沒有通過部分b，因?yàn)闅馀菰黾?，但是未通過600℃測(cè)試。如實(shí)施例2e所示，薄玻璃和載體都在450℃的真空中退火一小時(shí)，之后將載體暴露于HMDS，然后使得載體與薄玻璃片粘結(jié)，改善了對(duì)于永久粘結(jié)的溫度抗性。兩個(gè)表面在450℃的退火防止了600℃的RTP退火10分鐘之后的永久粘結(jié)，也就是說，該樣品通過600℃加工測(cè)試(部分a和c，但是沒有通過部分b，因?yàn)闅馀菰黾?；?duì)于400℃具有類似結(jié)果)。表2：HMDS表面改性層的加工相容性測(cè)試在上述實(shí)施例2a-2e中，載體和薄片分別是Eagle玻璃，其中，載體是150mm直徑、630微米厚的SMF晶片，薄片是100平方毫米、100微米厚。通過脈沖氣相沉積，在(購自加利福尼亞圣何塞的產(chǎn)量工程系統(tǒng)公司(YieldEngineeringSystems,SanJoseCA))的YES-5HMDS烘箱中施加HMDS，其是一層原子層厚度(即約為0.2-1nm)，但是表面覆蓋可能小于一層單層，即部分表面羥基沒有被HMDS覆蓋，如Maceil和上文所述。由于表面改性層的小厚度，幾乎沒有會(huì)引起裝置制造中的污染的脫氣風(fēng)險(xiǎn)。此外，如表2的“SC1”符號(hào)所示，在熱處理和任意后續(xù)HMDS處理之前，載體和薄片分別采用SC1過程進(jìn)行清潔。實(shí)施例2a和實(shí)施例2b的對(duì)比顯示，可以通過改變包含表面改性層的表面數(shù)量，來控制薄片和載體之間的粘結(jié)能。控制粘結(jié)能可用于控制兩個(gè)粘結(jié)表面之間的粘結(jié)力。此外，實(shí)施例2b-2e的對(duì)比顯示，可以通過改變粘結(jié)表面在施加表面改性材料之前所經(jīng)受的熱處理的參數(shù)，來控制表面的粘結(jié)能。此外，熱處理可用于減少表面羥基數(shù)量，從而控制共價(jià)鍵合程度，特別是高溫下的共價(jià)鍵合?？梢詫⒁圆煌绞絹砜刂普辰Y(jié)表面上的表面能的其他材料用于表面改性層30，從而控制兩個(gè)表面之間的室溫和高溫粘結(jié)力。例如，如果對(duì)粘結(jié)表面中的一個(gè)或兩個(gè)進(jìn)行改性，以產(chǎn)生與表面改性層的中等粘結(jié)力，所述表面改性層覆蓋或者是空間位阻了諸如羥基之類的物質(zhì)，以防止在提升的溫度下在載體和薄片之間形成強(qiáng)永久共價(jià)鍵，則可以從載體完全地去除薄片。產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的表面能并對(duì)表面羥基進(jìn)行覆蓋以防止形成共價(jià)鍵的一種方式是沉積等離子體聚合物膜，例如含氟聚合物膜。等離子體聚合在大氣壓或減壓以及來自源氣體的等離子體激發(fā)(DC或RF平行板，電感耦合等離子體(ICP)電子回旋共振(ECR下游微波或RF等離子)下沉積聚合物薄膜，所述源氣體是例如碳氟化合物源(包括CF4、CHF3、C2F6、C3F6、C2F2、CH3F、C4F8、氯氟碳或氫氯氟碳)、烴類(例如烷烴，包括甲烷、乙烷、丙烷、丁烷；烯烴，包括乙烯、丙烯；炔烴，包括乙炔；以及芳烴，包括苯、甲苯)、氫氣和其他氣體源(例如SF6)。等離子體聚合產(chǎn)生高度交聯(lián)材料層。反應(yīng)條件和源氣體的控制可以用來控制膜厚度、密度和化學(xué)性質(zhì)，以將官能團(tuán)調(diào)節(jié)至所需用途。圖5顯示利用(購自英國牛津郡牛津儀器公司(OxfordInstruments,OxfordshireUK))的OxfordICP380蝕刻工具，從CF4-C4F8混合物沉積的等離子體聚合含氟聚合物(PPFP)膜的總表面能(線502)，其包括極性分量(線504)和色散分量(線506)。將膜沉積到Eagle玻璃片上，光譜橢圓對(duì)稱法顯示膜厚為1-10nm。從圖5可以看出，用含有小于40％的C4F8的等離子體聚合含氟聚合物膜處理的玻璃載體展現(xiàn)出>40mJ/m2的表面能，并且產(chǎn)生在室溫下薄玻璃和載體之間通過范德華或氫鍵鍵合的受控粘結(jié)。當(dāng)初始在室溫下粘結(jié)載體和薄玻璃時(shí)，觀察到促進(jìn)的粘結(jié)。也就是說，當(dāng)將薄片放置到載體上，并在一點(diǎn)對(duì)它們進(jìn)行壓制時(shí)，波陣面移動(dòng)穿過載體，但是速度低于其上不具有表面改性層的SC1處理表面所觀察到的。受控粘結(jié)足以經(jīng)受住所有標(biāo)準(zhǔn)FPD工藝，包括真空加工、濕加工、超聲加工和高至600℃的熱加工，也就是說，該受控粘結(jié)通過600℃加工測(cè)試，沒有發(fā)生薄玻璃與載體的移動(dòng)或脫層。通過如上文所述用剃刀片和/或KaptonTM帶進(jìn)行剝離，來完成脫粘結(jié)。(如上文所述沉積的)兩種不同PPFP膜的加工相容性如表3所示。形成的實(shí)施例3a的PPFP1具有C4F8/(C4F8+CF4)＝0，也就是說，是由CF4/H2而非C4F8形成的；沉積的實(shí)施例3b的PPFP2具有C4F8/(C4F8+CF4)＝0.38。這兩種類型的PPFP膜都經(jīng)受住了真空、SRD、400℃和600℃加工測(cè)試。但是，在對(duì)PPFP2進(jìn)行20分鐘的超聲清潔之后觀察到分層，表明沒有足夠的粘合力以經(jīng)受此類加工。但是，對(duì)于不需要超聲加工的一些應(yīng)用而言，PPFP2的表面改性層可能是可用的。表3：PPFP表面改性層的加工相容性測(cè)試實(shí)施例載體薄玻璃真空SRD400C600C超聲3aPPFP1SC1，150CPPPPP3bPPFP2SC1，150CPPPPF在上述實(shí)施例3a和3b中，載體和薄片分別是Eagle玻璃，其中，載體是150mm直徑、630微米厚的SMF晶片，薄片是100平方毫米、100微米厚。由于表面改性層的小厚度，幾乎沒有會(huì)引起裝置制造中的污染的脫氣風(fēng)險(xiǎn)。此外，由于表面改性層看上去沒有發(fā)生分解，同樣地，也就不用說脫氣的風(fēng)險(xiǎn)了。此外，如表3所示，在150℃真空熱處理1小時(shí)之前，載體分別采用SC1過程進(jìn)行清潔。