1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
提供包括損壞的表面的介電層；以及
修復(fù)所述介電層的所述損壞的表面，其中，修復(fù)所述損壞的表面包括：
將所述介電層的所述損壞的表面暴露于前體化學(xué)物質(zhì)；
使用光能活化所述前體化學(xué)物質(zhì)；和
當(dāng)活化所述前體化學(xué)物質(zhì)時(shí)，過(guò)濾掉所述光能的光譜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，過(guò)濾掉所述光能的光譜包括過(guò)濾掉具有大于約3.1電子伏(eV)的能量的光子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，過(guò)濾掉所述光能的光譜包括過(guò)濾掉具有小于約400納米(nm)的波長(zhǎng)的光子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用所述光能包括使用紫外光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述前體化學(xué)物質(zhì)包括與氫原子和一個(gè)或多個(gè)甲基基團(tuán)鍵合的硅原子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，修復(fù)所述損壞的表面還包括產(chǎn)生作為副產(chǎn)物的甲烷(CH4)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，過(guò)濾掉所述光能的光譜包括將濾光片施加于提供所述光能的光源。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述濾光片包括氧化鈦(TiO)的層。
9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
處理介電層，其中，處理所述介電層損壞所述介電層的表面；
使前體化學(xué)物質(zhì)流過(guò)所述介電層的表面；
通過(guò)對(duì)所述前體化學(xué)物質(zhì)施加紫外光能而生成活化的前體化學(xué)物質(zhì)，其中，施加所述紫外光能包括過(guò)濾掉全紫外光譜的部分；以及
使用所述活化的前體化學(xué)物質(zhì)來(lái)修復(fù)所述介電層的表面。
10.一種介電層，包括：
塊狀電介質(zhì)部分，具有第一密度；以及
修復(fù)的表面部分，位于所述塊狀電介質(zhì)部分上方并且接觸所述塊狀電介質(zhì)部分，其中，所述修復(fù)的表面部分具有第二密度，并且所述第二密度與所述第一密度的比率大于約1.9。