技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，包括第一區(qū)域，第一區(qū)域上形成有第一鰭部，半導(dǎo)體襯底上還形成有隔離層；在隔離層上形成橫跨第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)；在第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部內(nèi)形成第一源漏區(qū)；在半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層，介質(zhì)層覆蓋半導(dǎo)體襯底、第一鰭部、第一柵極結(jié)構(gòu)、第一源漏區(qū)；刻蝕第一區(qū)域上的介質(zhì)層，形成位于第一源漏區(qū)表面的第一接觸孔；在第一源漏區(qū)表面形成第一半導(dǎo)體外延層，同時采用原位摻雜工藝使第一半導(dǎo)體外延層內(nèi)摻雜有第一類型摻雜離子；在第一半導(dǎo)體外延層表面形成金屬硅化物層；形成填充滿第一接觸孔的金屬插塞。上述方法可以降低形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的寄生電阻。

技術(shù)研發(fā)人員：謝欣云
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510144359
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.30
技術(shù)公布日：2016.11.23