同樣可以將以不同方式來控制表面能的其他材料用作表面改性層，從而控制薄片和載體之間的室溫和高溫粘結(jié)力。例如，通過對(duì)載體和/或玻璃薄片進(jìn)行硅烷處理，可以產(chǎn)生能夠產(chǎn)生受控粘結(jié)的粘結(jié)表面。對(duì)硅烷進(jìn)行選擇，從而產(chǎn)生合適的表面能，從而對(duì)于應(yīng)用具有足夠的熱穩(wěn)定性。可以通過如下工藝對(duì)待處理的載體或薄片進(jìn)行處理：例如，O2等離子體或UV-臭氧，以及進(jìn)行SC1或標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC2，本領(lǐng)域已知)的清潔來去除會(huì)干擾硅烷與表面硅烷醇基團(tuán)反應(yīng)的有機(jī)物和其他雜質(zhì)(例如金屬)?？梢允褂没谄渌瘜W(xué)品的清洗，例如HF或H2SO4清洗化學(xué)品。可以對(duì)載體或薄片進(jìn)行加熱，以控制施加硅烷之前的表面羥基濃度(如上文關(guān)于HMDS的表面改性層所述)，和/或可以在施加硅烷之后進(jìn)行加熱，以完成硅烷與表面羥基的縮合?？梢允沟霉柰榛蟮奈捶磻?yīng)的羥基基團(tuán)的濃度在粘結(jié)之前是足夠低的，從而防止在≥400℃的溫度下薄片和載體之間的永久粘結(jié)，即，以形成受控粘結(jié)。該方法如下所述。實(shí)施例4a然后用甲苯中1％的十二烷基三乙氧基硅烷(DDTS)對(duì)其粘結(jié)表面經(jīng)過O2等離子體和SC1處理的玻璃載體進(jìn)行處理，在150℃的真空中退火1小時(shí)，完成縮合。DDTS處理的表面展現(xiàn)出45mJ/m2的表面能。如表4所示，(經(jīng)過SC1清潔和400℃真空加熱1小時(shí)的)玻璃薄片與其上具有DDTS表面改性層的載體粘結(jié)表面發(fā)生粘結(jié)。該制品經(jīng)受住了濕加工和真空加工測(cè)試，但是沒有通過超過400℃的熱加工，沒有由于硅烷的熱分解在載體下方形成氣泡。對(duì)于所有的線性烷氧基和氯烷基硅烷R1xSi(OR2)y(Cl)z，其中x＝1-3，y+z＝4-x(排除甲基、二甲基和三甲基硅烷的情況(x＝1-3，R1＝CH3)，其產(chǎn)生良好熱穩(wěn)定性的涂層)，都預(yù)期有這種熱分解。實(shí)施例4b然后用甲苯中1％的3,3,3三氟丙基三乙氧基硅烷(TFTS)對(duì)其粘結(jié)表面經(jīng)過O2等離子體和SC1處理的玻璃載體進(jìn)行處理，在150℃的真空中退火1小時(shí)，完成縮合。TFTS處理的表面展現(xiàn)出47mJ/m2的表面能。如表4所示，(經(jīng)過SC1清潔然后400℃真空加熱1小時(shí)的)玻璃薄片與其上具有TFTS表面改性層的載體粘結(jié)表面發(fā)生粘結(jié)。該制品經(jīng)受住了真空、SRD和400℃加工測(cè)試，沒有發(fā)生玻璃薄片與玻璃載體的永久粘結(jié)。但是，由于硅烷的熱分解，600℃測(cè)試產(chǎn)生了載體下方形成的氣泡。由于丙基有限的熱穩(wěn)定性，這并非出乎意料的。雖然該樣品由于氣泡沒有通過600℃測(cè)試，該實(shí)施例的材料和熱處理可以用于可以容忍氣泡及其不利影響(例如表面平坦度的下降或者波度增加)的一些應(yīng)用。實(shí)施例4c然后用甲苯中1％的苯基三乙氧基硅烷(PTS)對(duì)其粘結(jié)表面經(jīng)過O2等離子體和SC1處理的玻璃載體進(jìn)行處理，在200℃的真空中退火1小時(shí)，完成縮合。PTS處理的表面展現(xiàn)出54mJ/m2的表面能。如表4所示，(經(jīng)過SC1清潔然后400℃真空加熱1小時(shí)的)玻璃薄片與其上具有PTS表面改性層的載體粘結(jié)表面發(fā)生粘結(jié)。該制品經(jīng)受住了真空加工、SRD加工和高至600℃的熱加工，沒有發(fā)生玻璃薄片與玻璃載體的永久粘結(jié)。實(shí)施例4d然后用甲苯中1％的二苯基二乙氧基硅烷(DPDS)對(duì)其粘結(jié)表面經(jīng)過O2等離子體和SC1處理的玻璃載體進(jìn)行處理，在200℃的真空中退火1小時(shí)，完成縮合。DPDS處理的表面展現(xiàn)出47mJ/m2的表面能。如表4所示，(經(jīng)過SC1清潔然后400℃真空加熱1小時(shí)的)玻璃薄片與其上具有DPDS表面改性層的載體粘結(jié)表面發(fā)生粘結(jié)。該制品經(jīng)受住了真空和SRD測(cè)試，以及高至600℃的熱加工，沒有發(fā)生玻璃薄片與玻璃載體的永久粘結(jié)。實(shí)施例4e然后用甲苯中1％的4-五氟苯基三乙氧基硅烷(PFPTS)對(duì)其粘結(jié)表面經(jīng)過O2等離子體和SC1處理的玻璃載體進(jìn)行處理，在200℃的真空中退火1小時(shí)，完成縮合。PFPTS處理的表面展現(xiàn)出57mJ/m2的表面能。如表4所示，(經(jīng)過SC1清潔然后400℃真空加熱1小時(shí)的)玻璃薄片與其上具有PFPTS表面改性層的載體粘結(jié)表面發(fā)生粘結(jié)。該制品經(jīng)受住了真空和SRD測(cè)試，以及高至600℃的熱加工，沒有發(fā)生玻璃薄片與玻璃載體的永久粘結(jié)。表4：硅烷表面改性層的加工相容性測(cè)試在上述實(shí)施例4a-4e中，載體和薄片分別是Eagle玻璃，其中，載體是150mm直徑、630微米厚的SMF晶片，薄片是100平方毫米、100微米厚。硅烷層是自裝配單層(SAM)，因而厚度約為小于約2nm。在上述實(shí)施例中，采用具有芳基或烷基非極性尾端和單、二或三醇鹽頭基團(tuán)的有機(jī)硅烷產(chǎn)生SAM。它們與玻璃上的硅烷醇表面反應(yīng)，與有機(jī)官能團(tuán)直接附連。非極性頭基團(tuán)之間的較弱相互作用使得有機(jī)層有機(jī)化。由于表面改性層的小厚度，幾乎沒有會(huì)引起裝置制造中的污染的脫氣風(fēng)險(xiǎn)。此外，由于實(shí)施例4c、4d和4e中的表面改性層看上去沒有發(fā)生分解，同樣地，也就不用說脫氣的風(fēng)險(xiǎn)了。