1.一種制品，所述制品包括：
具有載體粘結(jié)表面的載體；
其中具有至少一個(gè)孔的片材，所述片材還包括片材粘結(jié)表面；
表面改性層；
所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有以下至少一種特性：
(i)在使得所述制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后，所述載體和片材不發(fā)生相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況，以及所述片材可以與所述載體發(fā)生分離，所述載體和所述片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊，這是當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)的情況；所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到500℃，在500℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從所述室取出所述制品并使得所述制品冷卻至室溫；以及
(ii)在使得所述制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后，所述載體和片材不發(fā)生相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況，根據(jù)測試#2沒有來自所述表面改性層的脫氣，以及所述片材可以與所述載體發(fā)生分離，所述載體和所述片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊，這是當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)的情況；所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到400℃，在400℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從所述室取出所述制品并使得所述制品冷卻至室溫。
2.如權(quán)利要求1所述的制品，其特征在于，所述片材包括硅、石英、藍(lán)寶石、陶瓷或玻璃。
3.一種制品，所述制品包括：
具有載體粘結(jié)表面的載體；
晶片片材，其包括≤200微米的厚度，所述片材還包括片材粘結(jié)表面，所述片材包括硅、石英或藍(lán)寶石；
表面改性層；
所述載體粘結(jié)表面與所述片材粘結(jié)表面粘結(jié)，所述表面改性層位于其間，其中，所述表面改性層具有以下至少一種特性：
(i)在使得所述制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后，所述載體和片材不發(fā)生相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況，以及所述片材可以與所述載體發(fā)生分離，所述載體和所述片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊，這是當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)的情況；所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到500℃，在500℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從所述室取出所述制品并使得所述制品冷卻至室溫；以及
(ii)在使得所述制品經(jīng)受如下溫度循環(huán)之后，所述載體和片材不發(fā)生相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況，根據(jù)測試#2沒有來自所述表面改性層的脫氣，以及所述片材可以與所述載體發(fā)生分離，所述載體和所述片材中較薄的那個(gè)沒有破裂成兩塊或者更多塊，這是當(dāng)在室溫下進(jìn)行分離時(shí)的情況；所述溫度循環(huán)是通過如下方式進(jìn)行的：在室中加熱，以9.2℃每分鐘的速率從室溫循環(huán)到400℃，在400℃的溫度保持10分鐘，然后以爐速率冷卻至300℃，以及然后從所述室取出所述制品并使得所述制品冷卻至室溫。
4.如權(quán)利要求1或2所述的制品，所述至少一個(gè)孔的直徑≤150微米并且在其中包含導(dǎo)電材料。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的制品，所述片材包括與所述片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括選自下組的器件陣列：集成電路；MEMS；CPU；微傳感器；功率半導(dǎo)體；發(fā)光二極管；光子電路；插入物；嵌入式無源器件；以及制造在硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵上或者由硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵制造的微器件。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的制品，其特征在于，在加熱過程中，沒有來自所述表面改性層的脫氣，其中，來自所述表面改性層的脫氣定義為以下至少一種：
(a)根據(jù)脫氣測試#1，在600℃的測試限溫度，覆蓋的表面能變化≥15mJ/m2；以及
(b)根據(jù)脫氣測試#2，在600℃的測試限溫度，氣泡面積的％變化≥5。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的制品，所述表面改性層包括以下一種：a)等離子體聚合的含氟聚合物；以及b)芳族硅烷。
8.一種制備插入物的方法，所述方法包括：
獲得具有載體粘結(jié)表面的載體；
獲得其中具有至少一個(gè)孔的片材，所述片材還包括片材粘結(jié)表面，其中，所述載體粘結(jié)表面和所述片材粘結(jié)表面中的至少一個(gè)包括在其上的表面改性層；
將具有粘結(jié)表面和表面改性層的所述載體和片材粘結(jié)，以形成制品；
使得所述制品經(jīng)受生產(chǎn)線前道(FEOL)工序，其中，在FEOL工序之后，所述載體和片材沒有相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況；
在沒有使得所述載體和片材中較薄的那個(gè)破裂成兩塊或更多塊的情況下，從所述載體去除所述片材。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，所述片材包括硅、石英、藍(lán)寶石、陶瓷或玻璃。
10.一種加工硅晶片片材的方法，所述方法包括：
獲得具有載體粘結(jié)表面的載體；
獲得厚度≤200微米的晶片片材，片材包括硅、石英或藍(lán)寶石，片材還包括片材粘結(jié)表面，其中，所述載體粘結(jié)表面和所述片材粘結(jié)表面中的至少一個(gè)包括在其上的表面改性層；
將具有粘結(jié)表面和表面改性層的所述載體和片材粘結(jié)，以形成制品；
使得所述制品經(jīng)受生產(chǎn)線前道(FEOL)工序，其中，在FEOL工序之后，所述載體和片材沒有相互分離，這是如果舉起其中一個(gè)而另一個(gè)經(jīng)受重力作用力的情況；
在沒有使得所述載體和片材中較薄的那個(gè)破裂成兩塊或更多塊的情況下，從所述載體去除所述片材。
11.如權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述FEOL加工包括以下至少一種：
(i)500-700℃的加工室溫度；以及
(ii)以下至少一種：DRIE(干反應(yīng)性離子蝕刻)；PVD；CVD TiN；PECVD SiO2；電鍍Cu；Cu退火；度量衡法；Cu CMP；Cu(H2O2+H2SO4)+Ti(DHF)濕蝕刻；噴濺粘附層；噴濺晶種層；平版印刷(光刻膠、曝光、剝光、蝕刻Cu)。
12.如權(quán)利要求8、9或11所述的方法，所述至少一個(gè)孔的直徑≤150微米并且在其中包含導(dǎo)電材料。
13.如權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的方法，所述片材包括與所述片材粘結(jié)表面相反的器件表面，所述器件表面包括以下至少一種：
(i)選自下組的器件的陣列：集成電路；MEMS；CPU；微傳感器；功率半導(dǎo)體；發(fā)光二極管；光子電路；插入物；嵌入式無源器件；以及制造在硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵上或者由硅、硅-鍺、砷化鎵和氮化鎵制造的微器件；以及
(ii)選自下組的至少一種結(jié)構(gòu)：焊接凸起；金屬柱狀物；金屬柱；互聯(lián)路徑；互聯(lián)線；絕緣氧化物層；以及由選自下組的材料形成的結(jié)構(gòu)：硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金屬、低k電介質(zhì)、聚合物電介質(zhì)、金屬氮化物和金屬硅化物。
14.如權(quán)利要求8-13中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在加熱過程中，沒有來自所述表面改性層的脫氣，其中，來自所述表面改性層的脫氣定義為以下至少一種：
(a)根據(jù)脫氣測試#1，在600℃的測試限溫度，覆蓋的表面能變化≥15mJ/m2；以及
(b)根據(jù)脫氣測試#2，在600℃的測試限溫度，氣泡面積的％變化≥5。
15.如權(quán)利要求8-14中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述表面改性層包括以下一種：a)等離子體聚合的含氟聚合物；以及b)芳族硅烷。