此外，如表4所示，在400℃真空熱處理1小時(shí)之前，玻璃薄片分別采用SC1過程進(jìn)行清潔。從實(shí)施例4a-4e的對(duì)比可以看出，將粘結(jié)表面的表面能控制到大于40mJ/m2從而有助于初始室溫粘結(jié)，不僅僅是出于產(chǎn)生能夠經(jīng)受住FPD加工的受控粘結(jié)的考慮，還實(shí)現(xiàn)了在不造成損壞的情況下從載體去除薄片。具體來說，從實(shí)施例4a-4e看出，載體分別具有大于40mJ/m2的表面能，其有助于初始室溫粘結(jié)，從而使得制品經(jīng)受住真空和SRD加工。但是，實(shí)施例4a和4b沒有通過600℃加工測(cè)試。如上文所述，對(duì)于某些應(yīng)用，使得粘結(jié)經(jīng)受住高溫加工(對(duì)于制品設(shè)計(jì)使用來說合適的工藝，例如，≥400℃、≥500℃或≥600℃、高至650℃)，并且不使得粘結(jié)劣化至不足以將薄片和載體保持在一起，以及控制此類高溫下發(fā)生的共價(jià)鍵合從而在薄片和載體之間不存在永久鍵合也是重要的。如表4中的例子所示，芳族硅烷(具體來說，苯基硅烷)可用于提供受控鍵合，其會(huì)有助于初始室溫粘結(jié)，以及會(huì)耐受高溫加工并且仍然允許在不造成損壞的情況下從載體去除薄片。上文所述的實(shí)施例4、3和2中的分離是在室溫下進(jìn)行的，沒有加入任意其他熱能或化學(xué)能來改性薄片和載體之間的粘結(jié)界面。僅有的能量輸入是機(jī)械牽拉和/或剝離力。可以將如上實(shí)施例3和4中所述的材料施加到載體、薄片，或者同時(shí)施加到載體和薄片表面，將它們粘結(jié)在一起。脫氣用于典型晶片粘結(jié)應(yīng)用的聚合物粘合劑通常厚10-100微米，在其溫度限或溫度限附近損失其質(zhì)量的約5％。對(duì)于從厚的聚合物膜發(fā)展來的此類材料，容易通過質(zhì)譜對(duì)質(zhì)量損耗或脫氣進(jìn)行定量化。另一方面，測(cè)量厚度小于或等于約10nm的薄表面處理的脫氣更具有挑戰(zhàn)性，例如上文所述的等離子體聚合物或自裝配單層表面改性層以及熱解硅油的薄層。對(duì)于此類材料，質(zhì)譜的靈敏度不夠。但是，存在許多其他方式來測(cè)量脫氣。測(cè)量少量脫氣的第一種方式是基于表面能測(cè)量，將參照?qǐng)D6進(jìn)行描述。為了進(jìn)行該測(cè)試，可以使用如圖6所示的設(shè)定。其上具有待測(cè)試的表面改性層的第一基材或載體900存在表面902，即對(duì)應(yīng)于待測(cè)試的表面改性層30的組成和厚度的表面改性層。放置第二基材或覆蓋910，使其表面912緊密靠近載體900的表面902，但是不與其發(fā)生接觸。表面912是未涂覆的表面，即制得覆蓋的材料的裸表面。在載體900和覆蓋910之間的各點(diǎn)處放置隔離物，從而將它們保持分開的關(guān)系。隔離物應(yīng)該足夠厚，從而將覆蓋910與載體900分開，以實(shí)現(xiàn)材料的相互移動(dòng)，但是隔離物應(yīng)該足夠薄從而在測(cè)試期間，室氣氛對(duì)于表面902和912的污染量被最小化。載體900、隔離物920和覆蓋910一起形成測(cè)試制品901。在組裝測(cè)試制品901之前，測(cè)量裸表面912的表面能，作為表面902(即其上提供有表面改性層的載體900的表面)的表面能。表面能如圖7所示，通過將三種測(cè)試液體(水、二碘甲烷和十六烷)的三個(gè)接觸角與S.Wu(1971)建立的理論模型擬合，來同時(shí)測(cè)量極性分量和色散分量。(參見S.Wu，J.Polym.Sci.C,34,19,1971)在組裝之后，將測(cè)試制品901放入加熱室930中，加熱通過時(shí)間-溫度循環(huán)。在大氣壓和流動(dòng)N2氣體(即，以箭頭940的方向，以2標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘的速率流動(dòng))條件下，進(jìn)行加熱。在加熱循環(huán)過程中，表面902的變化(包括由于例如蒸發(fā)、熱解、分解、聚合、與載體反應(yīng)以及去濕導(dǎo)致的表面改性層的變化)通過表面902的表面能的變化得以證實(shí)。表面902的表面能自身的變化不一定意味著表面改性層已經(jīng)發(fā)生脫氣，但是表明的是材料在該溫度下的整體不穩(wěn)定性，因?yàn)橛捎诶缟衔乃龅臋C(jī)制導(dǎo)致其特性的變化。因此，表面902的表面能變化越小，表面改性層越穩(wěn)定。另一方面，因?yàn)楸砻?12與表面902的緊密接近，從表面902脫氣的任意材料會(huì)被收集在表面912上并會(huì)改變表面912的表面能。因此，表面912的表面能的變化是表面902上存在的表面改性層的脫氣的代理。因此，脫氣的一種測(cè)試使用覆蓋表面912的表面能的變化。具體來說，如果表面912的表面能的變化≥10mJ/m2，則存在脫氣。該大小的表面能變化與會(huì)導(dǎo)致膜粘附損失或者材料性質(zhì)和裝置性能裂化的污染相符合?！?mJ/m2的表面能變化接近于表面能測(cè)量的可重復(fù)性和表面能的不均勻性。該小的變化與最小脫氣相符合。在產(chǎn)生圖7的結(jié)果的測(cè)試中，載體900、覆蓋910和隔離物920由EagleXG玻璃(購自紐約州康寧市康寧有限公司的無堿性鋁硼硅酸鹽顯示器等級(jí)玻璃)制得，但是不一定是這種情況。載體900和覆蓋910的直徑為150mm，厚為0.63mm。通常，載體910和覆蓋920分別是由希望進(jìn)行脫氣測(cè)試的載體10和薄片20的相同材料制得的。在該測(cè)試過程中，硅隔離物厚0.63mm、寬2mm且長8cm，從而在表面902和912之間形成0.63mm的間隙。在該測(cè)試過程中，在MPT-RTP600s快速熱加工設(shè)備中整合室930，其以9.2℃/分鐘的速率從室溫循環(huán)至測(cè)試限溫度，在該測(cè)試限溫度保持如圖“退火時(shí)間”所示的各種時(shí)間，然后以爐速率冷卻至200℃。在烘箱冷卻至200℃之后，取出測(cè)試制品，在測(cè)試制品冷卻至室溫之后，再次分別測(cè)量表面902和912的表面能。因此，舉例來說，對(duì)于材料#1，線1003，測(cè)試到限值溫度450℃的覆蓋表面能的變化數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)收集如下。0分鐘的數(shù)據(jù)點(diǎn)顯示75mJ/m2(毫焦每平方米)的表面能，其是裸玻璃(即還沒有進(jìn)行時(shí)間-溫度循環(huán))的表面能。1分鐘的數(shù)據(jù)點(diǎn)表明進(jìn)行了如下時(shí)間-溫度循環(huán)之后測(cè)得的表面能：將(在載體900上具有材料#1用作表面改性層以存在表面902的)制品901放入室溫和大氣壓下的加熱室903中；以9.2℃/分鐘的速率將室加熱至450℃的測(cè)試限溫度，N2氣體流量為2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘，以及在450℃的測(cè)試限溫度保持1分鐘；然后以1℃/分鐘的速率將室冷卻至300℃，然后從室930取出制品901；然后(在沒有N2流動(dòng)氣氛的情況下)將制品冷卻至室溫；然后測(cè)量表面912的表面能，并繪制作為線1003上1分鐘的點(diǎn)。然后以相同的方式確定材料#1余下的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1003、1004)以及材料#2的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1203、1204)、材料#3的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1303、1304)、材料#4的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1403、1404)、材料#5的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1503、1504)以及材料#6的數(shù)據(jù)點(diǎn)(線1603和1604)，退火時(shí)間(分鐘)對(duì)應(yīng)于測(cè)試限溫度(450℃或600℃，合適即可)的保持時(shí)間。以類似的方式確定表示表面改性層材料(材料#1-6)的表面902的表面能的線1001、1201、1202、1301、1302、1401、1402、1501、1502、1601和1602的數(shù)據(jù)點(diǎn)，不同之處在于，在每次時(shí)間-溫度循環(huán)之后測(cè)量表面902的表面能。對(duì)于如下所示的6種不同材料進(jìn)行上述組裝過程和時(shí)間-溫度循環(huán)，結(jié)果如圖7所示。在6種材料中，材料#1-4對(duì)應(yīng)上文所述的表面改性層材料。材料#5和#6是比較例。材料#1是CHF3-CF4等離子體聚合的含氟聚合物。該材料與上文的實(shí)施例3b中的表面改性層材料一致。如圖7所示，線1001和1002顯示載體的表面能沒有明顯變化。因此，該材料在450-600℃的溫度時(shí)非常穩(wěn)定的。此外，如線1003和1004所示，覆蓋的表面能也沒有明顯變化，即變化≤5mJ/m2。因此，在450-600℃，沒有與該材料相關(guān)的脫氣。材料#2是苯基硅烷，從1％的苯基三乙氧基硅烷的甲苯溶液沉積，并在190℃的真空烘箱中固化30分鐘的自裝配單層(SAM)。該材料與上文的實(shí)施例4c中的表面改性層材料一致。如圖7所示，線1201和1202表明載體上的表面能的部分變化。如上所述，這表明表面改性層的部分變化，作為對(duì)比，材料#2稍微沒有材料#1那么穩(wěn)定。但是，如線1203和1204所示，載體的表面能的變化≤5mJ/m2，顯示表面改性層的變化沒有導(dǎo)致脫氣。材料#3是五氟苯基硅烷，從1％的五氟苯基三乙氧基硅烷的甲苯溶液沉積，并在190℃的真空烘箱中固化30分鐘的SAM。該材料與上文的實(shí)施例4e中的表面改性層材料一致。如圖7所示，線1301和1302表明載體上的表面能的部分變化。如上所述，這表明表面改性層的部分變化，作為對(duì)比，材料#3稍微沒有材料#1那么穩(wěn)定。但是，如線1303和1304所示，載體的表面能的變化≤5mJ/m2，顯示表面改性層的變化沒有導(dǎo)致脫氣。材料#4是在140℃的YESHMDS烘箱中，從蒸汽沉積的六甲基二硅氮烷(HMDS)。該材料與上文表2的實(shí)施例2b中的表面改性層材料一致。如圖7所示，線1401和1402表明載體上的表面能的部分變化。如上所述，這表明表面改性層的部分變化，作為對(duì)比，材料#4稍微沒有材料#1那么穩(wěn)定。此外，材料#4的載體的表面能變化大于任意材料#2和#3的表面能變化，作為對(duì)比，表明材料#4稍微沒有材料#2和#3那么穩(wěn)定。但是，如線1403和1404所示，載體的表面能的變化≤5mJ/m2，顯示表面改性層的變化沒有導(dǎo)致影響覆蓋的表面能的脫氣。但是，這與HMDS脫氣的方式相一致。也就是說，HMDS脫氣出氨和水，其不影響覆蓋的表面能，不會(huì)影響一些電子制造設(shè)備和/或工藝。另一方面，當(dāng)在薄片和載體之間俘獲了脫氣產(chǎn)物時(shí)，可能存在其他問題，如下文關(guān)于第二種脫氣測(cè)試所述。材料#5是縮水甘油氧代丙基硅烷(glycidoxypropylsilane)，從1％的縮水甘油氧代丙基三乙氧基硅烷的甲苯溶液沉積，并在190℃的真空烘箱中固化30分鐘的SAM。這是比較例材料。雖然如線1501和1502所示，載體的表面能變化較小，但是如線1503和1504所示，覆蓋的表面能變化明顯。也就是說，雖然材料#5在載體表面上較為穩(wěn)定，但是其確實(shí)脫氣出了顯著量的材料到覆蓋表面上，從而覆蓋表面能變化≥10mJ/m2。雖然表面能在600℃的10分鐘的結(jié)束時(shí)處于10mJ/m2之內(nèi)，但是在該期間的變化確實(shí)超過10mJ/m2。參見例如，1分鐘和5分鐘的數(shù)據(jù)點(diǎn)。雖然不希望受到理論的限制，表面能從5分鐘到10分鐘的略微上升可能是由于部分的脫氣材料分解并離開覆蓋表面。材料#6是DC704，通過如下方式制備的硅酮涂料：將5mL的道康寧公司(DowCorning)704擴(kuò)散泵油四甲基四苯基三硅氧烷(購自道康寧公司)分散到載體上，將其放置在空氣中的500℃的熱盤上，持續(xù)8分鐘。將視覺可見冒煙的終止計(jì)作樣品制備的完成。在以上文所述的方式制備樣品之后，進(jìn)行上文所述的脫氣測(cè)試。這是比較例材料。如圖7所示，線1601和1602表明載體上的表面能的部分變化。如上所述，這表明表面改性層的部分變化，作為對(duì)比，材料#6沒有材料#1那么穩(wěn)定。此外，如線1603和1604所示，載體的表面能變化≥10mJ/m2，顯示明顯的脫氣。更具體來說，在450℃的測(cè)試限溫度，10分鐘的數(shù)據(jù)點(diǎn)顯示表面能下降約15mJ/m2，對(duì)于1分鐘和5分鐘的數(shù)據(jù)點(diǎn)，表面能下降更多。類似地，在600℃測(cè)試限溫度的循環(huán)過程中，對(duì)于覆蓋的表面能變化，在10分鐘數(shù)據(jù)點(diǎn)的覆蓋的表面能下降約為25mJ/m2，略大于5分鐘，略小于1分鐘。但是，總的來說，該材料在整個(gè)測(cè)試范圍顯示出明顯的脫氣量。明顯地，對(duì)于材料#1-4，整個(gè)時(shí)間-溫度循環(huán)的表面能表明覆蓋表面保持與裸玻璃相一致的表面能，即沒有收集到從載體表面脫氣的材料。在材料#4的情況下，如關(guān)于表2所述，載體和薄片表面的制備方式(通過表面改性層使得薄片與載體粘結(jié)在一起)使得制品能否經(jīng)受住FPD加工具有大差異。因此，雖然圖7所示的材料#4的例子可能沒有脫氣，但是該材料可能經(jīng)受住或者經(jīng)受不住400℃或600℃測(cè)試，如關(guān)于表2所述。測(cè)量少量脫氣的第二種方式是基于自裝配制品，即，通過表面改性層將薄片與載體粘結(jié)，使用百分比氣泡面積的變化來確定脫氣。也就是說，在制品的加熱過程中，在載體和薄片之間形成的氣泡表明表面改性層的脫氣。如上文關(guān)于第一脫氣測(cè)試所述，難以測(cè)量非常薄的表面改性層的脫氣。在該第二種測(cè)試中，薄片下的脫氣可能受到薄片和載體之間的強(qiáng)粘合的限制。但是，≤10nm的層厚(例如等離子體聚合的材料、SAM和熱解硅油表面處理)仍然可能在熱處理過程中產(chǎn)生氣泡，即使它們具有較小的絕對(duì)質(zhì)量損耗。并且在薄片和載體之間產(chǎn)生氣泡可能導(dǎo)致圖案產(chǎn)生的問題、光刻加工的問題和/或?qū)⑵骷庸さ奖∑系倪^程中的對(duì)準(zhǔn)問題。此外，薄片和載體之間的粘結(jié)區(qū)域的邊界處的氣泡可能導(dǎo)致來自一個(gè)工藝的加工流體污染下游工藝的問題。氣泡面積百分比變化≥5是明顯的，表明脫氣，并且是不合乎希望的。另一方面，氣泡面積百分比變化≤1是不明顯的，表明不存在脫氣。手動(dòng)粘結(jié)的1000級(jí)別的清潔室中，粘結(jié)的薄玻璃的平均氣泡面積為1％。粘結(jié)載體中的％氣泡與載體、薄片和表面制備的清潔度有關(guān)。因此這些初始缺陷起了熱處理之后的氣泡生產(chǎn)的成核點(diǎn)位的作用，熱處理之后，氣泡面積小于1％的任意變化落在樣品制備的可變性范圍內(nèi)。為了進(jìn)行該測(cè)試，使用市售可得的具有透明單元的桌面掃描儀(愛普生快速10000XL照相(EpsonExpression10000XLPhoto))來得到緊接粘結(jié)之后的薄片和載體的粘結(jié)區(qū)域的第一張掃描圖像。采用標(biāo)準(zhǔn)愛普生軟件，使用508dpi(50微米/像素)和24bit(比特)RGB對(duì)部件進(jìn)行掃描。如果需要的話，圖像加工軟件首先通過將樣品的不同區(qū)段的圖像縫合成單個(gè)圖像并(通過在掃描儀中沒有樣品的情況下掃描的校準(zhǔn)參照)去除掃描儀人工制品來制備圖像。然后采用標(biāo)準(zhǔn)圖像加工技術(shù)，例如取閾值、填孔、侵蝕/膨脹和污點(diǎn)分析，對(duì)粘結(jié)區(qū)域進(jìn)行分析。也可以相似的方式使用較新的愛普生快速11000XL照相。在透射模式中，粘結(jié)區(qū)域中的氣泡在掃描圖像中是視覺可見的，可以確定氣泡面積的值。然后，將氣泡面積與總粘結(jié)面積(即，薄片和載體之間的總重疊面積)對(duì)比，以計(jì)算粘結(jié)區(qū)域中的氣泡相對(duì)于總粘結(jié)面積的％面積。然后在N2氣氛下，以300℃、450℃和600℃的測(cè)試限溫度，在MPT-RTP600s快速熱加工系統(tǒng)中對(duì)樣品進(jìn)行熱處理，持續(xù)高至10分鐘。具體來說，所進(jìn)行的時(shí)間-溫度循環(huán)包括如下：將制品插入到室溫和大氣壓的加熱室中；然后以9℃/分鐘的速率將室加熱至測(cè)試限溫度；將室在測(cè)試限溫度保持10分鐘；然后以爐速率將室冷卻至200℃；從室去除制品并冷卻至室溫；然后用光學(xué)掃描儀第二次掃描制品。然后如上所述計(jì)算第二次掃描的％氣泡面積，并與第一次掃描的％氣泡面積進(jìn)行對(duì)比，以確定％氣泡面積的變化(Δ％氣泡面積)。如上文所述，≥5％的氣泡面積變化是明顯的，表明脫氣。由于原始％氣泡面積的變化性，因此將％氣泡面積變化選作測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)。也就是說，在薄片與載體制備之后以及在它們粘結(jié)之前，由于處理和清潔度，導(dǎo)致大部分的表面改性層在第一次掃描中具有約2％的氣泡面積。但是，各種材料之間可能存在變化。在該第二種脫氣測(cè)試方法中，再次使用關(guān)于第一種脫氣測(cè)試方法所述的相同材料#1-6。在這些材料中，材料#1-4在第一次掃描中展現(xiàn)出約為2％的氣泡面積，而材料#5和#6在第一次掃描中顯示出明顯更大的氣泡面積，即約為4％。下面將參見圖8和9描述第二種脫氣測(cè)試的結(jié)果。材料#1-3的脫氣測(cè)試結(jié)果如圖8所示，而材料#4-6的脫氣測(cè)試結(jié)果如圖9所示。材料#1的結(jié)果在圖8中顯示為正方形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，對(duì)于300℃、450℃和600℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化接近零。因此，材料#1在這些溫度下沒有顯示出脫氣。材料#2的結(jié)果在圖8中顯示為菱形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，對(duì)于450℃和600℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化小于1。因此，材料#2在這些溫度下沒有顯示出脫氣。材料#3的結(jié)果在圖8中顯示為三角形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，類似于材料#1的結(jié)果，對(duì)于300℃、450℃和600℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化接近零。因此，材料#1在這些溫度下沒有顯示出脫氣。材料#4的結(jié)果在圖9中顯示為圓形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，對(duì)于300℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化接近零，但是對(duì)于某些樣品，在450℃和600℃的測(cè)試限溫度，其接近1％，對(duì)于相同材料的其他樣品，在450℃和600℃的測(cè)試限溫度，其約為5％。材料#4的結(jié)果是非常不一致的，取決于與HMDS材料粘結(jié)的薄片和載體表面的制備方式。樣品所進(jìn)行的方式取決于樣品制備的方式，其與上表2所述的關(guān)于該材料的實(shí)施例和相關(guān)討論相一致。應(yīng)注意的是，對(duì)于該材料，在450℃和600℃測(cè)試限溫度具有接近1％的氣泡面積變化的樣品無法實(shí)現(xiàn)根據(jù)上文所述的分離方法來分離薄片和載體。也就是說，薄片和載體之間的強(qiáng)粘合可能具有有限的氣泡產(chǎn)生。另一方面，具有接近5％的氣泡面積變化的樣品確實(shí)允許薄片和載體的分離。因此，不具有脫氣的樣品在溫度處理之后具有不合乎希望的粘合增加的結(jié)果，其使得載體和薄片粘在一起(阻礙了從載體去除薄片)，而允許薄片和載體去除的樣品具有不合乎希望的脫氣結(jié)果。材料#5的結(jié)果在圖9中顯示為三角形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，對(duì)于300℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化約為15％，大于450℃和600℃的較高測(cè)試限溫度的情況。因此，材料#5在這些溫度下顯示出脫氣。材料#6的結(jié)果在圖9中顯示為正方形數(shù)據(jù)點(diǎn)。從圖中可以看出，對(duì)于300℃的測(cè)試限溫度，％氣泡面積變化超過2.5％，對(duì)于450℃和600℃的測(cè)試限溫度，其超過5％。因此，材料#6在450℃和600℃的測(cè)試限溫度顯示出明顯的脫氣。用于制造電子器件本文所述的受控粘結(jié)的一種用途是制造制品，包括具有載體和與其粘結(jié)的薄片的那些，其進(jìn)而被用于制造電子器件，例如，TFT、OLED(包括有機(jī)發(fā)光材料)、PV器件、觸摸傳感器、插入物、集成電路、電阻器-電容器電路和顯示器。在任意情況中，現(xiàn)有設(shè)計(jì)用于較厚片材的電子器件加工設(shè)備可用于對(duì)玻璃制品進(jìn)行加工，從而將電子器件組件或者部分電子器件布置在制品的片材上。應(yīng)該將電子器件組件布置在薄片與載體通過上文所述的受控粘結(jié)進(jìn)行粘結(jié)的部分上，從而甚至是在加工至制造電子器件所需的溫度之后仍然可以從載體分離薄片。器件加工可包括在≥400℃、≥500℃、≥600℃或者高至650℃的溫度，以及例如在一些情況下，高至700℃的溫度下進(jìn)行加工。如上文所述，可以選擇合適的表面改性層，從而使得薄片保持能夠從載體去除(甚至是在加工至此類溫度之后)，至少不損壞薄片，優(yōu)選對(duì)薄片和載體都不造成損壞。為此，可以在任意數(shù)量的步驟中布置任意數(shù)量的電子器件組件，直至電子器件完成或者處于合適的中間階段。制品可以在電子器件加工之前進(jìn)行組裝，或者可以組建成電子器件制造工藝的一部分。器件加工可包括保持制品完好通過整個(gè)器件加工，或者可包括在過程中的一處或多處對(duì)制品進(jìn)行切割。例如，器件加工可包括：在制品上形成一個(gè)電子器件組件，然后將制品切割成兩個(gè)或更多個(gè)部分，然后使其經(jīng)受進(jìn)一步加工，即，在片材上布置額外的電子器件的組件，或者在片材的之前步驟中的沉積所存在的電子器件組件上布置額外的電子器件的組件。可以完成切割步驟，使得制品的每個(gè)部分包括與載體保持粘結(jié)的一部分薄片，或者使得僅被切割部分的子集包括此類排布。在任意經(jīng)切割部分中，在該部分中的薄片的整個(gè)面積可保持與該部分中的載體的整個(gè)面積粘結(jié)。在器件加工至完成或者中間階段之后，可以從載體去除器件和其上布置了所述器件的薄片的部分?？梢哉w去除薄片，或者可以從剩余部分分離其部分，并從載體去除該部分。可以從制品以其整體去除，或者從由其切割的一個(gè)或多個(gè)部分進(jìn)行去除。用于在半導(dǎo)體和/或插入物加工中對(duì)薄晶片進(jìn)行加工經(jīng)由表面改性層的受控粘結(jié)(包括材料和相關(guān)粘結(jié)表面熱處理)的另一個(gè)用途是在載體上使用薄片，從而在需要溫度≥400℃(例如，≥450℃、≥500℃、≥550℃、≥600℃)的工藝(例如，F(xiàn)EOL工藝)中對(duì)薄片進(jìn)行加工。也就是說，薄片可以是厚度無需進(jìn)行稍后薄化的情況下進(jìn)行加工的晶片。如上文實(shí)施例2e、3a、3b、4c、4d和4e所示意，表面改性層(包括材料和粘結(jié)表面熱處理)可以用于提供此類溫度條件下的載體的再利用。具體來說，這些表面改性層可以被用于對(duì)薄片和載體的粘結(jié)區(qū)域之間重疊區(qū)域的表面能進(jìn)行改性，從而可以在加工之后從載體分離整個(gè)薄片?？梢砸淮涡苑蛛x整個(gè)薄片，或者可以分區(qū)段地分離薄片，例如，首先去除部分薄片上產(chǎn)生的器件，然后去除任意余下部分，對(duì)載體進(jìn)行清潔用于例如再次使用。在從載體去除整個(gè)薄片的情況下，如作為整體去除薄片，或者去除薄片經(jīng)切割的區(qū)段(其加合作為整個(gè)薄片)，可以簡單地通過在其上放置另一個(gè)薄片來再次使用載體?；蛘?，可以對(duì)載體進(jìn)行清潔，并且通過再次形成表面改性層再一次地準(zhǔn)備承載薄片。因?yàn)楸砻娓男詫臃乐沽吮∑c載體的永久粘結(jié)，它們可以被用于溫度≥600℃的加工。當(dāng)然，雖然這些表面改性層可以控制溫度≥600℃的加工過程中的粘結(jié)表面能，但是它們也可用于產(chǎn)生這樣的薄片和載體組合，該組合會(huì)經(jīng)受住較低溫度(例如，溫度≥400℃，諸如≥450℃、≥500℃、≥550℃)下的加工，并且可用于此類較低溫度的應(yīng)用來控制粘結(jié)而不發(fā)生脫氣(在實(shí)施例3a、3b、4c、4d和4e的材料的情況下)，例如用于BEOL加工。此外，當(dāng)制品的熱加工不會(huì)超過400℃時(shí)，也可以這種方式使用實(shí)施例2c、2d、4b所示意的表面改性層。薄片可以是多晶硅或單晶硅晶片、硅晶片、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、石英、藍(lán)寶石，厚度≤200微米，并且可以在例如≥500℃的溫度進(jìn)行加工，從而在FEOL加工中，在其上形成RC電路、IC或者其他電子器件。在FEOL加工之后，可以在不損壞電子器件的情況下，容易地從載體去除晶片。但是，在去除之前，晶片可經(jīng)受其他較低溫度的加工，例如，在BEOL加工中那樣。經(jīng)由表面改性層(包含材料和相關(guān)的粘結(jié)表面熱處理)的受控粘結(jié)的第二個(gè)用途是制造插入物。更具體地，通過使用表面改性層，可以形成受控粘結(jié)區(qū)域，其中，足夠的分離作用力可以將薄片(或其部分)與載體分離而不會(huì)由于粘結(jié)造成薄片或載體的損壞，但是在整個(gè)加工中仍然維持足夠的粘結(jié)力將薄片相對(duì)于載體保持在一起。在此情況下，薄片是插入物，其可以是由任意合適材料(包括例如硅、多晶硅、單晶硅、玻璃、陶瓷、玻璃-陶瓷、石英)制造的晶片，并且其厚度可以是例如≤200微米。下面將參考圖10-12描述插入物的例子及其制造。參見圖10，可以通過受控粘結(jié)區(qū)域40使得薄片20與載體10粘結(jié)。在該實(shí)施方式中，載體10可以是玻璃基材或者具有與玻璃相似表面能的其他合適材料，例如，硅、多晶硅、單晶硅、陶瓷、玻璃-陶瓷、藍(lán)寶石或石英。使用玻璃基材的優(yōu)點(diǎn)在于，可以以較低成本獲得具有最小厚度變化的平坦片材，避免了對(duì)于昂貴載體基材的需求。此外，對(duì)于玻璃而言，可以在成本有效的方式實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。也就是說，可以非常廉價(jià)地制造厚度非常均勻的玻璃基材，并用作載體。但是，具有了本文的表面改性層，載體無需是具有低的總厚度變化的高精度載體，這是對(duì)于晶片需要薄化至最終厚度的情況而言。也就是說，當(dāng)載體上的晶片會(huì)進(jìn)行薄化時(shí)，載體對(duì)于總厚度變化必須具有非常嚴(yán)格的控制，因?yàn)檩d體的任意變化會(huì)在薄化之后呈現(xiàn)在經(jīng)過薄化的晶片上。具有了本文的表面改性層，其能夠允許當(dāng)晶片已經(jīng)處于最終厚度時(shí)在晶片上形成器件，載體的總厚度變化就沒有那么重要了。在該實(shí)施方式中，薄片20用于形成插入物56。片材可以是硅，包括例如多晶硅或單晶硅晶片、石英、藍(lán)寶石、陶瓷或玻璃。片材20的厚度可以≤200微米。插入物56分別具有周界52和孔陣列50，其中，陣列50具有周界57。雖然顯示了10個(gè)插入物56，但是可以在一塊薄片20上布置任意合適數(shù)量(包括一個(gè))插入物。出于方便顯示，顯示每個(gè)插入物56僅具有一個(gè)孔陣列50，但是不一定是這種情況；作為替代，插入物56可以具有不止一個(gè)陣列50。此外，雖然顯示每個(gè)插入物具有相同的陣列數(shù)量50，但是不一定是這種情況；任意數(shù)量(包括零)的插入物可以具有相同的陣列數(shù)量50。此外，雖然陣列50通常會(huì)具有相同數(shù)量和式樣的孔，但是不一定是這種情況。出于方便顯示，僅在插入物56中的一個(gè)的僅一個(gè)陣列50中顯示孔60，但是不一定是這種情況；即，余下的插入物56的任意一個(gè)或多個(gè)可具有一個(gè)或多個(gè)孔60的陣列50。現(xiàn)參見圖11，其是沿圖10中的線11-11的橫截面圖?？?0可包括通孔或盲孔，即在片材20的厚度中終止的孔?？?0具有直徑62，并且是以節(jié)距64間隔開。雖然顯示直徑62是相同的，但是不一定是這種情況；即，在一個(gè)插入物56上的一個(gè)陣列50或者不同陣列50中可以存在不同直徑的孔。例如，直徑62可以是5-150微米。類似地，雖然孔62是以相同的節(jié)距64間隔開，但是不一定是這種情況；即，在一個(gè)陣列50中，或者在一個(gè)插入物上的不同陣列50中，或者在一片薄片20的不同插入物中，可以存在不同節(jié)距。例如，節(jié)距可以使得每平方毫米存在1-20個(gè)孔，并且這會(huì)取決于插入物的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。此外，孔60的任意一個(gè)或多個(gè)中可以存在材料61。材料61可以是導(dǎo)電材料、電絕緣材料，或其組合。例如，可以在孔的周界上(即，在其外直徑62處)形成導(dǎo)電材料，并且可以使用不同的導(dǎo)電材料或者絕緣材料來填充孔的余下部分?，F(xiàn)參見圖12，其類似于圖11，但是在插入物56上布置了器件/結(jié)構(gòu)，并且與孔60相連。如圖12所示，器件66可以布置在多個(gè)孔60上，并其與相連。器件66可以包括集成電路；MEMS；微傳感器；功率半導(dǎo)體；發(fā)光二極管；光子電路；CPU；SRAM；DRAM,eDRAM；ROM，EEPROM；閃存；插入物；嵌入式無源器件；以及制造在硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵上或者由硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵制造的微器件。雖然僅顯示了一個(gè)器件66，但是在一個(gè)插入物56上可以有任意合適數(shù)量的器件66，包括器件陣列56?；蛘?，可以在僅僅一個(gè)孔60上布置結(jié)構(gòu)68，并與其相連。結(jié)構(gòu)68可包括：焊接凸起；金屬柱狀物；金屬柱；互聯(lián)路徑；互聯(lián)線；絕緣氧化物層；以及由選自下組的材料形成的結(jié)構(gòu)：硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金屬(例如，Cu、Al、W)、低k電介質(zhì)、聚合物電介質(zhì)、金屬氮化物和金屬硅化物。雖然僅顯示了一個(gè)結(jié)構(gòu)68，但是在一個(gè)插入物56上可以有任意合適數(shù)量的結(jié)構(gòu)68，包括結(jié)構(gòu)陣列56。此外，可以在器件66上布置一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)68。在受控粘結(jié)區(qū)域40中，載體10和薄片20相互粘結(jié)，從而在交疊的整個(gè)區(qū)域上，載體10和薄片20連接，但是可以相互分離，甚至是在高溫加工之后(例如，溫度≥400℃，例如≥450℃、≥500℃、≥550℃、≥600℃，以及高至約650℃或者在一些情況下到達(dá)700℃的加工)。如上文實(shí)施例2a、2e、3a、3b、4c、4d和4e所示意，表面改性層30(包括材料和粘結(jié)表面熱處理)可以用于提供載體10和薄片20之間的受控粘結(jié)區(qū)域40。具體來說，可以在載體10上或者在薄片20上的陣列50的周界52內(nèi)形成這些表面改性層。因此，在器件加工過程中，當(dāng)在高溫下加工制品2時(shí)，可以在周界52限定的區(qū)域內(nèi)，在載體10和薄片20之間提供受控粘結(jié)，從而分離作用力可以分離該區(qū)域內(nèi)的薄片和載體(而不造成薄片或載體的災(zāi)難性損壞)，但是薄片和載體不會(huì)在加工過程(包括超聲加工)中發(fā)生分層。此外，因?yàn)楸砻娓男詫拥姆浅Ｐ〉暮穸?，即小?00納米、小于40納米、小于10納米，以及在一些情況下，約為2納米，由于晶片和表面改性層之間的CTE失配沒有對(duì)晶片造成影響(而這是較厚的粘合層中的情況，即，大于或等于約40-60微米)。此外，當(dāng)需要限制薄片和載體之間的脫氣時(shí)，可以使用實(shí)施例3b、4c和4e的表面改性層材料。然后，在具有周界52的插入物56(每個(gè)分別具有孔60的陣列50)的抽取過程中，可以在加工之后以及在薄片沿著周界52分離之后，使得薄片20在周界52內(nèi)的部分簡單地與載體10分離。或者，薄片20(或者薄片20和載體10這兩者)可以沿著線5進(jìn)行切割，從而可以從載體10去除比插入物56周界52大的薄片20的區(qū)段，或者載體10的區(qū)段如同載體與薄片20一起被切割的情況那樣。因?yàn)楸砻娓男詫涌刂屏苏辰Y(jié)能來防止薄片與載體的永久粘結(jié)，它們可以被用于溫度≥600℃的加工。當(dāng)然，雖然這些表面改性層可以控制溫度≥600℃的加工過程期間的粘結(jié)表面能，但是它們也可用于產(chǎn)生這樣的薄片和載體組合，該組合能夠經(jīng)受住較低溫度(例如，溫度≥400℃，諸如≥450℃、≥500℃、≥550℃)下的加工，并且可用于此類較低溫度的應(yīng)用。此外，當(dāng)制品的熱加工不會(huì)超過400℃時(shí)，在某些情況下，取決于其他工藝要求，也可以這種方式使用實(shí)施例2c、2d、4b所示意的表面改性層以控制粘結(jié)表面能。此外，如上文所述，實(shí)施例3b、4c和4e的表面改性層材料可用于關(guān)心薄片和載體之間的脫氣的情況。結(jié)論應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)，本發(fā)明上述實(shí)施方式、特別是任意“優(yōu)選的”實(shí)施方式，僅僅是可能實(shí)現(xiàn)的例子，僅用來清楚理解本發(fā)明的各個(gè)原理?？梢詫?duì)本發(fā)明的上文所述的實(shí)施方式進(jìn)行許多改變和改進(jìn)，而不明顯背離本發(fā)明的精神和各個(gè)原理。所有這些改變和改進(jìn)旨在包括在本文和本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且受到如下附權(quán)利要求書的保護(hù)。例如，雖然許多實(shí)施方式所示和所述的表面改性層30是形成在載體10上的，但是作為替代或補(bǔ)充，其可以是形成在薄片20上的。也就是說，可以將實(shí)施例4和3所述的材料施加到載體10和/或薄片20的將要粘結(jié)在一起的面上。此外，雖然一些表面改性層30描述為控制粘結(jié)強(qiáng)度從而允許甚至在400℃(或600℃)的溫度下對(duì)制品2進(jìn)行加工之后從載體10去除薄片20，但是當(dāng)然也可以在比制品通過的具體測(cè)試低的那些溫度下加工制品2，并且仍然實(shí)現(xiàn)從載體10去除薄片20而不造成薄片20或載體10損壞的相同能力。此外，雖然本文采用載體和薄片描述了受控粘結(jié)的概念，但是在某些情況下，它們適用于控制較厚的玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷片之間的粘結(jié)，其中可能希望片材(或其部分)相互分離。此外，雖然本文描述了受控粘結(jié)概念可用于玻璃載體和玻璃薄片，但是載體也可由其他材料(例如，陶瓷、玻璃陶瓷或金屬)制成。類似地，與載體受控粘結(jié)的片材可以由其他材料(例如陶瓷或玻璃陶瓷)制成。當(dāng)前第1頁1 2 3